国家自然科学基金(61176017)
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 相关作者：邹志强刘晓勇李玮聪石高明李旭更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- Si衬底上生长的MnSi薄膜和MnSi_(1.7)纳米线的STM和XPS分析被引量：3
- 2012年
- 本文采用分子束外延方法制备出MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线,利用扫描隧道显微镜进行观察,采用X射线光电子能谱仪系统地分析了MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线的Mn2p和Si2p.结果表明厚度为～0.9nm的MnSi薄膜表面为√3×√3重构,MnSi1.7纳米线长500—1500nm,宽16—18nm,高～3nm.MnSi薄膜的Mn2p1/2和Mn2p3/2峰位与MnSi1.7纳米线相同,均分别为649.7eV和638.7eV.结合能在640—645eV和～653.8eV处的锰氧化合物的Mn2p3/2和Mn2p1/2峰证明在短暂暴露于空气中后MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线表面有氧化层形成.相对于纯Si的Si2p谱,两种锰硅化合物的Si2p谱向低结合能方向发生了位移,表明随着锰硅化合物的形成Si的化学环境发生了变化.
- 石高明邹志强孙立民李玮聪刘晓勇
- 关键词：X射线光电子能谱扫描隧道显微镜纳米线
- 超高真空中锗衬底上铁锗化合物纳米结构的外延生长被引量：1
- 2017年
- 采用分子束外延法在250~700℃的Ge(111)衬底表面生长出铁的锗化物纳米结构,原位扫描隧道显微镜观察表明,在300℃以下,Ge(111)衬底上生长的铁锗化合物以三维岛的形式存在,高于此温度,Ge(111)衬底上将生长出短棒和纳米线形状的铁锗化合物。当温度高于550℃时,Ge(111)衬底上只有纳米线生成,且纳米线沿着<1-10>三个等价方向生长,具有三重对称性。扫描隧道谱测量表明,三维岛具有金属特性而短棒和纳米线则呈现半导体性质。此外,X射线光电子能谱测试表明,相对于三维岛,纳米线的Fe2p3/2和Fe2p1/2峰向低结合能方向发生了移动,进一步证明了从三维岛到纳米线发生了相变。
- 施凯娟邹志强刘晓勇
- 关键词：扫描隧道显微镜X射线光电子能谱
- Si衬底上生长的铁硅化合物结构和取向分析被引量：6
- 2014年
- 采用分子束外延法分别在650-920℃的Si(110)和920℃的Si(111)衬底表面生长出铁的硅化物纳米结构,并主要分析了920℃高温下纳米结构的形貌、组成相及其与Si衬底的取向关系.扫描隧道显微镜(STM)研究表明,920℃高温下,Si(110)衬底上生长的铁硅化合物完全以纳米线的形式存在,且其尺寸远大于650℃低温下外延生长的纳米线尺寸;Si(111)衬底上生长出三维岛和薄膜两种形貌的铁硅化合物,其中三维岛具有金属特性且直径约300 nm、高约155 nm,薄膜厚度约2 nm.电子背散射衍射研究表明920℃高温下Si(110)衬底上生长的纳米线仅以β-FeSi2的形式存在,且β-FeSi2相与衬底之间存在唯一的取向关系:β-FeSi2(101)//Si(11 1);β-FeSi2[010]//Si[110];Si(111)衬底上生长的三维岛由六方晶系的Fe2Si相组成,Fe2Si属于164空间群,晶胞常数为a=0.405 nm,c=0.509 nm;与衬底之间的取向关系为Fe2Si(001)∥Si(111)和Fe2Si[1 20]//Si[112].
- 李旭邹志强刘晓勇李威
- 关键词：扫描隧道显微镜电子背散射衍射纳米线
- 锰的硅化物薄膜在Si(100)-2×1表面生长的STM研究
- 2012年
- 锰的硅化物在微电子器件、自旋电子学器件等领域具有良好的应用前景,了解锰的硅化物薄膜在硅表面的生长规律是其走向实际应用的关键步骤之一.本文采用分子束外延方法在Si(100)-2×1表面沉积了约4个原子层的锰薄膜,并利用超高真空扫描隧道显微镜研究了该薄膜与硅衬底之间在250—750℃范围内的固相反应情况.室温下沉积在硅衬底表面的锰原子与衬底不发生反应,薄膜由无序的锰团簇构成;当退火温度高于290℃时,锰原子与衬底开始发生反应,生成外形不规则的枝晶状锰硅化物和富锰的三维小岛;325℃时,衬底上开始形成平板状的MnSi小岛;525℃时,枝晶状锰硅化物完全消失,出现平板状的MnSi_(1.7)7大岛;高于600℃时,富锰的三维小岛和平板状的MnSi小岛全部消失,仅剩下平板状的MnSi_(1.7)大岛.这些结果说明退火温度决定了薄膜的形态和结构.在大约600℃退火时岛的尺寸随着退火时间的延长而逐渐增大,表明岛的生长遵从扩散限制的Ostwald熟化机理.
- 李玮聪邹志强王丹石高明
- 关键词：扫描隧道显微镜固相反应
