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山东省自然科学基金(ZR2010AL026)

作品数:2 被引量:14H指数:2
相关作者:曲崇李清山张忠俊黄瑞志赵风周更多>>
相关机构:鲁东大学北京交通大学更多>>
发文基金:山东省自然科学基金国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇对光
  • 1篇异质结
  • 1篇有机-无机复...
  • 1篇势垒
  • 1篇探测器
  • 1篇紫外探测
  • 1篇紫外探测器
  • 1篇无机
  • 1篇响应度
  • 1篇光电
  • 1篇光强
  • 1篇光强度
  • 1篇光效
  • 1篇光效率
  • 1篇发光
  • 1篇发光器件
  • 1篇发光强度
  • 1篇发光效率

机构

  • 2篇鲁东大学
  • 1篇北京交通大学

作者

  • 2篇曲崇
  • 1篇张敏
  • 1篇张立春
  • 1篇田丽杰
  • 1篇冯贞健
  • 1篇赵风周
  • 1篇徐征
  • 1篇黄瑞志
  • 1篇张忠俊
  • 1篇李清山
  • 1篇张世玉

传媒

  • 2篇光电子.激光

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
有机-无机复合薄膜电致发光器件中势垒对光电性能的影响被引量:6
2012年
利用无机非晶SiO2与有机聚合物PPV复合制备了异质结器件,研究了不同层之间由于能级匹配而产生的势垒对整个器件的光电性能的影响。对于单层有机器件ITO/PPV/Al及双层有机无机复合器件ITO/PPV/SiO2/Al,空穴的注入取决于ITO/PPV界面的势垒,空穴是多数载流子,发光强度主要取决于电子的注入。单层器件电子的注入能力与PPV/Al界面的势垒有关;双层器件由于引进SiO2层,提高了电子的注入能力,其发光强度和发光效率较单层器件都有改善。对于3层有机-无机复合器件ITO/SiO2/PPV/SiO2/Al,在两个方向上电子注入的势垒不同,电子的注入能力有所差别,交流激发时,当Al电极为负(ITO为正)时,器件的最大瞬时发光强度是当ITO电极为负(Al为正)时最大瞬时发光强度的1.3倍。
曲崇徐征张世玉冯贞健田丽杰
关键词:有机-无机复合势垒发光强度发光效率
n-ZnO/p-GaN异质结紫外探测器及其光电性能研究被引量:8
2014年
利用脉冲激光沉积(PLD)方法在p-GaN衬底上沉积了n-ZnO薄膜,构造了n-ZnO/p-GaN异质结型紫外(UV)光-电探测器原型器件,在(UV)光照条件下测试了器件的光电性能。扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)测试结果表明,ZnO薄膜具有很好的结晶质量;I-V曲线显示,器件在黑暗和光照环境下都表现出明显的整流行为;光谱响应曲线表明,器件响应度峰值出现在364nm附近,当反向电压为-5V时光电流达到饱和,此时响应度峰值达到1.19A/W。不同反向工作电压下的光谱探测率曲线表明,器件对364nm附近的UV光有较强的选择性,在-2V偏压下具有最佳的探测率,其探测率峰值达到8.9×1010 cm·Hz1/2/W。
黄瑞志曲崇李清山张立春张忠俊张敏赵风周
关键词:探测器ZNO异质结响应度
共1页<1>
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