广东省自然科学基金(04011770)
- 作品数：14 被引量：25H指数：4
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- 相关机构：五邑大学暨南大学华南理工大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 制备工艺对p型ZnO薄膜微观结构和电学特性的影响被引量：1
- 2008年
- 本文报道溅射工艺、退火工艺和冷却方式对磷扩散法制备的p型ZnO薄膜的微观结构和电学特性的影响的实验研究。研究结果表明,ZnO薄膜的表面形貌、结晶度、内应力以及电学特性均与制备工艺条件有密切的关系。文章对这些关系的机理做了探讨和分析。
- 丁瑞钦陈毅湛朱慧群黎扬钢丁晓贵杨柳黄鑫钿齐德备谭军
- 关键词：ZNO薄膜微观结构电学特性
- 同质缓冲层对ZnO薄膜光学性质的影响被引量：4
- 2006年
- 利用射频磁控溅射技术,在单晶硅衬底上生长出高质量(0002)晶面取向的ZnO外延薄膜。通过XRD、AFM、吸收光谱、光致荧光发光谱的实验研究,发现加入适当厚度的、低温生长的ZnO同质缓冲层,可有效降低晶格失配和因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。在衬底温度200℃、沉积时间5min的ZnO缓冲层上,以450℃衬底温度溅射ZnO薄膜主层,得到的ZnO样品的晶体结构、表面形貌和光学性质均有较明显的改善。
- 朱慧群丁瑞钦蔡继业胡怡
- 关键词：半导体技术射频磁控溅射ZNO薄膜PL谱
- n-ZnO/p-Si紫外至近红外增强型广谱光探测器被引量：4
- 2007年
- 采用直流反应溅射法，在一定的溅射功率和衬底温度等条件下控制气体组分，优选Ar：O2—8：1成功研制出高响应度n-ZnO／p-Si紫外至近红外增强型广谱光探测器。实验关键是利用缺O法在n-ZnO薄膜内有效引入O缺位Vo，而Vo可增强紫蓝波段的光响应。测试结果显示，ZnO薄膜的光致发光（PL）谱除在388nm处存在紫外带边发射主峰外，还在416nm处出现由O缺位导致的发射峰；X射线衍射（XRD）谱表明，薄膜中的晶体为高C轴取向的纤锌矿结构；n-ZnO／p-Si光探测器在光照时Ⅰ-Ⅴ特性显示，光电流随反向偏压的增加迅速上升；在5V的反向偏压下，紫外区（310-388nm）的光响应高达0．75～1．38A／W，紫蓝光区（400-430nm）的光响应大大增强，400-800nm波段的光谱响应稳定在0．90A／W。
- 朱慧群丁瑞钦庞锐麦开强吴劲辉
- 关键词：光探测器光响应
- 氢钝化对GaAs/SiO_2纳米颗粒镶嵌薄膜光学性质的影响
- 2005年
- 利用射频共溅射方法,在溅射气氛含氢与不含氢条件下,在石英玻璃和抛光硅片衬底上沉积GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜.实验结果表明,在气氛含氢条件下制备的薄膜的室温吸收光谱存在着较明显的激子肩,其荧光发射谱也有明显的增强.这些现象可归因于氢对GaAs纳米颗粒膜的钝化作用.
- 丁瑞钦朱慧群吴桐庆王忆赵丽特
- 关键词：吸收光谱荧光光谱
- 掺氢GaAs薄膜的表面形貌及光学性质研究
- 2005年
- 采用射频磁控溅射和沉积气氛掺氢工艺制备了GaAs薄膜,研究掺氢对薄膜的表面形貌及光学性质的影响.X射线衍射结果显示,以衬底温度为500℃制备出的GaAs薄膜呈面心立方闪锌矿结构.原子力显微镜分析表明气氛掺氢会影响到GaAs薄膜的形貌和颗粒的大小.在500℃衬底温度下溅射气氛掺氢制备出的GaAs薄膜的吸收光谱出现了明显的激子峰,表明氢钝化对薄膜的光学性质的改善起重要的辅助作用.
- 朱慧群丁瑞钦吴桐庆蔡继业胡怡杨恢东丁才蓉汪河洲
- 关键词：射频磁控溅射吸收光谱
- 射频磁控溅射掺氮ZnO薄膜的制备与表征
- 2006年
- 以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法,在衬底温度为450℃、混合气体压强为1.3Pa的条件下,在石英玻璃和抛光单晶硅衬底上沉积了一系列呈六角纤锌矿结构、沿(0002)晶面高度取向生长的ZnO薄膜。利用X射线衍射、四探针、原子力显微镜、吸收光谱和光致荧光光谱等实验分别对薄膜样品的晶体结构、表面形貌和光电特性进行了分析表征。结果表明,氮对ZnO薄膜的缺陷有明显的钝化作用,气体组分、溅射功率是影响ZnO薄膜沿C轴择优取向生长、结构特征和光电性质的重要因素。
- 朱慧群丁瑞钦
- 关键词：射频磁控溅射ZNO薄膜
- p-ZnO薄膜的制备及其微结构测试与分析
- 2008年
- 报道了几种不同的p型ZnO薄膜的制备工艺对其薄膜微观结构的影响.结果表明:ZnO薄膜的结晶度、C轴取向程度、内应力均与制备工艺条件有密切的关系,并对这些关系的机理做了分析和探讨.
- 陈毅湛丁瑞钦朱慧群黎扬钢丁晓贵杨柳黄鑫钿齐德备谭军
- 关键词：退火工艺X射线衍射
- 氢对GaAs薄膜的钝化作用被引量：5
- 2006年
- 报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层（13～20nm厚）高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法，研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质的影响。对GaAs薄膜进行了X射线衍射、原子力显微镜、吸收光谱、光致荧光谱的研究分析．结果表明，衬底温度500℃的掺氢薄膜和520℃的薄膜呈面心立方闪锌矿结构，薄膜的晶团尺寸较大，微观表面较为粗糙，其吸收光谱出现了吸收边蓝移和明显的激子峰，带隙光致荧光峰强明显增加，说明氢在衬底温度500℃～520℃下对薄膜有重要的钝化作用。
- 朱慧群丁瑞钦胡怡
- 关键词：射频磁控溅射
- 制备高质量ZnO光电薄膜的关键技术被引量：9
- 2005年
- 提高ZnO薄膜的质量,使之适应制备光电器件的要求,是目前ZnO薄膜研究的一个主要问题。在对近年来人们在ZnO薄膜的制备上所作的工作进行调研的基础上,总结出对提高薄膜的质量有普遍参考价值的三种关键技术:“缓冲层”,“氢钝化”和“表面化学处理”。对三种关键技术的主要内容,及其在提高薄膜结晶质量与光电性能方面的效果和物理机制,作了较详细的介绍。并对这些技术提出了自己的一些见解。
- 丁瑞钦
- 关键词：电子技术ZNO薄膜缓冲层
- 制备工艺对ZnO薄膜的结构与光学性质的影响
- 2007年
- 利用射频磁控反应溅射技术生长出具有高度晶面(0002)取向的ZnO外延薄膜。通过AFM、XRD、吸收光谱和荧光光谱等测试手段,分别研究分析了不同衬底、不同溅射气氛和退火对ZnO薄膜结构及光学性质的影响。研究表明,在200℃低温生长的硅基ZnO薄膜具有几百纳米的氧化锌准六角结构外形;当氧氩比为4:1(质量流量比)时,吸收谱激子峰最佳;退火后,激子峰(363 nm)加强,同时出现了402 nm的本征氧空位紫光发射。
- 赵银平丁瑞钦朱慧群胡怡王忆汪河洲
- 关键词：半导体技术射频磁控反应溅射光致发光
