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国家自然科学基金(61006072)

作品数:1 被引量:1H指数:1
相关作者:李明季春花凌惠琴毛大立曹海勇更多>>
相关机构:上海交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇化学工程

主题

  • 2篇电镀
  • 2篇电镀液
  • 2篇镀液
  • 2篇铜互连
  • 2篇氯离子
  • 2篇互连
  • 1篇通孔
  • 1篇磺酸
  • 1篇甲基磺酸
  • 1篇甲基磺酸盐
  • 1篇TSV
  • 1篇
  • 1篇C1

机构

  • 2篇上海交通大学

作者

  • 2篇曹海勇
  • 2篇毛大立
  • 2篇凌惠琴
  • 2篇季春花
  • 2篇李明

传媒

  • 1篇电镀与涂饰

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
1 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
硅通孔铜互连甲基磺酸铜电镀液中氯离子的作用被引量:1
2012年
研究了硅通孔(TSV)镀铜用甲基磺酸铜高速镀液(由Cu(CH3SO3)240g/L、甲基磺酸60g/L及Cl-50mg/L组成)中氯离子的作用机理。采用旋转圆盘电极研究了不同扩散条件下Cl-的作用效果,并采用电化学阻抗谱(EIS)和电子顺磁共振(EPR)探讨了Cl-在铜电化学沉积中的影响机制和对Cu+配位场的影响。结果表明:在深孔内扩散控制条件下,Cl-对铜沉积有明显的加速作用;在表面非扩散控制区域,尤其是高电流密度区,Cl-具有一定的抑制效果。因此,Cl-的存在有利于改善TSV深孔镀铜填充效果,提高填充速率。
季春花凌惠琴曹海勇李明毛大立
关键词:铜互连电镀氯离子甲基磺酸盐
TSV铜互连甲基磺酸铜电镀液中C1-的作用
TSV叠层式电子封装是今后三维封装重点发展的一种封装技术,其关键技术之一是TSV硅孔镀铜填充技术。本研究针对TSV硅孔镀铜用甲基磺酸铜高速镀液中Cl的作用及机理展开了系统研究。利用旋转圆盘电极研究了不同扩散条件下Cl的作...
季春花凌惠琴曹海勇李明毛大立
关键词:TSV铜互连电镀氯离子
文献传递
共1页<1>
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