国家自然科学基金(61006016)
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
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- 一种新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器被引量：4
- 2013年
- 介绍了一种用于环境温度监测的新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器,采用0.13μm标准CMOS工艺的厚氧器件实现,芯片面积为37μm×41μm。该温度传感器在-20～60°C的温度范围内,采用两点校正方法之后,温度误差为-0.2°C/0.5°C。该温度传感器可以在1.8～3.6V的电源电压范围内安全可靠地工作,并且具有较高的电源抑制比。测试结果表明,其输出电压斜率为3.9mV/°C,1.8V下功耗为1.3μW。
- 陈刚解玉凤林殷茵
- 关键词：电源抑制比
- A logic 2T gain cell eDRAM with enhanced retention and fast write scheme
- A logic-process embedded DRAM with 2T multi-Vth PMOS gain cell with one high-Vth for retention enhancement and...
- Yu-Feng XieKuan ChengYin-Yin Lin
- 一种高速增益单元存储器的内建自测试方案被引量：1
- 2012年
- 介绍了一种用于测试高速增益单元嵌入式动态随机存储器的内建自测试方案。该方案包括了指令集设计和体系结构设计。四级指令流水线的引入使全速测试成为可能。该设计方案可以通过执行不同的测试指令,对待测存储器执行多种类型的测试,从而达到较高的故障覆盖率。该内建自测试模块被集成在了一个存储容量为8kb的增益单元嵌入式动态随机存储器芯片中,并在中芯国际0.13μm标准逻辑工艺下进行了流片验证。芯片测试结果表明,该内建自测试方案可以在多种测试模式下对待测存储器执行全速测试,提高了测试速度,降低了对自动测试设备的性能要求,提高了测试的效率。
- 严冰解玉凤袁瑞林殷茵
- 关键词：内建自测试
