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国家自然科学基金(61176062): 作品数：49 被引量：107H指数：6; 相关作者：沈鸿烈李金泽王威蒋晔李玉芳更多>>; 相关机构：南京航空航天大学常州大学中利腾晖光伏科技有限公司更多>>; 发文基金：国家自然科学基金江苏高校优势学科建设工程资助项目江苏高校优势学科建设工程项目更多>>; 相关领域：一般工业技术理学化学工程电子电信更多>>

等离子体辅助铝诱导纳米硅制备多晶硅的研究被引量：1: 2013年; 以超白玻璃为衬底,利用热丝化学气相沉积和磁控溅射法制备了Glass/nc-Si/Al叠层结构,置入管式退火炉中进行等离子体辅助退火。样品在氢等离子体氛围下进行了400,425和450℃不同温度,5 h的诱导退火,用光学显微镜和拉曼光谱对样品进行了性能表征。结果表明随着诱导温度升高,样品的Si(111)择优取向越来越显著;晶粒尺寸不断增大,在450℃诱导温度下获得了最大晶粒尺寸约500μm的连续性多晶硅薄膜,且该温度下薄膜晶化率达97%;薄膜的结晶质量也随着温度的升高而不断提高。样品经450℃诱导后的载流子浓度p为5.8×1017cm-3,薄膜霍尔迁移率μH为74 cm2/Vs。还从氢等离子体钝化的角度分析了等离子体环境下铝诱导纳米硅的机理。; 方茹沈鸿烈吴天如张磊刘斌; 关键词：纳米硅多晶硅薄膜

低反射率多晶硅绒面的湿法制备研究被引量：3: 2013年; 在多晶硅太阳电池制备工艺中,多晶硅表面制绒一直是研究热点,绒面的反射率以及形貌受到多个因素的影响。采用由HF,HNO3和H2O组成的腐蚀液对多晶硅进行腐蚀,研究了腐蚀时间,腐蚀液中HF与HNO3的体积比以及H2O在腐蚀液中的含量对制绒结果的影响。用分光光度计测量了制备绒面的反射率,并用扫描电镜观察了制备绒面的表面形貌。研究结果表明,腐蚀液中HF,HNO3和H2O的体积比对腐蚀坑的形貌有重要影响,而腐蚀坑形貌则决定了绒面反射率的高低。当腐蚀液中HF∶HNO3∶H2O体积比为5∶1∶2且腐蚀时间为3 min时,绒面在300 nm～900 nm波长范围内平均反射率最低,仅为20.4%,这是因为绒面中窄而深的腐蚀坑增强了硅片表面对光的吸收,降低了反射率。; 张力典沈鸿烈岳之浩王威蒋晔; 关键词：体积比反射率表面形貌

氮气流量对磁控溅射AlN薄膜光学性能的影响被引量：1: 2017年; Al N薄膜因其具有优异的物理化学性能而有着广阔的应用前景,采用反应磁控溅射法在低温条件下制备AlN薄膜是近些年科研工作的热点。采用直流磁控溅射法,于室温下通入不同流量的氮气在p型硅(100)和载玻片衬底上沉积了AlN薄膜。利用傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计等分析薄膜的组分、结构、形貌和光学性能。结果表明随着氮气流量的增加,Al N薄膜质量变好,N2流量为8 cm3/min时制备的AlN薄膜为六方纤锌矿结构,在680 cm^(-1)处具有明显的FTIR吸收峰,进一步说明成功制备了AlN薄膜。在300~900 nm的波长范围内,薄膜透过率最高可达94%;薄膜带隙随着氮气流量的增加而增大,最大带隙约为4.04 eV。; 杨家乐沈鸿烈邢正伟蒋晔李金泽张三洋李玉芳; 关键词：ALN薄膜直流磁控溅射透过率光学性能

硝酸银含量对Au＠Ag2S＠ZnS双壳核壳结构的形成及其光学性能影响的研究: 2015年; 采用化学还原法先制备了表面吸附有十六烷基三甲基溴化铵的金纳米颗粒,然后以金纳米颗粒为籽晶,采用二乙基二硫代氨基甲酸锌和硝酸银分别作为锌源和银源,通过水热反应法制备出了Au@Ag2S@Zn S双壳核壳结构。XRD分析表明样品中含有立方相的Au、单斜相的Ag2S与六方相的Zn S。UV-Vis谱揭示样品的等离子体共振峰位可以通过改变硝酸银的加入量而控制。SEM和TEM图像显示样品呈球形且壳层由许多小的纳米颗粒聚集而成,Zn S壳层为多晶。由光致发光谱分析得知,随着硝酸银量的增加,主发光峰先是红移,然后峰位不变且强度减弱。这一光致发光现象一方面可能与反应过程中部分银离子掺入Zn S纳米壳层有关;另一方面可能源于Ag2S中间层厚度的增加导致Zn S与Au的间距增加,从而导致Au对Zn S的等离子增强效果减弱。; 唐群涛沈鸿烈吕长文王东明商慧荣; 关键词：光致发光

Effect of Oxygen Content on Structural and Optical Properties of Single Cu_2O Film by Reactive Magnetron Sputtering Method被引量：2: 2012年; Cuprous oxide(Cu_2O) thin films have been deposited on glass substrate by reactive magnetron sputtering method using Cu target and argon oxygen gas atmosphere.Effect of oxygen flow rate on structural and optical properties of thin films has been discussed.The results of X-ray diffraction,ultraviolet-visible spectrophotometry and atomic force micrograph indicated that the condition window for single Cu_2O phase was about 3.8 to 4.4 cm^3/min,and the optimum oxygen flow rate was 4.2 cm^3/min.The optical band gap E_g of Cu_2O film was determined by using the data of transmittance versus wavelength,and slightly decreased from 2.46 to 2.40 eV with the increase of oxygen flow rate from 3.8 to 4.4 cm^3/min.The Cu_2O film formed at the oxygen flow rate of 4.2 cm^3/min had an optical band gap of 2.43 eV.; 李斌斌朱建勋陈照峰沈鸿烈罗建

AIC多晶硅薄膜的制备与其上HWCVD低温外延生长多晶硅薄膜的研究被引量：1: 2012年; 铝诱导晶化法(AIC)是一种低温制备大晶粒多晶硅薄膜的重要方法。本文分别基于Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层制备了AIC多晶硅薄膜,前者表面粗糙,后者表面光滑。以后者为籽晶层,在其上用HWCVD法300℃低温下外延生长了表面形貌与籽晶层相似的多晶硅薄膜。铝诱导晶化过程中,在原始非晶硅层中会形成多晶硅、非晶硅和铝的混合层,去除铝后残留的硅将使表面粗糙,而在原始铝层中则形成连续的多晶硅薄膜。Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层的上层分别是非晶硅层和铝层,发生层交换后,前者上层是硅铝混合层,因此表面粗糙,后者上层是连续的多晶硅薄膜,因此表面光滑。在AIC多晶硅薄膜表面外延生长多晶硅薄膜等效于铝诱导多晶硅的晶核在垂直于薄膜方向上的继续生长,因此外延生长的薄膜与AIC多晶硅薄膜呈现相似的枝晶状形貌。; 唐正霞沈鸿烈江丰张磊; 关键词：多晶硅薄膜铝诱导晶化热丝化学气相沉积

晶硅掺镓抑制太阳电池光致衰减效应的研究被引量：7: 2016年; 采用掺镓晶硅和掺硼晶硅制备的寿命片和太阳电池片分别进行光致衰减实验,用WT-2000少子寿命测试仪和Halm电池电学性能测试仪等研究了它们受光照前后少子寿命和电学性能的变化。发现掺镓单晶寿命片的少子寿命衰减率比掺硼单晶寿命片低50%左右,掺镓单晶PERC电池和掺镓多晶常规电池转换效率的衰减率比掺硼单晶PERC电池和掺硼多晶常规电池分别降低3.41%和0.92%。这些结果表明晶硅太阳电池的光致衰减效应主要是晶硅中少子寿命降低导致的,晶硅掺镓后能有效抑制太阳电池的光致衰减现象。; 张三洋沈鸿烈魏青竹倪志春邢正伟姚函妤吴斯泰; 关键词：少子寿命衰减率

溶液的pH值对化学浴法制备CdS薄膜光电流响应性能的影响被引量：2: 2015年; 采用化学浴沉积法将氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系合成CdS薄膜,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和紫外可见吸收光谱等研究了CdS薄膜的形貌、相结构和光学性能,通过测试薄膜的光电流响应曲线分析了薄膜的光电性能.结果表明：溶液的pH值在9~11的范围内均可以制备均匀致密的CdS薄膜,其中pH=10时制备的CdS薄膜最为均匀致密且其X射线衍射仪衍射峰强度最强,对应的光学带隙约为2.37eV;光电流响应曲线显示该薄膜的光电导最高为2.94×10-2Ω-1·cm-1,光暗电导比为38.23,具有最佳的光敏性.; 焦静沈鸿烈张三洋李金泽王威; 关键词：CDS薄膜光敏性

自支撑多孔硅/ZnO复合材料的制备及其超级电容特性被引量：4: 2016年; 首先利用二步阳极氧化法制备了自支撑多孔硅,再利用真空抽滤法在自支撑多孔硅中沉积ZnO纳米籽晶层,最后用水热合成法使ZnO纳米籽晶进一步长大。采用扫描电子显微镜、X射线能谱分析和光致发光谱分析对样品的形貌、元素及发光性能进行了表征。结果表明:自支撑多孔硅内部成功填充了ZnO纳米颗粒并形成了自支撑多孔硅/ZnO复合材料。将这种复合材料作为超级电容器电极进行了电化学测试,包括循环伏安、阻抗谱和恒电流充放电测试,该复合材料有较好的超级电容特性,比容量可达到15.7F/g,相比于自支撑多孔硅提高120倍。; 邢正伟沈鸿烈唐群涛姚函妤杨楠楠; 关键词：光致发光超级电容器

反应离子刻蚀制备的多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究被引量：5: 2017年; 结合SiO_2纳米球掩模和反应离子刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅,利用低浓度的NaOH溶液去除由荷能离子撞击所带来的损伤层,优化了多晶黑硅结构。在多晶黑硅上用原子层沉积技术沉积一层Al_2O_3薄膜,并对样品进行快速热退火处理。结果表明,采用低浓度的NaOH溶液可以完全去除损伤层,在保持原有黑硅结构的基础上使表面结构更加光滑;经450℃快速热退火后少子寿命达到29.34μs,表面复合速率为306cm·s-1,在可见光范围内平均反射率降至7.12%。; 金磊李玉芳沈鸿烈蒋晔杨汪扬杨楠楠郑超凡; 关键词：反应离子刻蚀表面钝化氧化铝

国家自然科学基金(61176062)

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