国家自然科学基金(61006005)
- 作品数：8 被引量：29H指数：4
- 相关作者：李喜峰张建华信恩龙李春亚陈龙龙更多>>
- 相关机构：上海大学华中科技大学浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管被引量：3
- 2014年
- 本文采用溶胶凝胶法制备了锆掺杂铝氧化物(锆铝氧化物)和铪铟锌氧化物薄膜,并用于制造薄膜晶体管的绝缘层和有源层.锆铝氧化物绝缘层具有较高的介电常数,其相对介电常数为19.67,且薄膜表面光滑,致密,其表面粗糙度仅为0.31 nm.获得的薄膜晶体管具备良好的器件性能,当器件宽长比为5时,器件的饱和迁移率为21.3 cm2/V·s,阈值电压为0.3 V,开关比可以达到4.3×107,亚阈值摆幅仅有0.32 V/dec.
- 高娅娜李喜峰张建华
- 关键词：薄膜晶体管迁移率
- 溶胶凝胶法制备透明IZO薄膜晶体管被引量：5
- 2013年
- 采用溶胶凝胶法制备了非晶铟锌氧化物(a-IZO)薄膜,并作为薄膜晶体管(TFT)的有源层制备了a-IZO TFT。研究了IZO薄膜中铟锌比对薄膜性质及a-IZO TFT器件性能的影响。结果表明:溶胶凝胶法制备的IZO薄膜经低温(300℃)退火后为非晶结构,薄膜表面均匀平整、致密,颗粒大小为20 nm左右,并具有高透过率(>85%)。IZO薄膜中的铟锌比对薄膜的电学性能和TFT器件特性影响显著,增加In含量有利于提高薄膜和器件的迁移率。当铟锌比为3∶2时,所获得的薄膜适合于作为薄膜晶体管的有源层,制备的IZO-TFT经过相对低温(300℃)退火处理具有较好的器件性能,阈值电压为1.3 V,载流子饱和迁移率为0.24 cm2·V-1·s-1,开关比(Ion∶Ioff)为105。
- 信恩龙李喜峰张建华
- 关键词：溶胶凝胶法薄膜晶体管
- 溶胶-凝胶法制备透明氧化物薄膜晶体管的研究进展
- 2014年
- 透明非晶氧化物薄膜晶体管(TAOS-TFT)相对于硅基TFT具有均一性好、迁移率高、兼容低温柔性基板等优点,能够广泛用于平板有源显示领域特别是有源矩阵有机发光二极管显示(AMOLED)的驱动背板。溶胶-凝胶法制备薄膜晶体管不需要高真空的环境,成本低、工艺简单,化合物成分易于控制,能够均匀定量地实现分子水平的掺杂,满足新技术研发的需求,近年来引起了广泛关注,研究主要集中在寻找合适有源层和绝缘层材料、研究薄膜成分、制备工艺对器件性能的影响,并获得与传统真空工艺可比拟的器件性能。针对柔性显示器件成为未来显示发展的主流技术之一,全溶液法制备以及基于柔性基板制备TFT也取得了较好的进展,为未来显示行业提供了可靠的低成本发展方向。但所制备的TFT器件仍然存在制备温度相对较高,偏压稳定性相对较差的问题。总结了该领域内目前研究热点及取得的进展。
- 信恩龙李喜峰张建华
- 关键词：溶胶-凝胶法
- 17.8cm彩色AMOLED驱动模块的研制被引量：6
- 2012年
- 利用现场可编程门阵列结合液晶显示器(LCD)的驱动芯片研制了一个17.8cm(7in)彩色AMOLED显示模块。用Verilog硬件描述语言编写了显示驱动控制程序。通过对OLED显示屏的研究,选择了适合该显示屏的LCD驱动芯片。通过研究LCD驱动芯片的特性,结合驱动OLED的实际需求,提出了一种屏幕与IC的连接方案。采用奇偶列像素数据线交错排列、列驱动IC并行工作的方法,克服了LCD驱动芯片点反转导致屏幕亮度损失一半的问题。针对数据驱动IC只能接收6bit/pixel的数据,而丢失了2bit数据的问题,文章在图像处理中引入了数字半调技术,利用Bayer抖动法对输入数据进行处理,提高了输出图像的质量。
- 尹盛江博李喜峰
- 关键词：FPGA
- 射频磁控溅射低温制备非晶铟镓锌氧薄膜晶体管被引量：5
- 2012年
- 利用射频磁控溅射技术室温制备了铟镓锌氧(IGZO)薄膜,采用X射线衍射(XRD)表征薄膜的晶体结构,原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌,分光光度计测量其透光率。结果表明:室温制备的IGZO薄膜为非晶态且薄膜表面均匀平整,可见光透射率大于80%。将室温制备的IGZO薄膜作为有源层,在低温(<200℃)条件下成功地制备了铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT),获得的a-IGZO-TFT器件的场效应迁移率大于6.0 cm2.V-1.s-1,开关比约为107,阈值电压为1.2 V,亚阈值摆幅(S)约为0.9 V/dec,偏压应力测试a-IGZO TFT阈值电压随时间向右漂移。
- 信恩龙李喜峰陈龙龙石继锋李春亚张建华
- 关键词：薄膜晶体管
- 热处理气氛对溶胶-凝胶法制备a-InGaZnO TFT器件的影响
- 2013年
- 采用溶胶-凝胶法制备了非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜,通过热重-差热示差技术分析了a-IGZO形成机理,并研究了热处理对a-IGZO薄膜的结构和光电性能影响。并用于薄膜晶体管(TFT)的有源层,制备的a-IGZO TFT,其具有明显的转移特性,其关态电流为10-11 A,退火能够改善a-IGZO TFT器件性能,器件的开关比提高了两个数量级。
- 李倩李喜峰张建华
- 关键词：溶胶-凝胶法薄膜晶体管
- 溶胶凝胶法制备ZnO:Ga作为电流扩散层的LED光电性能研究被引量：1
- 2012年
- 采用溶胶凝胶法制备了ZnO:Ga(GZO)透明导电薄膜,并用做GaN基LED的电流扩散层。研究表明,GZO薄膜为多晶薄膜,透光率大于80%,粗糙度为Ra 4.6nm,制备的LED的开启电压为2.4V,并成功的点亮LED芯片。
- 李倩王万晶李喜峰张建华吕建国
- 关键词：溶胶凝胶LEDGZO
- 低温透明非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性被引量：9
- 2013年
- 采用室温射频磁控溅射非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO),在相对低的温度(<200℃)下成功制备底栅a-IGZO薄膜晶体管器件,其场效应迁移率10cm-2·V-1·s-1,开关比大于107,亚阈值摆幅SS为0.4V/dec,阈值电压为3.6V.栅电压正向和负向扫描未发现电滞现象.白光发光二极管光照对器件的输出特性基本没有影响,表明制备的器件可用于透明显示器件.研究了器件的光照稳定性,光照10000s后器件阈值电压负向偏移约0.8V,这种漂移是由于界面电荷束缚所致.
- 李喜峰信恩龙石继锋陈龙龙李春亚张建华
- 关键词：薄膜晶体管
