国家自然科学基金(61176096)
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学机械工程化学工程更多>>
- LDA＋U calculation of structural and thermodynamic properties of Ce2O3被引量：1
- 2014年
- Bo ZhuYan ChengZhen-Wei NiuMeng ZhouMin Gong
- 关键词：LDA体积弹性模量体积模量
- 设计和表征一个65nm抗辐射标准单元库被引量：1
- 2013年
- 提出了一个基于商用65 nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式,并保持输出逻辑电平不变,而当输入端有相同的逻辑值时,C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转(SEU)效应或单粒子传输(SET)效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器,以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性,一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟,以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10%以内。
- 陈刚高博龚敏
- 关键词：单粒子效应
- γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析
- 2014年
- 在研究0.5μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时,发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象,相关的解释鲜见报道。经过分析提出假设:部分多栅NMOS在γ辐照实验过程中各栅极受到剂量不均匀的辐照,导致辐照前后转移特性曲线出现交叉现象。计算机仿真结果表明:受到剂量不均匀的辐照后,多栅NMOS各栅极氧化层陷阱电荷和硅-二氧化硅界面电荷浓度不一致,使各栅极阈值电压不同步漂移,导致器件跨导退化和转移特性曲线交叉。通过仿真验证能够说明,所提出的假设合理地解释了实验中的现象。
- 潘立丁石瑞英龚敏刘杰
- 关键词：总剂量效应计算机仿真
- 重离子辐照SiO_2/Si结构变温光致发光谱研究被引量：1
- 2016年
- 本文研究了重离子辐照前后SiO_2/Si结构光学性质的变化。实验选择初始能量为414 MeV,不同辐照总剂量的Sn离子,在室温下辐照氧化层厚度为36nm和90nm的SiO_2/Si结构。并在不同测试温度下获得了辐照前后SiO_2/Si结构的光致发光谱(PL)谱。在相同的测试温度下,随着辐照总剂量的改变,峰位发生了移动,峰的强度也发生了改变;在相同的辐照总剂量下,随着测试温度的改变,峰位发生移动。由于受束缚激子发光的影响,在测试温度为80K时出现了一个新的光致发光峰。
- 马瑶龚敏刘鑫胥鹏飞林巍冷宏强
- 关键词：重离子
- 65nm n沟MOSFET的重离子辐照径迹效应研究
- 2013年
- 重离子在SiO2中能产生永久径迹,因此它可能对MOS器件电学特性产生影响。文章用Geant4软件对Au和Sn两种离子进行蒙特卡洛模拟,重点分析高能粒子在SiO2中的能量沉积及径迹。基于模拟分析,对专门设计的65 nm n沟MOSFET器件进行Sn离子辐照实验,发现辐照后Ids和Ig明显增大,分析器件辐照前后阈值电压、跨导、沟道电流以及栅漏电流等特性参数变化的原因。
- 高婷婷王玲苏凯马瑶袁菁龚敏
- 关键词：重离子辐照径迹
