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FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB薄膜各层宽度对其巨磁阻抗效应的影响: 2005年; 采用射频磁控溅射方法,利用微细加工工艺制备了不同薄膜宽度的三明治结构FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜,在频率1～40MHz下研究了薄膜宽度对多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应的影响。结果表明,三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应随薄膜宽度的变化具有显著的影响,当FeCuNbCrSiB层、Cu层宽度分别取1.6mm、0.8mm时,GMI%达到最大值-21.22645%。; 张亚民陈吉安周勇丁文王明军高孝裕周志敏; 关键词：巨磁阻抗

Cu层宽度对弯曲型三明治结构FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜应力阻抗效应的影响: 2005年; 基于MEMS微细加工工艺,利用磁控溅射方法在Si基片上制备了不同Cu层宽度弯曲型三明治结构的FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜,在频率1～40MHz下研究了Cu层宽度对多层膜的应力阻抗效应的影响。结果表明,弯曲型三明治结构多层膜的应力阻抗(SJ)效应随Cu层宽度的变化有明显的变化,在频率5MHz、基片自由端在y轴方向偏移的距离h为1500μm时,当Cu层宽度为0.4mm时,应力阻抗效应达-25%左右。; 陈吉安张亚民赵晓昱周勇周志敏王明军高孝裕; 关键词：微细加工

弯曲型三明治结构FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜巨磁阻抗效应研究: 2005年; 利用磁控溅射方法及微细加工技术制备了弯曲型三明治结构的FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜,在频率1～40MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明弯曲型三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应高于它的传统的多层膜。在频率10MHz、磁场11.94kA/m下巨磁阻抗效应达-50%。; 张亚民陈吉安丁文周勇王明军高孝裕周志敏; 关键词：巨磁阻抗微细加工

Cu层宽度对弯曲型三明治结构FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜巨磁阻抗效应的影响: 2005年; 采用射频磁控溅射方法和微细加工工艺制备了不同Cu层宽度的弯曲型三明治结构的FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜,在频率1～40MHz下研究了Cu层宽度对多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应的影响.结果表明,弯曲型三明治结构多层膜的巨磁阻抗率随Cu层宽度的变化具有显著的变化,在频率10MHz、磁场12kA/m下,当Cu层宽度为0.4mm时,纵向、横向巨磁阻抗率分别达-57%、-65%.; 张亚民陈吉安周勇丁文王明军高孝裕周志敏; 关键词：巨磁阻抗

曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构应力阻抗效应研究: 2005年; 采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1～40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm、外加电场频率为25MHz时,应力阻抗效应达到-18.3%,在力敏传感器方面具有广阔的应用前景.; 陈吉安茅昕辉赵晓昱丁文曹莹周勇; 关键词：磁控溅射

制备态Fe_(21)Ni_(79)/Cu/Fe_(21)Ni_(79)三明治薄膜的纵向巨磁阻抗效应: 2006年; 采用直流电镀结合正胶光刻工艺制备了Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明冶薄膜，并在0．1-40MHz范围内研究了它的纵向巨磁阻抗效应特性。实验结果表明，Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明治薄膜有十分明显的纵向GMI效应，GMI先随外加磁场的增高而迅速增大，在Hext=0.96kA／m达到最大值后开始逐渐下降．在频率为1．2MHz，外加磁场为0．96kA／m时薄膜的纵向GMI最大值达到88．3％．; 商干兵周勇丁文余先育曹莹周志敏; 关键词：各向异性场

FeCuNbCrSiB薄膜的制备及其巨磁阻抗效应研究被引量：1: 2005年; 采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治结构M/C/M(M为Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C为Cu)的多层膜.在频率(1～40)MHz下,研究了薄膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系.结果表明:单层膜的GMI效应较小,只有4.4%;而三明治结构多层膜的GMI效应,比单层膜有较大幅度的提高,在5MHz、120Oe下,纵向和横向GMI效应分别达-17.4%和-20.7%.薄膜材料的纵向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后减,而横向GMI效应随外加磁场的增加而单调递减,其变化规律与薄膜的易轴取向有很大关系.; 张亚民陈吉安周勇丁文王明军高孝裕; 关键词：电子技术巨磁阻抗效应

三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究被引量：2: 2006年; 采用MEMS技术在玻璃基片上制备了三明治结构FeNi／Cu／FeNi多层膜，在1—40MHz范围内研究了FeNi／Cu／FeNi多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场日。施加在薄膜的长方向时，巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加，在某一磁场下达到最大值，然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。在频率为5MHz时，巨磁阻抗效应在磁场以：800A／m时达到最大值26．6％。巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关。另外，当磁场施加在薄膜的短方向时，薄膜表现出负的巨磁阻抗效应，在频率5MHz、磁场Ha=9600A／m时，巨磁阻抗效应可达-15．6％。; 周勇丁文曹莹商干兵周志敏高孝裕余先育; 关键词：巨磁阻抗效应 MEMS技术

A Solenoid-Type Inductor Fabricated by MEMS Technique被引量：1: 2005年; A solenoid-type inductor for high frequency application is realized using a micro-electro-mechanical systems (MEMS) technique.In order to achieve a high inductance value and Q-factor,UV-LIGA,dry etching technique,fine polishing and electroplating technique are adopted.The dimensions of the inductor are 1500μm×900μm×70μm,having 41 turns with a coil width of 20μm separated by 20μm spaces and a high aspect ratio of 3.5∶1.The maximum measured inductance of the inductor is 6.17nH with a Q-factor of about 6.; 高孝裕周勇王西宁雷冲陈吉安赵小林

MEMS磁芯螺线管微电感的制作工艺研究被引量：5: 2005年; 采用微机电系统(MEMS)技术制作了磁芯螺线管微电感,该技术包括UV-LIGA、干法刻蚀技术、抛光和电镀技术等。研制的微电感大小为1500μm×900μm×100μm,线圈匝数为41匝,宽度为20μm,线圈之间的间隙为20μm,高深宽比为5∶1。测试结果表明:在1～10MHz频率下,其电感量为0.408～0.326μH,Q值为1.6～4.2。; 高孝裕周勇雷冲陈吉安倪智平毛海平王志民; 关键词：微电感电感量品质因子微机电系统

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