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128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器被引量：3: 2012年; 报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×40μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K时测试,器件的100%截止波长为8μm,峰值探测率6.0×109cmHz1/2W-1.经红外焦平面成像测试,探测器可得到较为清晰的成像.; 许佳佳金巨鹏徐庆庆徐志成靳川周易陈洪雷林春陈建新何力; 关键词：长波红外探测器 GASB 焦平面阵列

InAs/GaSbⅡ类超晶格中波红外探测器被引量：5: 2012年; InAs/GaSb II类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器,其优越性表现在高量子效率和高工作温度,以及良好的均匀性和较低的暗电流密度,因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能。通过优化分子束外延生长工艺,包括生长温度和快门顺序等,获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料,X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8″,晶格失配Δa/a=1.5×10-4。研制的p-i-n单元探测器在77 K温度下电流响应率达到0.48 A/W,黑体探测率为4.54×1010cmHz1/2W,峰值探测率达到1.75×1011cmHz1/2W。; 徐庆庆陈建新周易李天兴金巨鹏林春何力; 关键词：INAS/GASB 超晶格红外探测器分子束外延

长波InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器被引量：11: 2013年; 报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz1/2/W,11μm处量子效率为14.3%.采用四种暗电流机制对器件反向偏压下的暗电流密度曲线进行了拟合分析,结果表明起主导作用的暗电流机制为产生复合电流.; 周易陈建新徐庆庆徐志成靳川许佳佳金巨鹏何力; 关键词：暗电流

InAs基InAs/Ga(As)Sb Ⅱ类超晶格长波红外探测器湿法腐蚀研究（英文）被引量：2: 2019年; 开展了InAs基InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格长波红外探测器的湿法腐蚀工艺研究.选择的腐蚀液由柠檬酸、磷酸和过氧化氢组成,先后在InAs、GaSb体材料和InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格上进行了湿法腐蚀实验,分别获得了其最佳的腐蚀液组分及配比.使用优化的磷酸系腐蚀液对InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格进行腐蚀,获得的腐蚀表面粗糙度仅为1nm.然后使用改进的工艺制备了50%截止波长为12μm的超晶格长波单元器件,实验结果表明磷酸系腐蚀液可以获得低暗电流密度的InAs基InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格长波红外探测器.另外,在81K下,该探测器的表面电阻率(ρSurface)为4.4×10^3Ωcm.; 吴佳徐志成陈建新何力; 关键词：SB

半导体异质结中的实空间转移: 2012年; 实空间转移的机理不同于k空间转移,因而受到了广泛关注。实空间转移效应的器件是一种新型的半导体器件,有众多其它器件达不到的优点,如响应时间可达到ps级别、可以实现负阻效应等。为深入的理解半导体异质结中的实空间转移对实空间转移效应的基本原理以及它在相应器件上的应用进行了研究,概述了国际上的相关研究方向和研究进展,并提出研究思路和技术方案。; 靳川陈建新陈振强; 关键词：负阻效应量子效应

320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器被引量：6: 2014年; 报道了320×256元In As/Ga SbⅡ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在Ga Sb衬底上生长超晶格材料,器件采用PBIN结构,红外吸收区结构为14 ML(In As)/7 ML(Ga Sb),焦平面阵列光敏元尺寸为27μm×27μm,中心距为30μm,通过刻蚀形成台面、侧边钝化和金属接触电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了320×256面阵长波焦平面探测器.在77 K温度下测试,焦平面器件的100%截止波长为10.5μm,峰值探测率为8.41×109cm Hz1/2W-1,盲元率为2.6%,不均匀性为6.2%,采用该超晶格焦平面器件得到了较为清晰的演示性室温目标红外热成像.; 许佳佳陈建新周易徐庆庆王芳芳徐志成白治中靳川陈洪雷丁瑞军何力; 关键词：长波红外探测器 INAS/GASB 焦平面阵列

Growth mechanism and optical properties of InGaAs/GaAsSb Su-perlattice structures: 2015年; In this paper,we report the growth of Ga As Sb and its crystalline property under various Sb2/As2 flux ratios and growth temperatures.We simulated the incorporation difference between Sb2 and As2 by using a non-equilibrium thermodynamic model.Our study of Ga As Sb growth has successfully yielded,high quality In Ga As/Ga As Sb Type II superlattice for which the optical properties were characterized by photoluminescence at different excitation power and temperature.A blue-shift in luminescence peak energy with excitation power was observed and was described by a non-equilibrium carrier density model.We measured and analyzed the dependences of peak energy and integrated intensity on temperature.Two thermal processes were observed from intensity dependent photoluminescence measurements.; JIN ChuanXU QingQingCHEN JianXin; 关键词：GAASSB 砷化铟镓 INGAAS

四层结构模型下的InAs/GaSb超晶格材料能带计算被引量：3: 2013年; 在包络函数近似下采用K.P理论计算了InAs/Ga(In)Sb Ⅱ类超晶格材料的能带结构.同时,计算了超晶格材料的电子有效质量和空穴有效质量,以及不同的结构对应的吸收系数.在此基础上使用了考虑包括界面在内的四层超晶格模型进行能带计算,并与实验结果进行比较,超晶格材料响应截止波长的结果更为接近实验值.不同的界面也会引起能带结构的变化,带来截止波长的变化.对于应变补偿的InAs/GaSb超晶格材料,非对称InSb界面相比对称界面有更大的截止波长.; 周易陈建新何力

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国家自然科学基金(61176082)