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北京市科委基金(Y0404013040211)
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陈庆永
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陈庆永
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电子元件与材...
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界面插入Cr层对NiFe/PtMn交换偏置的影响
用磁控溅射法制备了NiFe/PtMn双层膜, 研究了在界面加入少量的Cr对交换偏置场的影响。结果发现:在Pt成分较高时,界面加Cr对反铁磁层为临界厚度时的交换偏置场影响最大,增大了1.5倍,达到了最大值。XRD结果表明加...
梁珂
姜宏伟
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交换偏置
巨磁电阻
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热处理对NiP/CoNiP薄膜织构和磁性能的影响
2007年
用化学镀的方法制取了NiP/CoNiP薄膜并将样品进行真空热处理。用XRD、VSM、EDS等测试手段分析了热处理影响薄膜结构和磁性能变化的原因。结果发现,热处理使薄膜的结构发生了由α-Co向β-Co的同素异构转变;经热处理后晶粒尺寸长大到30 nm左右;经350℃热处理后薄膜的矫顽力升高到5.57×104 A/m;经400℃热处理后矩形比达到0.28。
张巧红
郑鹉
马亮
陈庆永
关键词:
电子技术
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