国家重点基础研究发展计划(2007CB935403)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 相关作者：林殷茵吴雨欣张佶金钢黄晓辉更多>>
- 相关机构：复旦大学中芯国际集成电路制造有限公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于0.13m标准逻辑工艺的1Mb阻变存储器设计与实现被引量：4
- 2011年
- 采用了SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计并实现了一个1 Mb容量的基于1T1R结构的阻变存储器。描述了整个芯片的基本存储单元、存储器架构以及特殊的电路设计技术,包括优化的存储器架构、用于降低reset功耗的多电压字线驱动、使电阻分布更紧凑的斜坡脉冲写驱动以及可验证的读取参考系统。芯片实现了22F2的存储单元特征尺寸,小于30μA的reset电流和2个数量级的可擦写次数的提高。
- 金钢吴雨欣张佶黄晓辉吴金刚林殷茵
- 新型阻变存储器内的电压解决方案
- 2011年
- 相对于现在流行的FLASH型存储器,新型阻变存储器(resistive-RAM,RRAM)有很多优势,比如较高的存储密度和较快的读写速度。而针对RRAM的读写操作特性,提出了一种适用于新型阻变存储器的提供操作电压的电路。该方案解决了新型存储器需要外部提供高于电源电压的操作电压的问题,使得阻变存储器能应用于嵌入式设备。同时,对工艺波动和温度波动进行补偿,从而降低了阻变存储器的读写操作在较差的工艺和温度环境下的失败概率,具有很强的实际应用意义。该设计采用0.13μm标准CMOS 6层金属工艺在中芯国际(SMIC)流片实现,测试结果表明,采用此电路的RRAM能正确地进行数据编程和擦除等操作,测试结果达到设计要求。
- 廖启宏吴雨欣林殷茵
- 关键词：电荷泵压控振荡器温度
- 一种NAND型三维多层1TXR阻变存储器设计
- 2010年
- 随着存储器市场逐渐受消费电子的驱动,对高密度低成本的存储需求正在不断增加。阻变存储器正在成为新型非挥发存储器的研究热点。提出一种适用于未来高密度应用的与非(NAND)型共享选通管的三维多层1TXR阻变存储器概念。在0.13μm工艺下,以一个使用8层金属堆叠的1T64R结构为例,其存储密度比传统的单层1T1R结构高500%。提出了相关的读写操作方法来防止由漏电流造成的误写和误读并且降低功耗。
- 张佶金钢吴雨欣林殷茵
- 关键词：可堆叠
