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广西大学科研基金(XBZ090951)

作品数:2 被引量:1H指数:1
相关作者:陈曜何鹏程丁玉丽更多>>
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相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单模
  • 1篇跑道
  • 1篇品质因数
  • 1篇微加工
  • 1篇各向同性
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇富硅氧化硅
  • 1篇高Q值

机构

  • 2篇广西大学

作者

  • 2篇陈曜
  • 1篇丁玉丽
  • 1篇何鹏程

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇广西大学学报...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
高Q值跑道型光学环腔的理论研究被引量:1
2013年
光学环腔因其高Q值的优点,在光传感及光通信领域有着重要的作用。品质因数(Q)是描述光学环腔性能的最重要参数。文中以提高Q值为出发点,重点研究硅基跑道型光学环腔中波导的间距与耦合系数的关系,以及自耦合和损耗因子对Q值的影响,并分析了工作在1.55μm波长下的跑道型环腔的Q值。采用有效折射率法,计算出直波导中的单模传输条件,消除了波导中多余峰值对Q值的影响。此外,利用光耦合模理论,通过控制有效耦合长度对耦合因子进行控制,在波导损耗为0.2 db/cm下得到105的Q值,仿真结果和理论计算一致。文中提出的跑道型结构具有较高的Q值,能被有效应用到光传感及光探测领域中。
陈曜丁玉丽何鹏程
关键词:品质因数单模
富硅氧化硅微盘的制备研究
2010年
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及高温退火工艺制备了富硅氧化硅(SRSO)薄膜材料。喇曼光谱仪探测表明,该材料具有较高的光致发光(PL)效率,并在750 nm波长处达到发光峰值。采用电子束光刻(EBL)及电感耦合反应离子刻蚀(ICP)技术在Si衬底上制备了基于富硅氧化硅材料的光学微盘结构。为防止Si衬底的光吸收,在反应离子刻蚀(RIE)系统中研究出一种各向同性的刻蚀工艺,有效使微盘与Si衬底分离。扫描电镜(SEM)探测表明,该工艺具有良好的尺寸控制及高稳定性。利用该工艺,成功制备了直径为4μm的富硅氧化硅微盘器件。
陈曜
关键词:富硅氧化硅光致发光各向同性微加工
共1页<1>
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