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具有量子修正功能的三维蒙特卡罗MOS器件模拟: 2006年; 为了处理纳米MOS场效应管的量子效应,在蒙特卡罗模拟中引入有效势量子修正,并提出了基于PC机群的三维并行模拟算法.每个节点应用多层网格法求解一个子区域内各网格点的Poisson方程,采用有效势法对各网格点进行量子修正,并跟踪模拟一组带电粒子的加速飞行和随机散射运动,使所有节点的负载始终保持平衡.模拟实例表明,引入有效势修正的蒙特卡罗模拟结果与薛定鄂方程计算结果吻合得较好,所提并行算法也具有较高的加速比.; 李尊朝蒋耀林饶元; 关键词：蒙特卡罗模拟 MOS场效应管量子效应

n维变时滞Lotka-Volterra系统周期正解的存在性被引量：3: 2009年; 基于非线性常微分方程泛函分析研究了一类变时滞n维非自治Lotka-Volterra系统周期正解的存在性,利用重合度理论建立了这类系统周期正解的存在性判据,得到了相应的充分性条件.同时对系统的持久性问题也作了分析,得到了相应的定理.最后,通过计算机仿真,对文中论述周期正解的存在性进行了佐证.; 王震蔺小林; 关键词：周期正解重合度理论 M矩阵

基于神经网络的纳米MOSFET反型层载流子密度量子更正: 2005年; 文章提出了基于Levenberg-MarquardtBP神经网络的MOSFET反型层载流子密度量子更正模型,对于较大氧化层厚度范围、Si层厚度范围、栅压范围和掺杂浓度范围的单栅以及双栅MOSFET,Si反型层各点的载流子量子密度都可以通过经典载流子密度进行快速预测,预测结果与Schrodinger-Poisson方程的平均相对误差不超过5%。; 李尊朝蒋耀林; 关键词：神经网络纳米MOSFET

非线性微分系统的动力迭代方法被引量：1: 2009年; 微分系统的动力迭代方法是求微分方程数值解的一种有效方法,对微分方程初值问题和边值问题给出了雅可比、高斯-赛德尔、SOR动力迭代格式,利用微分不等式和2-范数方法得到了非线性微分方程边值问题动力迭代格式所产生迭代序列收敛的一个新的充分性条件,该条件容易检验.; 蔺小林王玉萍王晓琴; 关键词：微分动力系统初值问题边值问题

Windowing Waveform Relaxation of Initial Value Problems: 2006年; 我们在场为动态系统的波形松驰的一种 windowing 技术。窗户长度上的一个有效评价被这里提供的反复的错误表情导出。如果一个人预先拿 windowing 技术，松驰过程能被加快。Numericalexperiments 被给进一步说明理论分析。; Yao-lin Jiang; 关键词：初始值问题

非对称Halo的异质栅SOI MOSFET阈值电压解析模型被引量：1: 2006年; 为了改善MOSFET的短沟道效应和驱动电流,首次提出了非对称Halo掺杂的异质栅SOIMOSFET结构,这种结构在沟道源端一侧注入浓度较高的杂质,再由具有不同功函数的两种材料拼接形成栅极.通过求解二维电势Poisson方程,建立了全耗尽器件表面势和阈值电压的解析模型.研究表明,该结构能有效抑制漏致势垒降低和热载流子效应,且在沟道长度小于100 nm条件下,阈值电压表现出明显的反短沟道特征,在Halo和栅材料界面附近的电场峰值使通过沟道的载流子的传输速度显著提高,解析模型与二维数值模拟软件MEDICI所得结果吻合度较高.; 李尊朝蒋耀林张莉丽; 关键词：异质栅阈值电压表面势

求解随机微分方程Heun法的稳定性被引量：11: 2008年; 研究了Heun法用于求解随机微分方程的稳定性,利用随机变量服从正态分布的性质,得到了在噪声为乘性噪声时,Heun法用于求解标量自治随机微分方程的均方稳定性、指数稳定性和T-稳定性的充要条件.; 王鹏飞殷凤蔺小林; 关键词：随机微分方程均方稳定 T-稳定性

基于神经网络的纳米MOSFET载流子密度量子更正(英文)被引量：1: 2006年; 为了处理纳米MOSFET载流子分布的量子效应,提出了基于Levenberg-Marquardt BP神经网络的量子更正模型,通过载流子的经典密度计算其量子密度,并对拥有不同隐层数和隐层神经元数的神经网络的训练速度和精度进行了研究.结果表明:含有2个隐层的神经网络具有高的训练速度和精度,但隐层神经元数对速度和精度的影响并不明显;对于单栅和双栅纳米MOSFET,其载流子量子密度可以通过神经网络进行快速计算,其结果与Schr dinger-Poisson方程的吻合程度很高.; 李尊朝蒋耀林张瑞智; 关键词：神经网络纳米MOSFET 电荷密度

异质栅非对称Halo SOI MOSFET(英文)被引量：1: 2007年; 为了抑制异质栅SOI MOSFET的漏致势垒降低效应,在沟道源端一侧引入了高掺杂Halo结构.通过求解二维电势Poisson方程,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压解析模型,并对其性能改进情况进行了研究.结果表明,新结构器件比传统的异质栅SOI MOSFETs能更有效地抑制漏致势垒降低效应,并进一步提高载流子输运效率.新结构器件的漏致势垒降低效应随着Halo区掺杂浓度的增加而减弱,但随Halo区长度非单调变化.解析模型与数值模拟软件MEDICI所得结果高度吻合.; 李尊朝蒋耀林吴建民; 关键词：异质栅 SOI 阈值电压解析模型

Subthreshold current model of fully depleted dual material gate SOI MOSFET: 2007年; Dual material gate SOI MOSFET with asymmetrical halo can suppress short channel effect and increase carriers transport efficiency. The analytical model of its subthreshold drain current is derived based on the explicit solution of two-dimensional Poisson's equation in the depletion region. The model takes into consideration the channel length modulation effect and the contribution of the back channel current component. Its validation is verified by comparision with two dimensional device simulator MEDICI.; 苏军李尊朝张莉丽

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