国家部委预研基金(513080302)
- 作品数：3 被引量：22H指数：3
- 相关作者：杨银堂柴常春丁瑞雪刘红霞宋久旭更多>>
- 相关机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家部委预研基金教育部科学技术研究重点项目西安应用材料创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究被引量：12
- 2008年
- 采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算,结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底,随着掺杂浓度的增加,导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动,导带底移动速度要大于价带顶,导致禁带宽度减小.
- 宋久旭杨银堂柴常春刘红霞丁瑞雪
- 关键词：掺氮电子结构第一性原理计算
- 6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析被引量：3
- 2007年
- 考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应,对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正,分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因.结果表明:界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小;漏衬界面缺陷是造成体漏电流较大(达到微安量级)的主要因素,且缺陷密度越大,该值随温度增长的速度越快.
- 韩茹杨银堂
- 关键词：补偿电流源
- 4H-SiC在Cl_2+Ar混合气体中的ICP刻蚀工艺研究被引量：7
- 2006年
- 采用Cl2+Ar作为刻蚀气体进行了单晶4H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺研究,分析了气体流量、气体混合比、反应室压力I、CP功率等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响.得到的最大蚀速率为194 nm/min,表面均方根粗糙度为1.237 nm,Cl/Si原子浓度比约为0.97%∶99.3%。
- 贾护军杨银堂柴常春李跃进
- 关键词：刻蚀感应耦合等离子体刻蚀速率
