年山西省研究生优秀创新项目(20093096)
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
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- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 衬底负偏压对Ni-Mn-Ga形状记忆薄膜成分及形貌的影响被引量：1
- 2011年
- 采用能谱仪（EDS）和原子力显微镜（AFM）对不同衬底负偏压下射频磁控溅射法制备的Ni—Mn-Ga形状记忆薄膜进行了成分和形貌的分析。研究发现：当衬底负偏压在5～30V范围变化时，薄膜中的Ni含量随偏压的增加呈先减少后增加的趋势，在偏压为10V时，达到最小值52．84％（摩尔分数，下同）.Ga含量的变化趋势恰好与Ni相反，且在偏压为10V时达到最大值29．85％，而Mn含量变化不大，保持在17．00％左右；薄膜呈典型岛状（Volmer-Weber）模式生长，表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随衬底负偏压的增加而减小。
- 杨利斌柴跃生张敏刚陈峰华张凯
- 关键词：NI-MN-GA
- Ni-Mn-Ga铁磁性形状记忆薄膜研究进展
- 2010年
- Ni-Mn-Ga合金兼有铁磁性和形状记忆效应,有望成为继压电陶瓷和磁致伸缩材料之后的新一代驱动与传感材料。但是由于合金脆性较大,难以切割,限制了其在微机电系统中的应用。系统阐述了薄膜的化学成分、组织结构、相转变、形状记忆效应及其影响因素,指出目前Ni-Mn-Ga合金薄膜研究中,各个元素对性能影响的探索存在不足,制备出的薄膜主要存在磁性能、磁致应变量偏低以及磁致形状记忆效应不可逆等缺点。可以通过调整薄膜化学成分、热处理工艺、膜厚或者元素替换来提高薄膜的性能。
- 陈峰华张敏刚柴跃生张真真
- 关键词：铁磁性形状记忆效应相转变
- 掺杂元素对Ni-Mn-Ga合金结构与性能的影响
- 2011年
- Ni-Mn-Ga合金是一种新型的智能材料,兼具铁磁性和形状记忆效应的双重优点,以对磁场的快速响应和大的宏观可恢复应变的特点有望成为传感器和驱动器的候选材料。通过掺入金属元素可以弥补该合金马氏体相变温度低、脆性大的不足。综述了掺杂元素对合金结构、相变温度、力学性能、形状记忆效应的影响,并提出了需要深入研究的问题。
- 张真真张敏刚陈峰华柴跃生
- 关键词：NI-MN-GA合金形状记忆效应
- Mo衬底厚度对Ni-Mn-Ga形状记忆合金薄膜形貌及磁性能的影响
- 2013年
- 采用射频磁控溅射法制备不同厚度Mo衬底的Ni-Mn-Ga薄膜，采用扫描电子显微镜（FE-SEM）、原子力显微镜（AFM）、磁力显微镜（MFM）、振动样品磁强计（VSM）以及X射线衍射仪（XRD）对其形貌及磁性能进行观测和分析。实验发现，制备的Mo衬底Ni-Mn-Ga薄膜经退火后为T型马氏体结构，且当Mo衬底厚度在0-200nm范围内变化时，其饱和磁化强度及居里温度呈现先减小后增大的趋势。当Mo衬底厚度约为100nnl时饱和磁化强度和居里温度具有最低值。薄膜表面颗粒直径随着Mo厚度的增大而减小，但在Mo厚为100nm时出现增大。
- 熊杰张敏刚柴跃生陈峰华张海杰
- 关键词：表面形貌磁性能
- 射频磁控溅射功率对Ni-Mn-Ga薄膜成分与形貌的影响
- 2011年
- 采用射频磁控溅射镀膜技术在P型Si(100)基片上沉积Ni-Mn-Ga薄膜。实验结果表明,射频溅射功率对Ni-Mn-Ga薄膜成分与形貌有显著地影响。Ni含量随溅射功率的升高呈先增加后减少的趋势,Mn含量呈先减少后增加的趋势,Ga含量几乎呈线性减少的趋势。薄膜的价电子浓度(e/a)变化较小。参考英国国家物理实验室数据中有关Ar气对不同元素溅射产额数据,对薄膜成分偏离进行理论分析。
- 陈峰华张敏刚柴跃生张真真
- 关键词：射频磁控溅射薄膜形貌
- Ni-Mn-Ga磁控溅射靶材合金制备及性能
- 2011年
- 根据Ni-Mn-Ga合金靶材在磁控溅射过程中各元素溅射产额和靶材成分的不同,对薄膜成分的影响进行了分析,从而制备了马氏体转变温度高于室温的Ni55Mn24.5Ga20.5靶材。针对目前没有标准的Ni-Mn-Ga马氏体PDF卡片,使用模拟结合已有文献的方法对制备的合金X射线衍射峰进行标定。由于差示扫描量热仪(DSC)不容易对薄膜进行相转变温度测定,提出了利用马氏体与母相磁性能的磁矩与温度(M-T)曲线来测定薄膜的相转变温度,并对合金进行了验证。居里温度约为450K的合金的制备,为进一步探索薄膜成分对磁性能的影响提供了实验依据。
- 陈峰华张敏刚柴跃生杨利斌熊杰
- 关键词：相变温度磁控溅射
