高等学校全国优秀博士学位论文作者专项资金(200330)
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
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- 纳米Al薄膜表面形貌与导电性的分形表征被引量：5
- 2006年
- 磁控溅射法在Si(111)基底上制备了纳米Al薄膜,用高度相关函数法对薄膜的原子力显微镜图像进行分形维计算,并用四点探针法测量了薄膜电阻.结果表明,随着溅射时间的延长,薄膜表面质量提高,分形维增大,电阻率也随着分形维的增大而增大;随着退火温度的上升,薄膜表面质量下降,分形维和电阻率也随之降低.因此认为,分形维能够较好的表征薄膜表面形貌,分形维与薄膜电阻率存在对应关系,并指出用分形维可以优化溅射工艺参数.
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- 关键词：分形表面形貌电阻率
- 热处理对GeSb_2Te_4薄膜微观结构及其摩擦性能的影响被引量：3
- 2006年
- 利用射频溅射法制备了GeSb2Te4薄膜并对其进行热处理,分析热处理前后样品的结晶情况,用纳米硬度计测定硬度,利用静电力显微镜表征样品的表面电势,采用原子力显微镜观察薄膜表面形貌,利用侧向力显微镜对比考察了在考虑相对湿度的情况下,热处理前后GeSb2Te4薄膜的粘附力和摩擦性能.结果表明:经过退火的沉积态GeSb2Te4薄膜发生从非晶相到fcc亚稳相再到hex稳定相转变;粘附力与表面粗糙度之间没有明显的对应关系,但与样品表面自由能和表面电势有一定关系;在低载荷下GeSb2Te4薄膜的摩擦力很大程度上受粘附力支配,而在高载荷下的摩擦力受犁沟影响显著;经过340℃退火GeSb2Te4薄膜由于具有层状结构,呈现出一定的润滑作用.
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- 关键词：粘附力
- GeSb_2Te_4薄膜表面形貌及力学性能的分形表征
- 2006年
- 以不同溅射功率在Si(111)基底上制备了GeSb2Te4薄膜。用原子力显微镜和X射线衍射仪以及高度相关函数法分析了薄膜生长表面形貌的分形维,并用纳米硬度计研究了薄膜表面的力学性能。结果表明,随着溅射功率增大,薄膜表面质量提高,分形维增大,且硬度和弹性上升;但超过一定值后,薄膜表面质量又会降低,分形维也随之减小,硬度和弹性下降。并指出借助分形维数可以优化溅射工艺参数,并能够较好地表征薄膜表面力学性能。
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- 关键词：分形表面形貌力学性能
- 用侧向力显微镜对不同非晶态GeSbTe薄膜的摩擦性能研究
- 2005年
- 采用侧向力显微镜研究了磁控溅射方法制备的G eSbT e薄膜在大气环境中的纳米级摩擦性能,考虑了相对湿度、扫描速度及表面粗糙度对其摩擦性能的影响,对比不同成分的G eSbT e薄膜的摩擦特性.结果表明:在相对湿度较大时,扫描速度对针尖和G eSbT e薄膜之间的摩擦力影响很大;在其它条件相同、外加载荷较大时,同一载荷下的摩擦力与表面粗糙度呈线性关系,但在外加载荷较小的情况下,二者呈现非线性变化规律;相对湿度对G e2Sb2T e5薄膜和针尖的粘附力影响较G eSb2T e4薄膜弱,且粘附力使得摩擦系数减小;在同一相对湿度下,由于薄膜成分的变化导致硬度不同,其对薄膜的摩擦性能也有一定影响.
- 解国新丁建宁范真付永忠朱守星
- 关键词：粘附
