浙江省科技计划项目(2008C31031)
- 作品数：4 被引量：18H指数：2
- 相关作者：席珍强张亚萍张瑞丽张秀芳孙法更多>>
- 相关机构：浙江理工大学浙江机电职业技术学院更多>>
- 发文基金：浙江省科技计划项目浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程电气工程一般工业技术更多>>
- PECVD法制备碳化硅薄膜的减反射性能研究被引量：5
- 2010年
- 利用正交实验方法,探讨PECVD法制备碳化硅薄膜沉积参数变化对其减反射性能的影响,并进一步研究不同沉积参数对薄膜沉积速率和折射率的影响规律。结果表明,沉积参数中衬底温度是影响碳化硅薄膜减反射性能的主要因素;薄膜的生长速率随着衬底温度和硅烷与甲烷流量比的升高而降低,并且薄膜的折射率随衬底温度的升高而增大,但气体流量比对折射率的影响不大。
- 张瑞丽杜红文张亚萍杜平凡问明亮张秀芳席珍强
- 关键词：PECVD碳化硅薄膜正交实验
- 抛光前Si(100)单晶片表面粗糙度的研究
- 2010年
- 采用光学显微镜、原子力显微镜和表面轮廓仪等测试方法系统研究了温度和NaOH浓度对Si（100）单晶片表面粗糙度的影响，结果表明：低温下，硅片表面的缺陷和损伤引起的局部腐蚀速率较大，是造成硅片表面粗糙度大的主要原因；而高温下温度的影响大于表面缺陷和损伤的影响，局部腐蚀速率差减小，硅片表面较为平整。另外，硅片在质量分数为20％～30％的NaOH溶液中腐蚀后粗糙度较小，是因为硅片在此浓度范围的腐蚀液中腐蚀速率较快，而浓度较高时腐蚀速率反而变慢的缘故。
- 张秀芳杜红文张瑞丽张亚萍孙法席珍强
- 关键词：表面粗糙度温度
- 快速热处理对氮化硅减反射性能的影响
- 2009年
- 采用快速热处理对电池片表面非晶氮化硅膜进行不同温度和不同时间热处理退火比较,研究退火对薄膜减反射性能的影响。结果显示:随着快速热处理温度的升高,其达到较优减反射性能所需的热处理时间缩短;当热处理温度高于800℃时,其减反射性能普遍变差;得出较优的热处理方案为退火温度750℃,退火时间10 s,其加权平均反射率为1.59%。
- 徐敏杜平凡姚剑王龙成席珍强
- 关键词：氮化硅
- 锗单晶材料的生长与应用被引量：13
- 2009年
- 锗单晶材料由于独特的性能而被广泛应用于微电子技术、红外技术、核探测、太阳电池等多个领域。简要介绍了直拉生长的工艺及特点，无位错直拉锗单晶的生长与现状，以及锗单晶材料在不同领域的应用和发展。
- 张亚萍席珍强张瑞丽张秀芳孙法
- 关键词：锗单晶直拉法
