吉林省科技发展计划基金(201201116)
- 作品数：6 被引量：14H指数：2
- 相关作者：方芳方铉王晓华魏志鹏李金华更多>>
- 相关机构：长春理工大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所南昌大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金吉林省科技发展计划基金高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）被引量：2
- 2016年
- 研究通过等离子增强原子层沉积（PEALD）在不同沉积温度下生长的A1N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA，在300oC、350oC和370oC沉积温度下分别沉积了200、500、800、1000、1500周期的A1N层，并讨论了A1N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明，在300—370℃范围内，随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加，而薄膜表面粗糙度减小。
- 陈芳方铉王双鹏牛守柱方芳房丹唐吉龙王晓华刘国军魏志鹏
- 关键词：氮化铝生长速率结晶化沉积温度
- 表面修饰的ZnS：Mn量子点的发光性质及其对生物分子的检测被引量：7
- 2013年
- 采用水热法制备了ZnS:Mn量子点,探讨了掺杂离子浓度对ZnS:Mn量子点的晶体结构和发光性质的影响。通过荧光光谱对样品进行表征。结果表明:掺杂离子的摩尔分数达到2%时,ZnS:Mn量子点在595 nm附近的发光最强;继续增加掺杂浓度反而出现荧光猝灭的现象。本文还研究了表面修饰对量子点形貌和发光性质的影响。通过透射电子显微镜(TEM)观察样品的形貌,发现经过3-巯基丙酸(MPA)修饰后的样品表面团聚现象得到改善,并且尺寸单一、单分散性较好,平均粒径约为5 nm。经过修饰后的样品减少了表面非辐射性缺陷中心,使掺杂Mn2+所引起的595 nm附近的发射峰强度增大。将MPA修饰后的ZnS:Mn量子点与牛血清白蛋白(BSA)分子进行生物偶联,并利用BCA法对偶联上的蛋白含量进行定量检测,结果显示经过修饰后的量子点偶联蛋白的能力更强。
- 杜鸿延魏志鹏李霜楚学影方铉方芳李金华陈新影王晓华
- 关键词：ZNSMN表面修饰发光
- 扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究被引量：1
- 2015年
- 采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响P扩散掺杂的重要因素,低温PL光谱中,700℃热退火1h样品的光谱展现出四个与受主相关的发射峰:3.351,3.311,3.246和3.177eV,分别来自受主束缚激子的辐射复合(A°X)、自由电子到受主的发射(FA)、施主受主对的发射(DAP)以及施主受主对的第一纵向声子伴线(DAP-1LO),计算得到受主束缚能为122meV,与理论计算结果一致。通过热扩散方式实现了ZnO薄膜的p型掺杂,解决了制约ZnO基光电器件发展的主要问题,对ZnO基半导体材料及其光电器件的发展有重要意义。
- 陈芳房丹王双鹏方铉唐吉龙赵海峰方芳楚学影李金华王菲王晓华刘国军马晓辉魏志鹏
- 关键词：P型ZNO原子层沉积光致发光
- 柔性衬底上ALD法低温制备的ZnO薄膜的光学和电学特性(英文)被引量：2
- 2012年
- 以二乙基锌和水分别作为金属前驱体和反应物,利用原子层沉积方法(ALD)在柔性衬底上生长ZnO薄膜,讨论了生长温度对薄膜特性的影响。用AFM、XRD和HALL等对薄膜的表面形貌、晶体结构和电学性质进行表征,并且用PL光谱表征了其光学特性。实验结果表明,随着生长温度(低温下)的升高,薄膜的晶体质量和光学特性得到改善。当生长温度为170℃时,薄膜呈现良好的c轴择优取向,且具有较高的电子浓度(5.62×1019cm-3)和电子迁移率(28.2 cm2·V-1·s-1)。
- 李晓妮方芳方铉陈新颖魏志鹏李金华楚学影王晓华
- 关键词：ZNOALD生长温度柔性衬底
- 以PVP纳米纤维为模板采用原子层沉积法制备MgxZn(1-x)O纳米纤维及其光学性质研究被引量：1
- 2014年
- 采用静电纺丝方法制备聚乙烯吡咯烷酮(PVP)纳米纤维,并以其为模板采用原子层沉积(ALD)方法制备不同Mg掺杂浓度的MgxZn1-xO纳米纤维。研究了不同Mg掺杂浓度对复合纳米纤维结构和光学性质的影响。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、光致发光(PL)和紫外-可见光(UV-Vis)吸收谱对样品测试并进行表征分析。结果表明,Mg元素的掺入并没有改变ZnO纳米纤维的形貌,所有样品的表面形貌极其相似,只是掺杂后纤维直径有所增大;随着Mg掺杂浓度的增加吸收边逐渐发生蓝移,表明所制备MgxZn1-xO纤维的带隙具有可调节性。与此同时,在PL谱中可以观察到样品的紫外(UV)发光峰从377nm移动至362nm,且与不掺杂的样品相比,MgxZn1-xO纳米纤维的UV发光强度明显增强。通过这种方法可以合成组分可控的MgxZn1-xO纳米纤维。在ZnO中掺入Mg元素可以有效地提高ZnO-PVP纳米纤维的禁带宽度以及UV发射强度。
- 贾慧民唐吉龙方铉王双鹏赵海峰房丹王晓华方芳李金华楚学影魏志鹏马晓辉徐莉
- 关键词：PVP纳米纤维静电纺丝ALD
- MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层透明导电薄膜的制备及光电性质研究被引量：1
- 2014年
- 采用操作简单的溶胶-凝胶法和射频磁控溅射法在石英衬底上分别制备了MgxZn1-xO薄膜和MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的透明导电薄膜并对样品进行退火处理。利用紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪、光致发光、霍尔效应测试对在不同退火温度下薄膜的晶体结构、光学和电学性质进行表征分析,并研究退火温度对其影响。测试结果表明:所制备的薄膜样品均具有良好的c轴(c-axis)取向并呈现出六角纤锌矿结构。Mg组分的增加使得ZnO基薄膜的光学带隙逐渐增大,PL发光谱和吸收光谱的谱线出现了明显的蓝移现象,但薄膜的电学特性有所降低。而在MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的薄膜样品中,Au夹层的存在使薄膜的光学性质变差,在紫外区域透光率约为60%。但薄膜的电学性质得到明显改善,相比MgxZn1-xO薄膜,其电阻率和迁移率显著提高。此外通过高温退火处理可以有效提高所制备薄膜的晶体质量,进一步提高样品电学特性,其中经过500℃退火后的薄膜迁移率达到了40.9cm2·Vs-1,电阻率为0.005 7Ω·cm。但随着退火温度的进一步升高,薄膜晶体尺寸从25.1nm增大到32.4nm,从而降低了该薄膜的迁移率。因此该夹层结构的MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO薄膜对于促进ZnO基透明导电薄膜在深紫外光学器件中的应用有重要作用。
- 吕珊珊方铉王佳琦方芳赵海峰楚学影李金华房丹唐吉龙魏志鹏马晓辉王晓华浦双双徐莉
- 关键词：溶胶-凝胶退火温度
