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铕配合物Eu(UVA)3Phen与PVK掺杂体系发光特性的研究被引量：1: 2011年; 将一种新型稀土铕配合物Eu(UVA)3Phen作为掺杂剂与基质PVK按不同质量比进行掺杂,对混合薄膜的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性进行了研究。实验结果表明,共掺杂体系中存在从PVK到Eu(UVA)3Phen的F rster能量传递。通过优化主客体材料的配比浓度,当掺杂浓度为4%时,得到了色纯度较好地红光器件。; 孙钦军徐征赵谡玲张福俊高利岩; 关键词：铕配合物光致发光电致发光

量子阱结构对有机电致发光器件效率的影响被引量：2: 2010年; 实验中共制备了五种有机量子阱结构电致发光器件,分别对这五种量子阱结构器件的电致发光特性进行了研究,分析了量子阱结构的周期数和势垒层的厚度对器件电学性能的影响.实验结果表明适当周期数的量子阱结构器件的亮度和电流效率比传统的三层结构器件的要大,主要原因是量子阱结构对电子和空穴的限制作用,这种限制作用提高了电子和空穴在发光层中形成激子和复合的概率,从而提高了发光的亮度和效率.当改变阱结构器件中势阱层的厚度时,也会对器件的亮度和效率产生影响,采用适当的势阱层厚度能够提高器件的亮度和效率.; 朱海娜徐征赵谡玲张福俊孔超闫光龚伟; 关键词：量子阱结构电致发光电流效率光谱

最小二乘拟合计算有机薄膜晶体管迁移率的研究被引量：7: 2010年; 本文通过制备了一个基于并五笨为有源层的顶栅底接触OTFT器件获取电流电压实验数据,并运用电流电压特性曲线理论拟合计算方法计算其场效应迁移率.研究发现,采用不同的拟合方法得到的场效应迁移率值有较大的差异.若选取转移特性曲线线性区距中心1/2范围内测试点进行最小二乘拟合计算出的场效应迁移率能减少采用其他拟合方法的固有不准确性,而且与其他方法得到的场效应迁移率最接近.; 陈跃宁徐征赵谡玲孙钦军尹飞飞董宇航; 关键词：最小二乘拟合场效应迁移率有机薄膜晶体管

退火处理提高P3HT:PCBM聚合物太阳能电池光伏性能被引量：17: 2011年; 利用旋转涂膜方法制备了以P3HT:PCBM为有源层的聚合物太阳能电池,器件结构为ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Al(氧化铟锡导电玻璃/聚二氧乙基噻吩:聚对苯乙烯磺酸/聚三已基噻酚:富勒烯衍生物/铝),研究了退火温度对聚合物太阳能电池性能的影响.实验发现:聚合物薄膜经过120°C退火10min处理后,开路电压(Voc)达到0.64V,短路电流密度(Jsc)为10.25mA·cm-2,填充因子(FF)38.1%,光电转换效率(PCE)达到2.00%.为了讨论其内在机制,对不同退火条件下聚合物薄膜进行了各种表征.从紫外-可见吸收光谱中发现,退火处理使P3HT在可见光范围内吸收加强且吸收峰展宽,特别是在560和610nm处的吸收强度明显增大;X射线衍射(XRD)结果表明,120°C退火后P3HT在(100)晶面上的衍射强度是未退火薄膜的2.8倍,有利于光生载流子的输运;原子力显微镜(AFM)研究结果表明,退火显著增大了P3HT与PCBM的相分离程度,提高了激子解离的几率;傅里叶变换红外(FTIR)光谱验证了退火并没有引起聚合物材料物性的变化.; 卓祖亮张福俊许晓伟王健卢丽芳徐征; 关键词：聚合物太阳能电池激子光电转换效率退火处理

高分子有机场效应晶体管中半导体薄膜结晶行为及微观结构变化的研究被引量：2: 2011年; 为了探索高分子有机场效应晶体管(OFET)中高分子自组织机理与电荷传输的关联性,采用同步辐射掠入射X射线衍射技术研究了高分子OFET中以高度区域规则的聚(3-己基噻吩)(RR-P3HT)为代表的半导体层的结晶行为及微观结构组织变化,及其引起的高分子半导体电荷传输机理.研究发现,采用自组装单分子层(SAMs)技术进行界面修饰,可以完善绝缘层与RR-P3HT半导体层之间的界面效果.SAMs的形成改善了界面,可以有效地控制上层RR-P3HT半导体层的结晶性及微观结构,使较多的噻吩环面垂直于衬底、得到π-π堆积方向平行于衬底的二维微晶粒薄片结构,这种微观结构有效地形成了二维共轭电荷传输通道,完善了在RR-P3HT工作层生长过程中的自组织机理;并且对于RR-P3HT半导体工作层来说,慢速生长过程比快速生长过程更有利于有效的二维共轭微晶粒薄片生长,更能完善RR-P3HT工作层生长过程中的自组织机理.; 田雪雁赵谡玲徐征姚江峰张福俊贾全杰陈雨樊星龚伟; 关键词：微观结构

Research on the electrical characteristics of an organic thin-film field-effect transistor based on alternating-current resistance: 2011年; In this article, an organic thin-film field-effect transistor （OTFFET） with top-gate and bottom-contact geometry based on pentacene as the active layer is fabricated. The experimental data of the I-V are obtained from the OTFFET device. The alternating-current （AC） resistance value of the OTFFET device is calculated using the derivation method from the experimental data, and the AC resistance trend curves of the OTFFET device are obtained with the region fitting method. We analyse the characteristics of the OTFFET device with an AC resistance trend curve. To discover whether it has a high resistance, it is proposed to judge the region of the source/drain voltage （VDs） less than the transition voltage, thereby determining whether the contact between the metal electrode and the organic semiconductor layer of the OTFFET device is Ohmic or non-Ohmic. The theoretical analysis shows that the field-effect mobility and the AC resistance are in reverse proportion. Therefore, we point out that reducing AC resistance is necessary if field-effect mobility is to be improved.; 陈跃宁徐征赵谡玲尹飞飞张成文焦碧媛董宇航

有机溶剂对太阳能电池银浆丝网印刷影响的研究被引量：2: 2012年; 分别以不同比例的松油醇混合相同质量的银浆(9组),在流畅、无断栅虚印等不良状况的前提下进行丝网印刷、烧结,得出不同高宽比的印刷栅线及相应电性能参数。引入丝网印刷产能计算公式评价各组优劣情况,以获得最优实验组。实验证明有机溶剂的添加对银浆粘度有着灵敏的调节作用。随着添加溶剂质量分数的增大,银浆粘度逐渐降低,以此提高了印刷速度,但速度存在峰值,即溶剂用量必须维持在特定的范围内,才能在保证单片电性能的同时通过提高印刷流畅性获得更大的产能。; 王庆伟徐征赵谡玲胡盛华; 关键词：物理化学太阳能电池有机溶剂松油醇

有机绝缘层材料聚(4-乙烯基苯酚)喷墨打印工艺研究被引量：4: 2012年; 通过压电喷墨打印方式在氧化铟锡(ITO)玻璃上直接图案化打印聚(4-乙烯基苯酚)(PVP),研究了不同浓度PVP的电学特性,从电容、漏电流、击穿场强几个方面进行了分析。结果表明,采用打印方式得到的PVP绝缘层在0～40V的外加电压下,漏电流密度在10-11～10-8 A/cm2范围内,为打印方式制备高性能交联PVP(CL-PVP)介电层提供了必要的参考。; 何慧王刚赵谡玲刘则侯文军代青徐征; 关键词：喷墨打印有机薄膜晶体管绝缘层

水溶性CuPc旋涂转速及退火方式对蓝色有机电致发光器件性能的影响被引量：2: 2011年; 本文以Be(PP)2为发光层、水溶性酞菁铜(WS-CuPc)为空穴注入层、NPB为空穴传输层,制备了结构为ITO/WS-CuPc/NPB/Be(PP)2/LiF/Al的蓝色有机发光二极管(OLEDs).研究了WS-CuPc不同旋涂转速对器件性能的影响.并在WS-CuPc最佳旋涂转速的基础上,进一步研究了WS-CuPc薄膜不同退火方式对器件性能的影响.实验中,对WS-CuPc层采用了一种新的退火方式,即对ITO玻璃衬底先加热后旋涂WS-CuPc层,并与传统退火方式及不经过退火处理的器件性能进行了比较,通过原子力显微镜(AFM)分析了不同处理方式对WS-CuPc薄膜表面形貌的影响.实验结果发现:WS-CuPc的最佳旋涂转速为3000r/min.在最佳旋涂转速的基础上,对WS-CuPc薄膜采用新退火方式得到的薄膜粗糙度比较小,器件性能最好.; 高利岩赵谡玲徐征张福俊孙钦军张天慧闫光徐叙瑢

高分子有机场效应晶体管中退火引起的自组织微观结构变化的研究: 2011年; 为了进一步洞悉高分子薄膜自组织机理和高分子有机场效应晶体管(OFET)载流子迁移率之间的直接关联性,本工作采用先进的同步辐射掠入射X射线衍射(GIXRD)技术,研究了高分子OFET中高分子半导体高度区域规则的聚(3-己基噻吩)(RR-P3HT)工作层薄膜,由不同退火温度所导致的薄膜自组织微观结构的变化.GIXRD测试实验结果显示了,对于不同高分子薄膜制备方法(旋涂法及滴膜法)及不同溶液浓度(RR-P3HT溶液浓度为2.5mg/ml及3.5mg/ml)制备的RR-P3HT有机半导体工作层,在氮气气氛下,经过150℃热退火后,形成的噻吩环面垂直于基底,π-π堆积方向平行于衬底二维微晶粒薄片结构较多,微晶粒薄片的晶粒结构较好,有利于载流子的传输.GIXRD测试实验结果也验证了,一个合适的退火处理,将更有利于这个自组织过程中"edge-on"的微晶粒薄片结构的形成,结果将导致高分子OFET中场效应迁移率的提高.; 田雪雁赵谡玲徐征姚江峰张福俊贾全杰陈雨龚伟樊星; 关键词：自组织退火

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