国家自然科学基金(11175229)
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
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- p-GaN栅结构GaN HEMT的场板结构研究被引量：1
- 2013年
- 对具有不同的栅极场板结构的p-GaN栅高迁移率晶体管(HEMT)器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了仿真。仿真结果表明,具有p-GaN栅的GaN HEMT器件阈值电压为1.5 V。采用栅极场板能缓解电场的集中程度,当场板长度为5μm时,器件击穿电压达到1 100 V。间断型栅极场板能在场板间隙中产生新的电场峰值,更充分地利用漂移区耐压,器件的击穿电压可达到1 271 V。栅极场板与AlGaN势垒层的距离影响场板对漂移区电场的调控作用,当栅极场板下方介质层厚度为0.24μm时,器件的击穿电压可达1 255 V。
- 王立东王中健程新红万里
- 关键词：ALGAN击穿电压
- PEALD HfO_2栅介质薄膜的界面优化及其特性表征
- 2013年
- 采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜。为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了原位的氧等离子体和氨等离子体预处理,高分辨透射电子显微镜被用来表征HfO2薄膜和界面层的厚度及形态。当氧等离子体和氨等离子体的功率分别为75 W和150 W时,界面层的生长得到了有效控制,厚度为0.83 nm,X射线光电子能谱分析表明该界面层主要由具有较高介电常数的HfSiON组成。MIS电容被用来研究HfO2薄膜的电学特性,当HfO2薄膜物理厚度为3 nm时,等效栅氧厚度为1.04 nm,电容回滞大小为35.8 mV。漏电特性曲线显示,在距离平带电压为1 V的位置处,漏电流密度仅为0.64!A/cm2。
- 徐大伟程新红曹铎郑理万文艳俞跃辉
- 关键词：等离子体预处理氧化铪
- 栅源双场板对GaNHEMT器件性能的影响
- 2014年
- 本文对具有不同的栅源双场板结构的p-GaN栅HEMT器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了分析。仿真结果显示:栅源复合场板结构能改善栅场板边缘的电场峰值,在源极场板边缘产生一个新的峰值,可使器件的击穿电压提高到1365V;间断栅场板与源场板复合结构,能在场板间隙位置产生新的电场峰值,更充分的利用漂移区耐压,使其击穿电压值达到1478V;栅源复合间断场板结构能缓解源场板对栅间断处电场峰值的抑制作用,器件击穿电压提高到最大值1546V。
- 王立东王中健程新红万里
- 关键词：击穿电压
