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中国科学院西部之光基金(2005ZD01)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：梅书刚王警卫汪韬吴雷学景争更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院研究生院长安大学更多>>
发文基金：中国科学院西部之光基金西安应用材料创新基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇界面层
  • 1篇晶格
  • 1篇INAS/G...
  • 1篇MOCVD生...
  • 1篇表面形貌
  • 1篇超晶格
  • 1篇超晶格材料

机构

  • 1篇长安大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 1篇尹飞
  • 1篇李晓婷
  • 1篇景争
  • 1篇吴雷学
  • 1篇汪韬
  • 1篇王警卫
  • 1篇梅书刚

传媒

  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响被引量：2
2009年
采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料,在77K下得到光致发光谱峰值波长为3.25μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响,得出生长温度在500℃～520℃,无过渡层,使用InAsSb界面层有利于改善材料的表面形貌.
吴雷学汪韬王警卫李晓婷景争尹飞梅书刚
关键词：超晶格界面层表面形貌
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