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四川省青年科技基金(09ZQ026-029)
作品数:
1
被引量:1
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杨定宇
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张海波
王治国
朱兴华
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2010
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C/SiC纳米管异质结电子结构的第一性原理研究
被引量:1
2010年
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对扶手椅型(4,4)和(6,6)及锯齿型(8,0)和(10,0)C/SiC纳米管异质结的电子结构进行了研究.结果表明两类异质结结构都表现为半导体特性.扶手椅型纳米管异质结形成了Ⅰ型异质结,电子和空穴都限制在碳纳米管部分.锯齿型纳米管异质结中价带顶主要分布在碳纳米管部分及C/SiC界面处,而导带底均匀分布在整个纳米管异质结上.这两种异质结结构在未来纳米器件中具有潜在的应用价值.
朱兴华
张海波
杨定宇
王治国
祖小涛
关键词:
第一性原理
电子结构
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