上海市科委纳米专项基金(0352nm014)
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
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- 夹心结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究被引量：2
- 2006年
- 采用MEMS技术在玻璃基片上制备了夹心结构FeNi／Cu／FeNi多层膜，并在1～40MHz范围内研究了它的巨磁阻抗效应。纵向巨磁阻抗效应先随着外加磁场的增大而迅速增加，在某一磁场下达到最大值后随磁场的增加而逐渐减小。在频率为5MHz时，Hext为0．8kA／m时巨磁阻抗效应最大值达到32．06％。另外，夹心结构多层膜表现出较大的负巨磁阻抗效应，在频率5MHz，Hext=9．6kA／m时，负最大巨磁阻抗效应可达-24．50％。
- 商干兵周勇余先育丁文周志敏曹莹
- 关键词：巨磁阻抗效应MEMS技术
- 三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究被引量：2
- 2006年
- 采用MEMS技术在玻璃基片上制备了三明治结构FeNi／Cu／FeNi多层膜，在1—40MHz范围内研究了FeNi／Cu／FeNi多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场日。施加在薄膜的长方向时，巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加，在某一磁场下达到最大值，然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。在频率为5MHz时，巨磁阻抗效应在磁场以：800A／m时达到最大值26．6％。巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关。另外，当磁场施加在薄膜的短方向时，薄膜表现出负的巨磁阻抗效应，在频率5MHz、磁场Ha=9600A／m时，巨磁阻抗效应可达-15．6％。
- 周勇丁文曹莹商干兵周志敏高孝裕余先育
- 关键词：巨磁阻抗效应MEMS技术
- 采用MEMS技术制作的螺线管电感(英文)被引量：1
- 2005年
- 采用微机电系统技术制作了螺线管电感.为了获得高电感量和Q值,采用UV-LIGA、干法刻蚀、抛光和电镀技术,研制的电感大小为1500μm×900μm×70μm,线圈匝数为41匝,宽度为20μm,线圈之间的间隙为20μm,高深宽比为3.5∶1.测试结果表明电感量最大值为6.17nH,Q值约为6.
- 高孝裕周勇王西宁雷冲陈吉安赵小林
- 关键词：电感量微机电系统品质因子
- CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜的巨磁阻抗效应研究被引量：1
- 2006年
- 利用射频磁控溅射技术及微细加工技术制备了三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在频率l～40MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应比单层膜有较大的提高。在交流电流频率5MHz,外加直流磁场100Oe下巨磁阻抗变化率达17.3%。
- 张桂林周勇周志敏
- 关键词：巨磁阻抗微机电系统
- 制备态Fe_(21)Ni_(79)/Cu/Fe_(21)Ni_(79)三明治薄膜的纵向巨磁阻抗效应被引量：1
- 2006年
- 采用直流电镀结合正胶光刻工艺制备了Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明冶薄膜，并在0．1-40MHz范围内研究了它的纵向巨磁阻抗效应特性。实验结果表明，Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明治薄膜有十分明显的纵向GMI效应，GMI先随外加磁场的增高而迅速增大，在Hext=0.96kA／m达到最大值后开始逐渐下降．在频率为1．2MHz，外加磁场为0．96kA／m时薄膜的纵向GMI最大值达到88．3％．
- 商干兵周勇丁文余先育曹莹周志敏
- 关键词：各向异性场
- 曲折状CoFeSiB三明治薄膜及其巨磁阻抗效应
- 2007年
- 利用射频磁控溅射技术及MEMS技术,制备了曲折状三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在l～40 MHz频率下,研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应以及相应的电阻、电抗变化率。结果表明:曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应,比单层膜有较大的提高,纵向和横向最大GMI效应分别为12.2%和–18.6%。
- 张桂林周勇周志敏
- 关键词：电子技术巨磁阻抗MEMS
- 弯曲形FeSiB/Cu/FeSiB多层膜的应力阻抗效应被引量：2
- 2006年
- 用磁控溅射法制备弯曲形FeSiB／Cu／FeSiB多层膜，在1～40MHz范围内研究FeSiB膜和Cu膜厚度对多层膜结构应力阻抗效应的影响。结果表明：多层膜的应力阻抗效应随着其形变位移的增加近似线性增加，在自由端变形1mm、电流频率5MHz时，应力阻抗效应达-17.3％，在新型力敏传感器方面具有广阔的应用前景。
- 丁文周勇茅昕辉陈吉安曹莹
- 关键词：无机非金属材料磁控溅射
- 曲折形三层等宽FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB多层膜巨磁阻抗效应研究
- 2006年
- 采用磁控溅射方法，在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB／Cu／FeCuNbSiB多层膜。在1．40MHz下，研究了多层膜材料的巨磁阻抗（GMI）效应随外加磁场的变化关系。结果表明：在频率为5MHz、磁场强度为12kA／m下，横向和纵向GMI效应分别达-23．5％和-16．8％。薄膜材料的纵向、横向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后降，而纵向表现尤为明显。
- 余先育曹莹周勇丁文商干兵周志敏高孝裕
- 关键词：巨磁阻抗效应微细加工技术
