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(001)应变对正交相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响被引量：1: 2015年; 为了研究(001)应变对正交相Ca2P0.25Si0.75能带结构及光学性质的影响,采用第一性原理贋势平面波方法对(001)应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行了模拟计算.计算结果表明:晶格(001)面发生100%~116%张应变时,带隙随着应变增加而减小;在晶格发生88%~100%压应变时,带隙随着张应变的增加而增加;84%~88%压应变时,带隙随着压应变的增加而减小.当施加应变后光学性质发生显著的变化:随着压应变的增加,静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则增大.施加压应变反射向高能方向偏移,施加张应变反射向低能方向偏移,但施加应变对反射区域的影响不显著.施压应变吸收谱、光电导率的变化与介电函数和折射率相反.综上所述,(001)应变改变了Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段.; 岑伟富杨吟野范梦慧杨文帮姚娟; 关键词：光学性质第一性原理

(100)应变对正交相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响: 2014年; 采用第一性原理赝势平面波方法对（100）应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算.计算结果表明：（100）面在晶格发生100％～116％张应变时,带隙随着应变增加而减小;在晶格发生96％～100％压应变时,带隙随着张应变的增加而增加;88％～96％压应变时,带隙随着压应变的增加而减小;当压应变大于88％后转变为间接带半导体.当施加应变后光学性质发生显著的变化：随着压应变的增加静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则反之.施加压应变反射向低能方向偏移,施加张应变反射向高能方向偏移,但施加应变对反射区域的影响不显著.施压应变吸收谱、光电导率的变化与介电函数和折射率相反.综上所述,应变可以改变Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段.; 岑伟富杨吟野范梦慧姚娟黄金保; 关键词：光学性质第一性原理

(111)应变对正交相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质影响的理论研究被引量：1: 2015年; 采用第一性原理平面波贋势方法对（111）应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算.计算结果表明：（111）面在晶格发生100%-104%张应变时,带隙随着应变增加而增大;在晶格发生104%-112%压应变时,带隙随着张应变的增加而减小;88%-100%压应变时,带隙随着压应变的增加而减小;当压应变达到88%后转变为导体.当施加应变后光学性质发生显著的变化,随着压应变的增加静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则反之.施加压应变反射向高能方向偏移,施加张应变反射向低能方向偏移.施压应变吸收谱增大,施加张应变吸收谱变小.综上所述,应变可以改变Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段.; 岑伟富杨吟野范梦慧姚娟杨恒张再军; 关键词：光学性质第一性原理

(111)应变对立方相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响被引量：1: 2014年; 采用第一性原理赝势平面波方法对（111）应变下立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算，全面分析了应变对其能带结构、光学性质的影响。计算结果表明：在-8％～0％压应变范围内，随着应变的逐渐增大导带向低能方向移动，价带向高能方向移动，带隙逐渐减小，但始终为直接带隙；在O％～2％张应变范围内，随着应变的增加，带隙逐渐增大，应变为2％时直接带隙达到最大Eg=0．60441eV；当张应变为4％,Ca2P0.25Si0.75变为间接带隙半导体。Ca2P0.25Si0.75的介电常数和折射率随着张应变的增加而增加；施加-2％-0％压应变时，介电常数和折射率逐渐减小，到达一2％时达到最小值，此后随着压应变的增加介电常数和折射率逐渐增大。施加压应变时吸收谱和反射谱随着应变的增大而减小，施加张应变时吸收谱和反射谱随着应变的增大而增大。应变可以改变立方相Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数，是调节其光电传输性能的有效手段。; 岑伟富杨吟野范梦慧姚娟杨文帮黄金保; 关键词：光学性质第一性原理

(110)应变对立方相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响被引量：3: 2015年; 采用第一性原理贋势平面波方法对（110）应变下立方相Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的能带结构及光学性质进行模拟计算,全面分析了应变对Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）能带结构、光学性质的影响.计算结果表明：在92%～100%压应变范围内随着应变的逐渐增大导带向低能方向移动,价带向高能方向移动,带隙呈线性逐渐减小,但始终为直接带隙;在100%～102%张应变范围内随着应变的增加,带隙呈逐渐增大,应变达到102%直接带隙最大Eg=0.54378 e V;在102%～104%应变范围内随着应变的增加,带隙逐渐减小;当应变大于104%带隙变为间接带隙且带隙随着应变增大而减小.施加应变Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的介电常数、折射率均增大;施加压应变吸收系数增加,反射率减小;施加张应变吸收系数减小,反射率增加.综上所述,应变可以改变Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的电子结构和光学常数,是调节Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）光电传输性能的有效手段.; 岑伟富杨吟野范梦慧姚娟杨文帮黄金保; 关键词：光学性质第一性原理

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