国家自然科学基金(60336020)
- 作品数：28 被引量：147H指数：8
- 相关作者：申德振张吉英范希武吕有明张振中更多>>
- 相关机构：中国科学院中国科学院长春光学精密机械与物理研究所厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 碳纳米管非线性光限幅机理的研究被引量：1
- 2008年
- 用化学气相沉积法制备了多壁碳纳米管,经扫描电镜分析得其具有较好的形貌和结构。研究了该多壁碳纳米管对波长1 064 nm激光的光限幅性质,发现该样品具有非常明显的光限幅特性,激发态吸收截面为σE=3.32×10-17cm2。应用Z-扫描(Z-scan)技术研究表明,碳纳米管的光限幅机制主要为激发态吸收。
- 袁艳红侯洵王相虎赵华
- 关键词：多壁碳纳米管光限幅Z-扫描
- Fe掺杂对CdS光学特性的影响被引量：4
- 2008年
- 采用低压金属有机化学气相沉积技术，在固定源流量的条件下，通过调节衬底温度（270～360℃）生长了不同Fe掺杂浓度的CdS薄膜。光谱测量表明低铁掺杂对CdS晶格振动的影响较小，但对光致发光性质影响较为明显。样品的光致发光谱包括两部分：2．5eV附近带-带跃迁的发光以及2．0～2．4eV之间与缺陷相关的发光。随着铁含量的增加，带-带跃迁逐渐被抑制，发光光谱被缺陷相关的发光主导，同时薄膜的电导也由n型转为p型，说明Fe离子掺入在薄膜引入了受主杂质。通过不同激发密度下的光致发光光谱测量，我们将2．0～2．4eV的发光归结为铁受主相关的D—A对发射，并根据掺杂浓度和发光峰位置估算了Fe受主的能级位置。
- 武晓杰张吉英张振中申德振刘可为李炳辉吕有明李炳生赵东旭姚斌范希武
- Ni/Au与N掺杂p型ZnO的欧姆接触被引量：5
- 2006年
- 研究了Au,In,N i/Au三种不同金属膜与N掺杂p型ZnO的接触特性,发现N i/Au双层膜更适合作为其欧姆电极材料,并比较了不同气氛和不同温度退火对N i/Au电极的影响。发现在O2中退火电极性能发生蜕变,而在N2中退火性能得到改善。指出即使在N2中退火,退火温度的选择也是至关重要的,本实验在400℃,氮气气氛下退火150 s,得到了较好的欧姆接触特性。
- 王新吕有明申德振张振中李炳辉姚斌张吉英赵东旭范希武
- 关键词：NI/AU欧姆接触退火
- 锂掺杂p型氧化锌薄膜的制备被引量：3
- 2007年
- 通过将含有原子百分含量为2%锂(2at%)的锌锂(Zn-Li)合金薄膜在500℃氮气氛中退火2 h,然后在700℃氧气氛下退火1 h的方法分别制备出p型锂掺杂的氧化锌(ZnO:Li)薄膜。通过He-Cd激光器的325 nm线激发,测量了样品低温(12 K)发光光谱,并根据Zn-Li合金薄膜的低温发光光谱特征,计算出(LiZn-N)复合受主能级的位置位于价带顶137 meV处。
- 王相虎袁艳红孙振武徐时松金华赵华
- 关键词：合金退火真空镀膜
- 硅酸锌的电子结构(英文)被引量：5
- 2006年
- 采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法,计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡晶格常数、电子态密度和能带结构。计算结果表明,四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0.71048nm,六角结构为1.40877nm,两者与实验值的误差均在1%左右。态密度图显示,主要电子态分布在-7.18～0.00eV和2.79～10.50eV两个能量区域;同时,不同元素电子对导带和价带有不同贡献,其中氧的p态电子对价带顶贡献最大,锌的s态电子对导带底贡献最大。能带计算表明,四方与六角结构硅酸锌均为直接带隙半导体,禁带宽度分别为2.66,2.89eV。
- 张华冯夏康俊勇
- 关键词：硅酸锌电子态密度
- Mg_xZn_(1-x)O结构性质(英文)被引量：2
- 2006年
- 采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,MgxZn1-xO的结构随组分x的增大,发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离。另一方面,禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致。进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明,Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子。随着组分x的增加,p态电子在价带顶附近的密度明显提高,说明sp轨道杂化不但对晶体的几何结构产生影响,而且对其电子结构也起重要作用。
- 陈晓航康俊勇
- 关键词：晶格结构第一性原理计算
- Zn_(1-x)Cd_xS合金薄膜的结构和光学性质被引量：2
- 2004年
- 采用低压金属有机化学气相沉积(LP MOCVD)技术,在普通石英衬底上制备出不同Cd组分(0.02,0.44,0.59,0.83,0.91)的Zn1-xCdxS合金薄膜材料。X射线测量表明样品为单一取向的纤锌矿结构,并且随着x的增加衍射峰位基本成线性地从ZnS衍射峰向CdS衍射峰移动。此外,在PL谱中还可以看出随着样品中Cd含量的增加,发光峰从3.66eV红移到2.43eV。根据发光峰位与Zn1-xCdxS中x的变化关系,推导出它们之间的关系近似为Eg(Zn1-xCdxS)=3.61-1.56x+0.38x2。还探讨了不同Cd组分薄膜材料的X射线衍射峰半峰全宽以及发光峰半峰全宽的变化。
- 冯秋菊申德振张吉英单崇新张振中吕有明刘益春范希武
- 关键词：金属有机化学气相沉积X射线衍射光致发光
- 氟掺杂的氧化锌薄膜的结构和光学特性被引量：2
- 2004年
- 通过热氧化氟化锌(ZnF2)薄膜的方法制备出氟掺杂的多晶ZnO薄膜,ZnF2薄膜是利用电子束蒸发方法沉积在Si(100)衬底得到的。利用X射线衍射和X射线电子能谱研究了ZnF2薄膜向ZnO的转变过程。实验结果表明,在400℃退火30min的条件下能够获得六方纤锌矿结构的ZnO∶F薄膜。对ZnO∶F薄膜的室温光致发光谱可以观察到位于379nm、半峰全宽为73meV的紫外发射峰,而相应于缺陷的深能级发射则完全猝灭。表明ZnO中残留的F能够有效地增强激子的发光,同时使缺陷发光强度明显降低。对F掺杂对ZnO的发光性能的影响进行了讨论。
- 马剑钢刘益春徐海阳骆英民张吉英吕有明申德振范希武
- 关键词：X射线衍射X射线光电子能谱光致发光
- 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响被引量：21
- 2005年
- 采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜。利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光谱(PL),研究了不同的退火温度对薄膜结构和发光的影响。研究发现,薄膜经退火后,在发光谱中出现一强的发光峰。当经过900 ℃退火后,随着与硅悬键有关的发光峰的消失,该强的主发光峰发生了明显的蓝移,并且有所宽化。蓝移现象源于高温退火后,在薄膜中有小尺寸的 Si团簇形成。通过实验结果分析,提出薄膜的发光起因于包埋在氮化硅中的Si团簇。
- 王颖申德振张吉英刘益春张振中吕有明范希武
- 关键词：PECVD光致发光
- 电化学方法生长有序纳米柱阵列的发光性质(英文)
- 2008年
- 采用电化学方法在磁控溅射方法生长的ZnO薄膜上生长垂直于衬底排列的ZnO纳米柱。ZnO薄膜的作用主要是为ZnO纳米柱的生长提供同质外延层。电化学生长的ZnO纳米柱具有良好的晶体质量和发光性能。通过研究其变温发光光谱可以确定其紫外发光峰来自于带边激子的辐射复合。此种方法生长的ZnO纳米柱在场发射显示、蓝紫色和白光发光二极管方面有潜在的应用前景。
- 刘枫李金华
- 关键词：ZNO磁控溅射电化学生长光致发光
