河北省自然科学基金(100147)
- 作品数：10 被引量：20H指数：2
- 相关作者：聂向富郭革新孙会元唐贵德马丽梅更多>>
- 相关机构：河北师范大学唐山职业技术学院河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术天文地球一般工业技术更多>>
- 地理信息可视化研究被引量：16
- 2003年
- 地理信息可视化是可视化发展的方向之一 .通过对地理信息的概念和运动模型的分析 ,并从可视化的定义出发 ,总结了地理信息可视化的特点 ,同时提出了地理信息可视化研究的一个基本框架 .
- 岳丽燕胡文亮
- 关键词：科学计算可视化地理信息系统信息载体计算机图形学
- 石榴石磁泡膜中3类硬磁畴的形成方法
- 2004年
- 研究石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性可为研制布洛赫线存储器提供有益的帮助 .3类硬磁畴的形成是研究硬磁畴稳定性的前提 .本文综述了在石榴石磁泡膜上形成硬磁畴的 2类方法———“脉冲偏场法”和“低直流偏场法” .结合文献中的典型样品 ,对用“脉冲偏场法”和“低直流偏场法”形成 3类硬磁畴的过程进行了简单介绍 .
- 郭革新徐建萍何文辰
- 关键词：硬磁畴直流偏场
- 垂直布洛赫线间静磁相互作用探讨被引量：2
- 2001年
- 本文以实验现象为基础 ,利用相邻布洛赫线间的静磁作用能 ,改进圆柱形硬磁畴的畴壁能公式 ,公式中只使用了一个由实验数据拟合而确定的参数 c.由一个典型样品得到的参数 c,用于其它几个样品计算时 ,所得数据都与实验数据符合较好 .从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释 ,特别是成功地解释了硬磁畴的一些温度特性 ,并首次提出垂直布洛赫线元模型 。
- 唐贵德胡海宁孙会元聂向富
- 面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响
- 2007年
- 实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hi(p1),Hi(p2)],其中Hi(p1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时面内场,Hi(p2)是VBL完全丢失时的面内场Hip及Hip*为剩余率降至0时的Hip值.在相同的Hb下(Hi(p1))IID<(H(ip1))ID<(Hi(p1))OHB;(Hi(p2))IID=(Hi(p2))ID=(Hi(p2))OHB.在不同的Hb下,临界面内场Hi(p1)和Hip*以及范围[Hi(p1),Hi*p]都随着Hb的增加而减小或变窄.
- 李秀玲王丽娜郭革新李静
- 关键词：垂直布洛赫线直流偏场面内场
- 二维正方格子自由电子气的费米面
- 2002年
- 在当前的固体物理学教材中 ,对费米面构造都没有详细阐述 ,费米面附近的电子对金属的性质有重要影响 ,了解和掌握费米面的概念以及距布里渊区边界多远的问题是对金属中电子的物理特性获得深刻理解的一个根本问题 .针对上述问题 。
- 聂向富马丽梅郭革新唐贵德孙会元
- 关键词：费米面固体物理学构图方法
- 直流偏场和面内场作用下ID畴壁中VBL链的消失被引量：1
- 2002年
- 研究了直流偏场和面内场联合作用下第 类哑铃畴畴壁中 VBL链的消失 ,即软化过程 .实验发现 ,当直流偏场 Hb>Hsb′时 ,第 类哑铃畴的起始软化面内场 (Hip) OHB和临界面内场 Hip′的数值都比不加直流偏场时的数值低 。
- 郭革新马丽梅孙会元聂向富
- 关键词：直流偏场面内场
- 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性被引量：2
- 2003年
- 研究了温度作用下 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线 (VBL)的消失过程 ,发现和证实了普通硬磁泡 (OHBs) ,第I类哑铃畴 (IDs)和第II类哑铃畴 (IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围 .对同一样品而言 ,3类硬磁畴的起始临界温度是相同的 ,而VBL完全解体的最低温度却是依次增加的 .在临界温度范围内 ,3类硬磁畴畴壁中的VBL是不稳定的 。
- 郭革新马丽梅唐贵德孙会元聂向富
- 关键词：硬磁畴哑铃畴畴壁垂直布洛赫线温度稳定性临界温度
- 直流偏场和面内场共同作用下第Ⅰ类哑铃畴的条泡转变被引量：1
- 2006年
- 实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴(IDs)的条泡转变现象.实验表明:1)存在3个特征直流偏场,即:条泡转变后的磁畴均为软泡的磁场以及条泡转变后的磁畴中依次出现普通硬磁泡和第Ⅰ类哑铃畴的磁场;2)IDs的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场均随直流偏场的增加而减小.
- 吴佺郭革新聂向富王丽娜翟晓霞刘琳李静
- 关键词：直流偏场面内场
- 温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响
- 2004年
- 实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第I类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ipip(T)H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T)也分别随温度的升高ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.
- 刘素平徐建萍聂向富
- 关键词：垂直布洛赫线临界温度
- 温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响
- 2004年
- 实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)
- 徐建萍刘素平聂向富
- 关键词：温度硬磁畴
