国家自然科学基金(60477003)
- 作品数：10 被引量：15H指数：2
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- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- 碳纳米管/纤维阴极场发射平板显示器研制被引量：2
- 2006年
- 探索了从碳纳米管/纳米纤维(CNT/CNF)的制备到CNT/CNF阴极场发射平面显示器(c-FED)封装的工艺流程．用化学气相沉积方法,优化制备条件获得了纯度较高的CNT/CNF；以CNT/CNF和低压荧光粉为原料,采用丝网印刷工艺制作显示器的阴极和阳极；采用类真空荧光显示器的封装工艺封装了c-FED样管．所研制的c-FED具有优良的场发射性能,较好的均匀性及发光密度,黄色荧光粉的c-FED在电场为2．7V/μm时的亮度可达600 cd/m^2．因该显示器使用普通玻璃作为阴阳极基板,整个工艺流程在大面积和实用化方面有很好的应用潜力．
- 郭平生孙卓陈奕卫郑志豪
- 关键词：场发射平板显示器
- 缓冲层对铜催化生长碳管形貌和性能的影响(英文)被引量：2
- 2008年
- 碳纳米管的生长通常使用Fe,Co,Ni作为催化剂,除此以外的一些过渡元素也能催化裂解生长碳管。其中用铜制备的碳管阈值电场低、发射电流密度大、发射均匀性好等等良好的场发射特性。铜与硅、或金属之间具有很强的的扩散特性,而碳管应用于场发射显示器必然使用玻璃、硅片作为衬底,所以需要一层缓冲层阻挡催化剂铜扩散入衬底。本文使用磁控溅射制备铜薄膜作为催化剂,化学气相沉积方法裂解乙炔生长碳管薄膜形成场发射阴极。并试验W,Ni,Cr和Ti作为铜薄膜的缓冲层,结果表明不同的金属阻挡特性不同,生长后碳管的形貌和特性都有差异。结果表明Ti和W能很好地阻挡铜的扩散,从而使铜催化裂解出附着性好、分布均匀、密度适中、场发射特性良好的碳管薄膜。对于Ni和Cr金属,由于生长的碳管与衬底结合差或者场发射能力差而不适合作铜的缓冲层。
- 王莉莉陈奕卫陈婷冯涛孙卓阙文修张哲娟林丽锋
- 关键词：场发射阻挡层
- 浸泡Ni(NO_3)_2溶液的石墨在不同温度下生长的碳纳米管及其场发射性能(英文)
- 2007年
- 将石墨衬底浸泡于0.5mol/LNi(NO3)2溶液中一段时间,之后利用低压化学气相沉积法在不同温度的条件下生长碳纳米管薄膜。研究了碳纳米管的生长温度对其场发射性能的影响。通过扫描电子显微镜和拉曼光谱对生长的碳纳米管薄膜的表征发现,随着碳纳米管的生长温度的增加,碳纳米管的直径与相应拉曼光谱中的G峰和D峰(ID/IG)的峰强比减小。同样,碳纳米管的G峰的半峰宽随着碳纳米管的生长温度的增加而减小,这表明碳纳米管的石墨化程度的增强。实验中发现,碳纳米管的场发射性能依赖于碳纳米管的生长温度。
- 高阳张燕萍王莉莉张哲娟潘立坤陈弈卫孙卓杨介信
- 关键词：碳纳米管场发射性能生长温度
- 不同衬底温度下Tb/Fe/Dy纳米多层膜超磁致伸缩性能研究
- 2008年
- 采用多靶磁控溅射仪在室温和衬底温度为300℃的条件下制备Tb/Fe/Dy纳米多层膜,研究其磁性能和超磁致伸缩性能.结果表明该纳米多层膜较TbDyFe单层膜有更明显的垂直磁各向异性和更大的矫顽力.尽管纳米多层膜样品具有垂直各向异性,但仍具有超磁致伸缩性能.特别是衬底温度为300℃的纳米多层膜样品。具有Laves相结构的TbDyFe纳米晶体析出,使得低磁场下磁致伸缩性能有了显著的提高.
- 李晓东黄素梅潘丽坤陈奕卫杨燮龙孙卓
- 关键词：纳米多层膜
- 电泳工艺制备阵列场发射阴极及其性能的研究被引量：2
- 2008年
- 碳纳米管是理想的场发射冷阴极材料,阴极的图形阵列化是实现碳纳米管场发射显示器动态全彩视频显示的核心。三极管结构能够更好地进行矩阵寻址显示图像,且与常规的驱动电路相兼容,降低整体平板显示器件的制作成本。从实验出发,探索利用简单的电泳工艺制备图形化碳基薄膜阴极,采用与阴极成同一水平面的栅极的三极管结构,并对电泳的实验参数进行优化以提高阴极电压电流特性和发射的均匀性等问题,为场发射器件的制造提供优良的工艺基础。研究机械球磨和稀释悬浊液浓度对碳纳米管沉积均匀性的影响。实验结果表明稀薄的悬浊液的条件下可以在玻璃的银浆导电层上沉积较薄而均匀的碳纳米管膜,与丝网印刷工艺制备的阴极相比,均匀性更好,厚度更容易控制,具有更好的发射均匀性。测试图形化的阵列碳纳米阴极的三极管结构的场发射特性,发现当阳极电压保持在600V,栅极电压接近500V时,阳极电流能达到2.6mA/cm2。荧光粉发光均匀,相比二极管结构具有更低的阈值电压,在亮度、均匀性和稳定性方面都有显著的优势。
- 王莉莉冯涛林丽锋尉帅陈婷孙卓
- 关键词：碳纳米管场发射电泳
- 硝酸铁浓度对石墨片上生长的碳纳米管场发射性能的影响(英文)被引量：2
- 2007年
- 石墨衬底先分别浸泡于0.1～1 mol/L不同浓度的硝酸铁溶液后,采用低压化学气相沉积法于700℃在石墨衬底上生长碳纳米管薄膜.根据扫描电子显微镜照片及拉曼光谱分析碳纳米管的形貌和构成.碳纳米管的场发射性能的研究采用标准电流-电压测试.浸泡于0.6 mol/L硝酸铁溶液的石墨片上所生长的碳纳米管的场发射性能最佳.
- 张燕萍高阳张哲娟潘丽坤王莉莉孙卓黄士勇
- 关键词：场发射碳纳米管
- 非晶Tb/Fe/Dy和Fe/Tb/Fe/Dy纳米多层膜磁性能及超磁致伸缩性能(英文)
- 2009年
- 研究非晶Tb/Fe/Dy(样品A)和Fe/Tb/Fe/Dy(样品B)纳米多层膜超磁致伸缩性能和磁性能。磁滞回线表明样品A的垂直磁各向异性而样品B有面向磁各向异性,样品B比样品A更好的磁性能。样品B有很好的低场超磁致伸缩性能,在外磁场为0.12T情况下样品B的超磁致伸缩性能是样品A的五倍,即从16ppm变为82ppm。
- 李晓东潘丽坤黄素梅林丽峰陈奕卫孙卓
- 关键词：超磁致伸缩纳米多层膜
- 不同衬底温度下[Tb/Fe/Dy]_n纳米多层膜的结构、磁性能及超磁致伸缩性能研究被引量：1
- 2009年
- 采用多靶磁控溅射仪分别在室温和衬底温度为300℃条件下制备了具有精确组分为Tb0.27Dy0.73Fe2的[Tb/Fe/Dy]n纳米多层膜.研究结果表明,纳米多层膜在沉积过程中形成了微柱状结构,薄膜样品的磁性能和超磁致伸缩性能表明薄膜样品具有明显的垂直各向异性.尽管纳米多层膜具有垂直各向异性,但仍具有超磁致伸缩性能.特别是衬底温度300℃制备的纳米多层膜,由于Laves相R-Fe2纳米晶的析出使得超磁致伸缩性能有了显著的提高.在很小的外磁场(0.18T)时,衬底温度300℃条件下制备的样品超磁致伸缩值为89.3ppm(1ppm=1×10-6),约为室温条件下制备的样品在此磁场下超磁致伸缩值23.5ppm的4倍.同时还研究了垂直磁各向异性薄膜的磁化过程与超磁致伸缩性能的关系.
- 李晓东赵振杰黄素梅潘丽坤陈奕卫杨燮龙孙卓
- 关键词：TERFENOL-D
- 表面形貌特殊的碳纳米管薄膜及其场发射增强(英文)被引量：6
- 2007年
- 采用磁控共溅射法在Si片表面镀NiTi膜作为碳纳米管生长的催化剂,制备出表面形貌特殊的碳纳米管薄膜,如"丘状"和"星状"的表面微结构。通过扫描电子显微镜对碳纳米管薄膜的形貌进行表征,采用二极管形式测试了碳纳米管薄膜的场发射性能。实验结果表明,这两种碳纳米管薄膜都具有优异的场发射性能,10μA/cm^2时的开启电场分别仅为1.02 V/μm和1.15 V/μm,在外加电场为2.4 V/μm时的电流密度分别达到4.32 mA/cm^2和6.88 mA/cm^2。通过场发射FN的曲线计算得到的场发射增强因子分别为10113和6840。这两种碳纳米管薄膜优异的场发射性能与其表面的微结构有关。表面的粗糙结构增强了部分碳纳米管的局域电场,易于发射电子。
- 陈婷郭平生王莉莉冯涛陈弈卫张哲娟林丽锋阙文修孙卓
- 关键词：场发射显示碳纳米管场发射表面形貌
- 利用流动催化法在减压化学气相沉积系统中制备碳纳米管粉末(英文)被引量：1
- 2007年
- 以二茂铁作为催化剂,H_2为还原气和载气,反应温度为650℃,压强15 kPa时,在一定的催化温度下,调节碳源中噻吩与环已烷的摩尔比,在减压化学气相沉积体系中制备了大量网状碳纳米管粉末。对反应过程中二茂铁的催化温度以及噻吩与环已烷的摩尔比对产物的影响进行了分析与研究,结果表明碳纳米管的产量随催化剂的量的增加而增大,其质量随催化温度的升高而下降;噻吩与环已烷的摩尔比对产物的形貌与质量有着一定的影响。用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱对碳纳米管进行了表征。
- 李艳楠孙卓陈岳张哲娟王莉莉陈婷陈奕卫杨介信
- 关键词：碳纳米管
