山东省自然科学基金(Y2007G14)
- 作品数：6 被引量：22H指数：2
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- 简单水热法制备棒状纳米氧化锌及其表征被引量：14
- 2010年
- 以Zn(NO3)2和NaOH为原料,在不使用任何添加剂的条件下,采用水热合成法在不同的合成时间和合成温度下制备棒状纳米ZnO颗粒。通过X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、光致发光谱(PL)、电导率测试对样品进行表征。结果表明,所制备的纳米ZnO粉末具有六方红锌矿结构并沿(101)面择优生长;随着合成时间和温度的增加,样品的纯度逐渐增加;合成时间为25h,温度为200℃时,样品的结晶最好,样品基本成棒状,平均直径约为30～40nm,长度约为300～400nm、电阻率最大,且在376nm和500～600nm处有明显发射现象。深入分析了上述结果的形成原因。
- 李世帅冯秀鹏黄金昭张仲陶冶微
- 关键词：水热合成纳米ZNO光致发光电阻率
- 衬底温度对Ba_2FeMoO_6薄膜生长的影响及磁性质研究
- 2011年
- 利用自制的Ba2FeMoO6陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积技术,在钛酸锶SrTiO3(100)衬底上,于衬底温度分别为700℃、800℃、900℃下制备出了厚度为100 nm的双钙钛矿型氧化物Ba2 FeMoO6薄膜。分别采用XRD、AFM和VSM表征了样品的结构、表面形貌和磁性质。结果表明,在衬底温度为900℃时沿c轴择优取向生长效果最佳、成膜质量最好,从生长过程角度解释了原因;样品M-H曲线表明在衬底温度不同时生长出的各样品均具有铁磁性,其磁性随衬底温度的升高而增加,分子饱和磁矩在700℃到800℃时变化显著,在800℃到900℃时变化不是很大。
- 张仲冯秀鹏李世帅黄金昭陈康
- 关键词：脉冲激光沉积衬底温度磁性质
- Zn_(0.8)Na_(0.1)Co_(0.1)O薄膜的制备及衬底温度对其影响
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在温度为400、500和600℃的SiO2衬底上成功制备出Zn0.8Na0.1Co0.1O薄膜。用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、荧光光谱仪、四探针电阻率测试台等对薄膜的结构、表面形貌和光电性质进行了表征,讨论了不同衬底温度对薄膜结构、光学和电学性质的影响。结果表明:掺杂没有改变ZnO的六角纤锌矿结构;表面较平坦;薄膜只有较强的紫外发射且较本征ZnO出现红移;薄膜呈现低电阻率的特性。当衬底温度为600℃时,薄膜的结晶质量最好,紫外发射最强;衬底温度为400℃时,薄膜电阻率最低,达到了7.55×10-1Ω.cm。讨论了上述结果产生的原因。
- 张仲李世帅黄金昭冯秀鹏刘春彦陶冶微
- 关键词：ZNO薄膜衬底温度光电性质红移
- In掺杂ZnO薄膜的制备及其白光发射机理被引量：5
- 2011年
- 采用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了本征ZnO薄膜和In:(Zn+In)分别为5%,8%,10%的ZnO薄膜,对薄膜的晶相结构和光电性质进行了表征并在CIE-XYZ表色系统中计算了不同样品的色品坐标.结果表明:In掺入后ZnO薄膜的择优生长方向由(002)面变为(101)面且面间距变小,当In掺杂量为5%时,In原子完全替代Zn原子;薄膜的电阻率随In含量的增加出现先抑后扬的趋势;随着In的掺入光谱的紫外发射峰红移,并在670nm左右出现一个新的峰值;In:(Zn+In)为5%样品具有白光发射特性.从第一性原理出发计算了本征及In含量为5%的薄膜的能带结构,从附加能级的角度讨论了样品白光发射的产生机理.
- 李世帅张仲黄金昭冯秀鹏刘如喜
- 关键词：溶胶-凝胶白光发射
- Zn_(1-x-y)Na_xCo_yO薄膜的脉冲激光沉积制备及表征被引量：1
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上成功制备出不同含量Na,Co共掺的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜、荧光光谱仪以及四探针电阻率测试台对薄膜的结构、表面形貌和光电性质进行了表征.重点讨论了不同掺杂浓度对薄膜光电性质的影响.结果表明Na,Co共掺没有改变ZnO的六角纤锌矿结构且掺杂导致薄膜仅有的的紫外发光峰出现红移.当Na,Co掺杂浓度分别为10时,峰值最强且红移最明显,发光峰波长为397nm,薄膜的电阻率最低,达到了8.34×10-1Ω.cm.深入讨论了上述结果的产生原因.
- 李世帅冯秀鹏黄金昭刘春彦张仲陶冶微
- 关键词：脉冲激光沉积光电性质红移
- 双钙钛矿型氧化物(Sr_(2-3x)La_(2x)Ca_x)FeMoO_6的电输运性质被引量：2
- 2010年
- 分别用固相烧结法和溶胶-凝胶法制备了A位双掺杂的双钙钛矿型氧化物(Sr2-3xLa2xCax)Fe-MoO6。XRD显示所有样品均为多晶单相,随掺杂量增加,样品空间群在x=0.2处转变,由I4/m群转变为Fm3-m群。四探针法对电输运性质的表征表明,样品电阻率随反位缺陷程度的加剧而增加,随平均晶粒尺寸的增大而减小,定量掺杂以限制化合物相结构、完善制备工艺以优化晶界条件,能有效控制材料的电导性质。
- 冯秀鹏李世帅黄金昭孙茂峰张仲陶冶薇
- 关键词：双钙钛矿溶胶-凝胶法固相烧结法电输运性质晶粒尺寸
