您的位置: 专家智库 > >

广州市科技计划项目(2010U1-D00131)

作品数:2 被引量:2H指数:1
相关作者:李一岑杨东梅霆李浩金桂更多>>
相关机构:华南师范大学湘南学院南洋理工大学更多>>
发文基金:广州市科技计划项目中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇等离激元
  • 1篇多量子阱
  • 1篇紫外
  • 1篇紫外发光二极...
  • 1篇结构优化
  • 1篇光学
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇ALGAN
  • 1篇表面等离激元
  • 1篇操控

机构

  • 2篇华南师范大学
  • 1篇南洋理工大学
  • 1篇湘南学院

作者

  • 1篇朱凝
  • 1篇张辉
  • 1篇金桂
  • 1篇郭志友
  • 1篇孙慧卿
  • 1篇李浩
  • 1篇朱明军
  • 1篇梅霆
  • 1篇杨东
  • 1篇李梅娇
  • 1篇李凯
  • 1篇李一岑

传媒

  • 1篇发光学报
  • 1篇华南师范大学...

年份

  • 2篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
表面等离激元的操控:原理与研究进展被引量:2
2013年
近年来表面等离激元在物理学、生物学等领域的应用有非常显著的进展,针对表面等离激元在集成光路发展中的应用,重点介绍其传输、增益及传输损耗补偿、开关与调制等操控的原理与特性方面的最新研究进展.
梅霆杨东张辉金桂李浩李一岑朱凝
关键词:表面等离激元
近紫外380nm发光二极管的量子阱结构优化
2013年
模拟分析了有源区不同垒层对380 nm近紫外发光二极管的内量子效率、电子空穴浓度分布、辐射复合效率等产生的影响。有源区垒层材料分别选用GaN、Al0.1Ga0.9N、Al0.1Ga0.9N/Al0.15Ga0.85N/Al0.1Ga0.9N,其中3层AlGaN的厚度比分别为6 nm/8 nm/6 nm和7 nm/6 nm/7 nm。对比分析发现,与GaN垒层相比,选用AlGaN系列垒层可以将更多的载流子限制在有源区内,空穴浓度可以提高近一个数量级,辐射复合效率可以提高2~10倍;3层AlGaN垒层相对于单一AlGaN垒层,载流子分布更加均匀,辐射复合效率可以提高7倍以上,内量子效率可以提高14.5%;采用不同厚度比的3层AlGaN垒层结构可以微调能带的倾斜程度,进一步减小极化效应。可以调节合适的厚度比减小极化效应对于载流子分布及内量子效率的影响。
李梅娇李凯朱明军郭志友孙慧卿
关键词:多量子阱ALGAN
共1页<1>
聚类工具0