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HCl-(NH_4)_2S_2O_8体系抛光液中钌的化学机械抛光研究: 2012年; 金属钌(Ru)有可能作为集成电路中铜互连阻挡层材料,作为阻挡层必须具有低的表面粗糙度。化学机械抛光技术已经成为集成电路制造中实现局部平面化和全局平面化的关键技术,因此对钌的化学机械抛光研究具有重要意义。利用自制抛光液,研究了在HCl-(NH4)2S2O8体系抛光液中盐(KCl)的浓度、络合剂浓度、pH值和抑制剂(BTA)等对钌的去除速率的影响。实验发现,在HCl-(NH4)2S2O8体系抛光液中,金属钌在1wt.%SiO2、1wt.%过硫酸铵、1wt.%酒石酸、1mmol/L BTA和10mmol/L KCl,pH值为9.0的抛光液中,抛光速率为10.8nm/min。电化学实验发现,在1wt.%SiO2、1wt.%过硫酸铵、1wt.%酒石酸、1mmol/L BTA和1mmol/L KCl,pH值为4.0的抛光液中,金属钌表面化学反应受抑制;在1wt.%SiO2、1wt.%过硫酸铵、1wt.%酒石酸、1mmol/L BTA和1 mmol/L KCl,pH值为9.0的抛光液中,金属钌表面钝化膜较致密、较厚。; 储向峰李秀金汤丽娟董永平乔红兵; 关键词：化学机械抛光钌

催化动力学褪色光度法测定痕量钌被引量：1: 2011年; 在HAc-NaAc缓冲介质中,基于钌(III)对高碘酸钾氧化乙基紫(EV)的褪色反应有明显的催化作用,建立了简便、快速测定痕量钌的新体系。优化了试剂浓度、缓冲介质和反应温度等对测定有影响的反应条件,结果表明,钌在0.5～50 ng/mL范围内与吸光度差值有良好的线性关系,相关系数为0.9937,方法的检出限为1.4×10-10 g/mL。对25 ng/mL Ru(III)重复测定9次的相对标准偏差为2.8%。发现大多数常见离子不干扰测定。方法用于天然水样中痕量钌的测定,获得满意结果。; 吴芳辉汪芳童碧海储向峰栗少丽; 关键词：催化动力学光度法钌乙基紫高碘酸钾

Acetone Sensors Based on La^(3+) Doped ZnO Nano-rods Prepared by Solvothermal Method被引量：4: 2012年; La3＋ doped ZnO nano-rods with different doping concentration were prepared via solvothermal method.The doped ZnO nano-rods were characterized by X-ray diffraction（XRD） and scanning electron microscopy（SEM）,respectively.The effect of La3＋ doping on the gas-sensing properties was investigated.The results revealed that the sensor based on 6 mol% La3＋ doped ZnO nano-rods exhibited high response to dilute acetone,and the responses to 0.01×10-6 acetone reached 2.4 when operating at 425 ℃.The response time and the recovery time for 0.01×10-6 acetone were only 16 and 3 s,respectively.; Xiangfeng ChuXiaohua ZhuYongping DongXiutao GeShouquan ZhangWenqi Sun

咪唑对钌化学机械抛光的影响被引量：2: 2013年; 利用自制的抛光液,研究了在磷酸体系抛光液中咪唑(imidazole,C3H4N2)浓度和pH值对钌的抛光速率的影响。采用电化学分析方法和X射线光电子能谱仪(XPS)分析了缓蚀剂咪唑对腐蚀效果的影响;采用原子力显微镜(AFM)观察钌片表面的微观形貌。试验结果表明:金属钌在未加入咪唑的磷酸体系抛光液中,抛光速率最高为6.2nm/min,平均粗糙度(Ra)为10.7nm;而在抛光液中加入咪唑后,钌的抛光速率为3.9nm/min,平均粗糙度(Ra)降至1.0nm。咪唑的加入,虽然降低了金属钌的抛光速率,但提高了金属钌的表面质量。同时也促进了金属钌表面钝化膜的生成,降低了金属钌的腐蚀电流值,抑制了阴极反应。; 王婕储向峰董永平孙文起叶明富白林山; 关键词：钌咪唑化学机械抛光电化学检测

纳米SnO_2磨料的制备及其在钌化学机械抛光中的应用(英文): 2013年; 利用固相反应法制备纳米二氧化锡磨料并研究了制备条件对平均粒径的影响。结果表明,在500℃/4h条件下制得的纳米二氧化锡粉体在水中有良好的分散性和稳定性。利用自制的抛光液对高纯钌片进行化学机械抛光,与二氧化硅磨料抛光液比较,材料去除速率和表面粗糙度都降低。当抛光液中含1%(质量分数,下同)二氧化锡、1%过硫酸铵、1%酒石酸和3mmol/L咪唑,pH=8.0,抛光压力为17.24kPa时,材料去除速率(MRR)和表面粗糙度(Ra)分别为6.8nm/min和4.8nm。; 储向峰李秀金董永平乔红斌白林山; 关键词：纳米二氧化锡磨料化学机械抛光钌

流动注射化学发光法测定肾上腺素被引量：2: 2012年; 在酸性条件下,基于肾上腺素对硫酸铈与亚硫酸钠体系的化学发光反应有显著增敏作用,建立了测定肾上腺素的流动注射化学发光分析新体系.在优化的实验条件下,检出限为7.2×10-7mol/L,肾上腺素浓度在2.0×10-6至5.0×10-4mol/L范围内与化学发光强度呈良好的线性关系.对5.0×10-5mol/L肾上腺素进行了9次平行测定,其相对标准偏差为3.1%.该法成功用于医用注射液中肾上腺素的测定.; 吴芳辉; 关键词：化学发光流动注射硫酸铈亚硫酸钠肾上腺素

水杨酸体系抛光液中钌的化学机械抛光研究被引量：3: 2014年; 研究了抛光液中H2O2和水杨酸浓度对钌的抛光速率的影响。采用电化学方法和X射线光电子能谱分析了H2O2和水杨酸对金属钌腐蚀效果的影响;采用原子力显微镜观察钌表面的微观形貌。结果表明:水杨酸浓度的增加有利于金属钌表面钝化膜的形成,抛光速率值随之增加;随着H2O2浓度的不断增加,抛光速率不断增加,当H2O2质量分数大于3%时,抛光速率值随浓度的增加而降低。抛光后的金属钌表面平均粗糙度Ra为7.2 nm。; 王婕储向峰董永平白林山叶明富孙文起; 关键词：钌化学机械抛光水杨酸

过氧化氢抛光液体系中钌的化学机械抛光研究被引量：8: 2012年; 本文研究了过氧化氢(H2O2)抛光液体系中金属钌的化学机械抛光行为,采用电化学分析方法和X射线光电子能谱仪(XPS)分析了氧化剂和络合剂对腐蚀效果的影响,利用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌.结果表明:在过氧化氢抛光液体系中,金属钌表面钝化膜的致密度和厚度与醋酸(CH3COOH)和H2O2的浓度有关.抛光液中醋酸主要通过促进阳极反应的进行从而增强抛光液对金属钌的化学作用,CH3COOH作为络合剂比三乙醇胺(TEA)或酒石酸(C4H6O6)得到的抛光速率更高.低浓度H2O2通过增强抛光液对金属钌的化学腐蚀,抛光速率增大,较高浓度H2O2可能通过在金属表面形成较厚的氧化膜,抛光速率下降.XPS图谱说明钌片浸泡在含醋酸介质过氧化氢体系抛光液后,钌、氧原子相对含量之比约为2∶3,而且金属钌被氧化到四价和八价,这可能是因为金属钌表面生成RuO2和RuO4.抛光后的金属钌表面在5μm×5μm范围内平均粗糙度Sa由抛光前的33 nm降至6.99 nm.; 储向峰王婕董永平乔红斌张王兵; 关键词：钌化学机械抛光电化学检测过氧化氢络合剂

硬盘NiP基板的电化学机械抛光研究(英文)被引量：4: 2011年; 利用自制的抛光液和改造的抛光机对NiP基板进行电化学机械抛光,研究了抛光电压、抛光台转速、抛光压力和抛光液流速对材料去除速率的影响,对电化学机械抛光的机理做了初步的分析。研究结果表明,NiP基板可以用低压力(3.5kPa)抛光,材料的去除速率可以通过调整抛光电压,抛光台转速和抛光液流速进行控制。; 储向峰白林山陈同云; 关键词：硬盘 NIP

化学机械抛光在光学晶体加工中的应用被引量：11: 2012年; 晶体材料的深入研究加速了现代科学技术的发展,其需求量也迅速增加。在很多应用领域要求晶体的表面超光滑,因此晶体表面处理和加工成为目前研究的热点。介绍了几种典型光学晶体(蓝宝石晶体、铌酸锂晶体、三硼酸锂晶体、碲锌镉晶体、氧化镁晶体、碳化硅晶体和锑化铟晶体)化学机械抛光的最新研究成果,并探讨了光学晶体化学机械抛光存在的问题及发展趋势。; 储向峰汤丽娟董永平乔红斌朱小华; 关键词：晶体化学机械抛光

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