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河北省教育厅科研基金(2009308)

作品数:6 被引量:11H指数:3
相关作者:邓泽超梁伟华褚立志丁学成王英龙更多>>
相关机构:河北大学更多>>
发文基金:河北省自然科学基金河北省教育厅科研基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术理学天文地球电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇天文地球
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇脉冲激光
  • 4篇脉冲
  • 4篇激光
  • 3篇烧蚀
  • 3篇脉冲激光烧蚀
  • 3篇激光烧蚀
  • 2篇能量密度
  • 2篇气流
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇纳米SI晶粒
  • 1篇氮氧化物
  • 1篇等离子
  • 1篇等离子体
  • 1篇电离
  • 1篇电离度
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学研究
  • 1篇数值模拟
  • 1篇平抛运动
  • 1篇纳米硅

机构

  • 6篇河北大学

作者

  • 6篇邓泽超
  • 5篇王英龙
  • 5篇梁伟华
  • 5篇丁学成
  • 5篇褚立志
  • 4篇陈金忠
  • 4篇傅广生
  • 4篇罗青山
  • 1篇胡自强
  • 1篇赵亚军
  • 1篇王世俊
  • 1篇庞学霞
  • 1篇贾鹏英

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇河北大学学报...
  • 1篇中国激光

年份

  • 2篇2012
  • 4篇2011
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
不同能量密度对脉冲激光沉积纳米硅晶粒尺寸的影响
2012年
在室温条件下保持Ar环境气体压强不变,采用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过改变激光能量密度,在与烧蚀羽辉轴线垂直放置的衬底上沉积了一系列纳米硅晶薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼(Raman)散射光谱对样品进行特性分析.结果表明,在能量密度为2~4J/cm2时,衬底上沉积的纳米硅晶粒尺寸和面密度基本不变.结合纳米晶粒成核生长动力学,对结果进行了定性解释.
邓泽超罗青山丁学成褚立志王英龙
关键词:脉冲激光沉积能量密度晶粒尺寸
外加氩气流下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究被引量:1
2012年
为研究纳米硅晶粒成核生长动力学过程,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在室温,50~200 Pa的氩气氛围中,通过引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加气流,在水平放置的衬底上沉积了一系列纳米Si晶薄膜。扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)散射和X射线衍射(XRD)检测结果表明,未引入气流时,衬底上相同位置处晶粒尺寸随气体压强的增大逐渐减小;在距靶1~2 cm范围内引入气流后,尺寸变化规律与未引入气流时相反。通过分析晶粒尺寸及其在衬底上的位置分布特点,结合流体力学模型和热动力学方程,分析得出在激光能量密度一定的条件下,环境气体压强、烧蚀粒子温度和密度共同影响着纳米晶粒的成核生长。
邓泽超王世俊丁学成褚立志梁伟华赵亚军陈金忠傅广生王英龙
关键词:脉冲激光烧蚀
大气等离子体中氮氧化物粒子行为的数值模拟被引量:3
2011年
利用一个空间零维大气等离子体模型对其中的氮氧化物在不同电离度情况下的变化规律进行了数值模拟,得到了放电后不同初始电子密度下的氮氧化物(包括NO,NO+,NO2,NO2+,N2O,N2O+,NO3和N2O5)及影响其产消的主要反应物N和O3的密度随时间的演化规律.结果表明,电子初始密度ne0=109cm-3时,NO和NO2的去除率较高,氮氧化物总密度较小,最适合消除氮氧化物污染.同时,还对N和O3随电离度变化的行为进行了分析.
庞学霞邓泽超贾鹏英梁伟华
关键词:大气等离子体氮氧化物电离度数值模拟
脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核气压阈值及动力学研究被引量:4
2011年
采用脉冲激光烧蚀技术,在室温、低压Ar气条件下通过改变气体压强及靶与衬底间距,对纳米Si晶粒成核的气压阈值进行了研究.根据扫描电子显微镜图像、拉曼散射谱和X射线衍射谱对制备样品的表征结果,确定了在室温、激光能量密度为4J/cm2、靶与衬底间距为3cm条件下形成纳米Si晶粒的阈值气压为0.6Pa.结合流体力学模型和成核分区模型,对纳米晶粒的成核动力学过程进行了分析.通过Monte Carlo数值模拟,表明在气相成核过程中,烧蚀Si原子的温度和过饱和密度共同影响着纳米晶粒的成核.
邓泽超罗青山丁学成褚立志梁伟华陈金忠傅广生王英龙
关键词:脉冲激光烧蚀成核MONTE
外加氦气流下脉冲激光沉积制备纳米硅晶粒成核区宽度的计算被引量:1
2011年
在室温、10 Pa氦气氛围中,采用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过在烧蚀羽辉正上方距靶面不同位置垂直引入一束氦气流,在烧蚀点正下方与烧蚀羽辉轴线平行放置的衬底上沉积了一系列纳米Si晶薄膜。扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)散射光谱和X射线衍射(XRD)谱检测结果均表明,纳米Si晶粒在距靶一定的范围内形成,其尺寸随与靶面距离的增加先增大后减小。在分析衬底上的晶粒尺寸及其位置分布的基础上,结合流体力学模型、成核分区模型、热动力学方程以及晶粒形成后的类平抛运动,计算得出了纳米Si晶粒的成核区宽度为56.2 mm。
邓泽超罗青山丁学成褚立志梁伟华陈金忠傅广生王英龙
关键词:纳米SI晶粒脉冲激光沉积类平抛运动
不同能量密度下脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核生长动力学研究被引量:4
2011年
在室温、10 Pa氩气环境下,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,通过改变激光能量密度,在烧蚀点正下方、与烧蚀羽辉轴线平行放置的衬底上沉积制备了一系列纳米Si晶薄膜。采用SEM、Raman散射谱和XRD对纳米Si晶薄膜进行了表征。结果表明:沉积在衬底上的纳米Si晶粒分布在距靶一定的范围内,晶粒尺寸随与靶面距离的增加先增大后减小;随着激光能量密度的增加,晶粒在衬底上的沉积范围双向展宽,但沉积所得最大晶粒尺寸基本保持不变,只是沉积位置随激光能量密度的增加相应后移。结合流体力学模型、成核分区模型和热动力学方程,通过模拟激光烧蚀靶材的动力学过程,对纳米Si晶粒的成核生长动力学过程进行了研究。
邓泽超罗青山胡自强丁学成褚立志梁伟华陈金忠傅广生王英龙
关键词:脉冲激光烧蚀能量密度
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