国家重点实验室开放基金(9140C0607010704)
- 作品数：1 被引量：9H指数：1
- 相关作者：杨霏霍玉柱默江辉陈昊商庆杰更多>>
- 相关机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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- SiC MESFET工艺技术研究与器件研制被引量：9
- 2009年
- 针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面,减小了表面态对栅特性和沟道区的影响,获得了理想因子为1.17,势垒高度为0.72eV的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1mA下击穿电压达到了65V,40V下反向漏电流为20μA。为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响,使用该工艺制备的小栅宽SiC MESFET具有195mA/mm的饱和电流密度,-15V的夹断电压。初步测试该器件有一定的微波特性,2GHz下测试其最大输出功率为30dBm,增益大于5dB。
- 商庆杰潘宏菽陈昊霍玉柱杨霏默江辉冯震
- 关键词：碳化硅金属-半导体场效应晶体管干法刻蚀
