国家高技术研究发展计划(2005AA311010)
- 作品数：5 被引量：42H指数：4
- 相关作者：江风益程海英刘军林邝海周印华更多>>
- 相关机构：南昌大学晶能光电(江西)有限公司更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家电子信息产业发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响被引量：17
- 2008年
- 在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片比硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱人。
- 邝海刘军林程海英江风益
- 关键词：光学材料SI衬底硅基板
- Si衬底功率型GaN基绿光LED性能被引量：10
- 2009年
- 对本实验室在Si(111)衬底上MOCVD法生长的芯片尺寸为400μm×600μm功率型绿光LED的光电性能进行研究。带有银反射镜的LED在20 mA的电流下正向工作电压为3.59 V,主波长518 nm,输出光功率为7.3 mW,90 mA下达到28.2 mW,发光功率效率为7.5%,光输出饱和电流高达600 mA。在200 mA电流下加速老化216 h,有银反射镜的LED光衰小于无银反射镜的LED,把这一现象归结于Ag反射镜在提高出光效率的同时,降低了芯片本身的温度。本器件有良好的发光效率、光衰和光输出饱和电流等综合特性表明,Si衬底GaN基绿光LED具有诱人的发展前景。
- 苏丽伟游达程海英江风益
- 关键词：光学材料SI衬底绿光LED
- 硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究被引量：2
- 2008年
- 测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧姆接触层反光能力的强弱.芯片法线方向附近发光最强干涉现象最明显,芯片侧边的发光几乎没有干涉现象且发光强度最弱.
- 熊传兵江风益王立方文卿莫春兰
- 关键词：发光二极管电致发光
- 光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率被引量：14
- 2009年
- 以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀。结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有电极的n型GaN;而它们的均方根粗糙度(RMS)则结果相反。刻蚀后的形貌呈圆锥型凸起。20 mA下刻蚀后的裸芯光输出功率较刻蚀前提高了88.5%。
- 周印华汤英文饶建平江风益
- 关键词：光学材料出光效率SI衬底
- SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响被引量：5
- 2008年
- 利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现:经过30mA、85℃、24h条件老化后,未作钝化处理的Si衬底GaN基蓝光LED的平均光衰为11.41%,而长有SiN钝化膜的LED平均光衰为6.06%,SiN钝化膜有效地改善了LED在各种老化条件下的光衰,另外,SiN钝化膜缓解了Si衬底GaN基蓝光LED老化过程中反向电压(Vr)的下降,但对老化后LED的抗静电击穿能力(ESD)没有明显的影响。
- 邱冲刘军林郑畅达姜乐江风益
- 关键词：蓝光LEDSIN钝化光衰
