国家自然科学基金(10474019)
- 作品数：8 被引量：5H指数：2
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- Nd掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)单晶的结构和电学性能的影响
- 2008年
- 采用高温溶液生长法生长铁电Bi4-xNdxTi3O12(BNdT)单晶,并研究了BNdT的结构和电学性能.XRD结构精修的结果表明Nd掺杂将导致晶格常数和晶胞体积发生变化,铁电性能的测试表明Nd掺杂降低了BNdT单晶的剩余极化,BNdT的自发极化的估算和铁电测量结果有着相同的变化趋势.Nd的A位掺杂同时也导致BNdT单晶沿各个方向漏电流密度的减小,而由于(Bi2O2)2+层的存在,BNdT单晶沿c方向显示出更低的漏电流密度.
- 梁坤贺小庆谢文明龙展鹏
- 关键词：单晶生长铁电材料漏电流
- 含Bi层状钙钛矿型铁电薄膜在金属电极上的非c轴取向生长研究
- 用 sol-gel 工艺直接在(111)Pt/Ti/SiO/Si 衬底上分别制备了62%a/b 轴择优、65% (014)/(104)择优、高 c 轴择优取向生长的 BiNdTiO(BNdT)铁电薄膜。发现 BNdT 薄...
- 刘晓林陈晓琴祁亚军卢朝靖
- 关键词：凝聚态物理学薄膜物理学铁电体
- 文献传递
- Bi_(4-x)Nd_xTi_3O_(12)单晶的光谱学特性研究
- 2009年
- 使用自助熔生长法生长Bi4-xNdxTi3O12(BNdT,x=0,0.5,0.85)单晶,研究了Nd掺杂对BNdT单晶光谱学特性的影响.常温拉曼光谱结果表明:随Nd含量的增加,BNdT中TiO6八面体振动模式有所增强;Nd含量增加到一定值,BNdT单晶可能在常温下发生铁电-顺电相转变;位于(Bi2O2)2+层的Bi-O振动模式随Nd掺杂量增加而减弱,表明Nd含量较低时,Nd3+离子仅仅取代伪钙钛矿层的Bi3+离子,当Nd含量较高时,有部分Nd3+离子开始替换(Bi2O2)2+层中的Bi3+离子.紫外-可见光谱结果表明,BNdT单晶具有间接带隙跃迁的特点,而且单晶的禁带宽度随Nd掺杂含量的增加而减小.
- 梁坤贺小庆
- 关键词：稀土掺杂
- β-Ni(OH)_2和NiO单晶纳米结构的水热合成与TEM表征被引量：2
- 2007年
- 用水热法合成了β-Ni(OH)2单晶纳米薄片,并用透射电子显微镜观察其显微结构。发现这些纳米薄片呈六边形,横向尺寸45 nm^140 nm,厚度20 nm^50 nm。六边形纳米片的上下表面是(001),六个侧面可确定为(100),(110)或(0 10),紧邻侧面夹角120°。六角结构的β-Ni(OH)2呈六边形时系统能量最低。β-Ni(OH)2纳米薄片经500℃热分解即转化为NiO单晶纳米卷、纳米槽和纳米片。NiO纳米结构的外缘尺寸为25 nm^120 nm,纳米卷内空尺寸10 nm^24 nm,纳米槽凹坑尺寸10 nm^20 nm。β-Ni(OH)2纳米薄片中可能存在缺陷、微孔或结晶较差的区域,这些区域的热分解速率快,有利于形成NiO纳米卷。
- 祁红艳祁亚军卢朝靖
- 关键词：水热合成
- 含Bi层状钙钛矿型铁电薄膜在金属电极上的非c轴取向生长研究被引量：2
- 2006年
- 用sol-gel工艺直接在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上分别制备了62%a/b轴择优、65%(014)/(104)择优、高c轴择优取向生长的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜。发现BNdT薄膜的铁电、介电和压电性能强烈依赖于晶粒的择优取向,从而证实BNdT中自发极化矢量Ps靠近a轴。透射电镜观察表明,非c轴取向薄膜中的柱状晶粒从底电极Pt表面一直延伸到薄膜上表面,而c轴择优取向薄膜中的晶粒细小且主要呈等轴状。讨论了含Bi层状钙钛矿型铁电薄膜在金属电极上的择优取向生长机制。
- 刘晓林陈晓琴祁亚军卢朝靖
- 关键词：凝聚态物理学薄膜物理学铁电体
- A位掺杂Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷的铁电性能研究
- 2006年
- 用传统固相烧结工艺,制备了纯相的Bi4Ti3O12(BTO)陶瓷,A位掺杂的Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT),Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电陶瓷。X射线衍射结果表明,所有样品均为单一的层状钙钛矿结构,La、Nd掺杂未改变BTO的晶体结构。铁电测试结果表明,BTO、BLT和BNdT陶瓷的剩余极化2Pr值分别为12.4、23.8和39.4μC/cm2。A位掺杂后,BLT、BNdT的2Pr值比未掺杂的BTO分别提高了1.92和3.18倍。漏电流测试表明,BLT、BNdT陶瓷的漏电流密度比BTO明显降低。A位掺杂显著提高了BTO陶瓷的铁电性能。
- 肖昕祁亚军卢朝靖
- 关键词：铁电性陶瓷掺杂
- 层状钙钛矿型Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜在LaNiO_3/Si上取向生长的TEM研究
- 2008年
- 用溶胶-凝胶工艺在披覆了LaNiO3底电极的(100)Si衬底上制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜。X射线衍射结果显示,LaNiO3层呈(110)择优取向,BNdT薄膜呈c轴和a/b轴混合择优取向。透射电镜观察表明,LaNiO3电极层和BNdT薄膜厚度分别约为180nm和320nm。BNdT薄膜分为上下两层,厚约100nm的底层以薄片状c轴择优取向晶粒为主,在顶层许多柱状晶粒为a/b轴择优取向。讨论了BNdT薄膜在(110)LaNiO3电极上的择优取向生长机制。
- 叶万能王立华祁亚军李金华卢朝靖
- 关键词：BI3.15ND0.85TI3O12铁电薄膜透射电镜
- BiFeO_3薄膜的so-lgel制备及其铁电性能研究
- 2010年
- 采用sol-gel方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出了(100)择优取向的BiFeO3薄膜.XRD研究表明,600～650℃退火的薄膜结晶较好.AFM形貌显示,650℃退火的薄膜中等轴状晶粒大小均匀(直径100～150nm),薄膜较为致密.电学性能测量结果表明,650℃退火、厚度为840nm的薄膜的2Pr值为2.8mC/cm2;在50kV/cm外加电场下,漏电流为2.7×10-5 A/cm2.电流-电压特性显示,在欧姆区之上,薄膜的主要导电机制为波尔-弗兰克尔发射导电.
- 陈芳李超叶万能
- 关键词：溶胶-凝胶BIFEO3薄膜铁电性导电机理
- Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)陶瓷的铁电介电性能研究被引量：1
- 2006年
- 采用传统固相反应法制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)陶瓷.在1 100℃烧结的BNdT陶瓷呈层状钙钛矿结构,致密,晶粒呈扁平状.该陶瓷表现出良好的铁电介电特性,其电滞回线对称,在210 kV/cm测试电场下,剩余极化2Pr和矫顽场Ec分别为45μC/cm2和67.6 kV/cm.在室温f=100 kHz时,εr=221,tgδ=0.006 4.变温介电测试表明居里温度在408℃左右,这一较宽的相变峰,可能是由于氧空位产生的介电弛豫引起的.漏电流测试表明,BNdT陶瓷在低于230 kV/cm电场下,漏电流密度保持在7.5×10-7A/cm2以下,在低于75 kV/cm电场下,该陶瓷呈现肖特基(Schottky)导电行为.
- 肖昕祁亚军卢朝靖
- 关键词：铁电性介电性
