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国家自然科学基金(21121003)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：商波杨金龙袁岚峰更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇电子性质
  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函理论
  • 1篇泛函
  • 1篇泛函理论
  • 1篇SI(111...

机构

  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 1篇袁岚峰
  • 1篇杨金龙
  • 1篇商波

传媒

  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2012
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排序方式：
Si（111）-√7×√3-In表面重构的几何与电子性质的第一性原理研
2012年
为了确定Si（111）-√7×√3-In表面的结构以及理解其电子性质，构建了六角型和矩形型的六种模型，并进行了第一性原理计算．通过模拟这些模型的扫描隧道显微镜图像，计算了功函数，并和实验结果进行了比较．发现hex-H3’模型和Hrect—T1模型分别为实验中的六角型和矩形型结构．同时还讨论了In覆盖度在1．0单层附近时In／Si（111）表面结构的演化机制．认为4×1相和√7×、√3相具有两种不同的演化机制，和实验结果一致．
商波袁岚峰杨金龙
关键词：密度泛函理论
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