江苏省自然科学基金(BK2012110)
- 作品数：10 被引量：6H指数：2
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- 回力标形状的ZnO纳米棒的制备和光致发光特性(英文)
- 2014年
- 在1 050°C条件下,利用碳热蒸发的方法在NiO覆盖的Si(100)衬底上制备了回力标形状的ZnO纳米棒,这是一种新的ZnO的纳米结构。通过结构分析,发现这种回力标形状的ZnO纳米棒具有纤锌矿结构。室温的光致发光图谱中有两个发光峰:380nm附近的弱近紫外发光峰和524nm及575nm附近较宽的绿光发光峰。拉曼谱以及X电子能量谱也用于研究其性质。最后讨论了缓冲层的作用及ZnO纳米棒的生长机理。
- 王福学蔡小龙闫大为朱兆旻顾晓峰
- 关键词：氧化锌纳米棒光致发光
- 短沟道三材料柱状围栅MOSFET的解析模型
- 2015年
- 在柱坐标系下利用电势的抛物线近似,求解二维泊松方程得到了短沟道三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的中心及表面电势。推导了器件阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型,分析了沟道直径、栅氧化层厚度和三栅长度比对阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的影响。利用Atlas对具有不同结构参数的器件进行了模拟研究和比较分析。结果表明,基于解析模型得到的计算值与模拟值一致,验证了所建模型的准确性,为设计和应用此类新型器件提供了理论基础。
- 赵青云于宝旗苏丽娜顾晓峰
- 关键词：表面势阈值电压
- 图形化衬底对GaN基LED电流与发光特性的影响被引量：2
- 2015年
- 在传统蓝宝石衬底(CSS)和图形化蓝宝石衬底(PSS)上分别制备了结构相同的GaN基蓝光发射二极管(LEDs),测试并比较了这两种不同衬底器件的电流与发光特性。结果表明,与CSS-LED相比,PSS-LED在-4V处的反向漏电流降低了两个数量级,峰值波长基本不随电流增大而发生显著蓝移,半高宽、输出功率与外量子效率等发光性能也获得明显改善。PSS-LED反向漏电流的减小主要归功于外延层中位错密度的降低,发光性能的改善主要是因为PSS减少了光在LED内部的全反射,提高了光的析出率;PSS-LED的外量子效率随电流下降的行为(droop)并未明显改善,表明位错可能不是引起效率droop的主要原因。
- 李丽莎闫大为管婕杨国锋王福学肖少庆顾晓峰
- 关键词：氮化镓基发光二极管光学特性
- 原子层沉积Al2O3／n-GaN MOS结构的电容特性：
- 2013年
- 利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构,研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响,分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源.在无光照情形下,由于极长的电子发射时间与极慢的少数载流子热产生速率,样品的室温电容-电压扫描曲线表现出典型的深耗尽行为,且准费米能级之上占据深能级界面态的电子状态保持不变.当器件受紫外光照射时,半导体耗尽层内的光生空穴将复合准费米能级之上的深能级界面态电子,同时还将与氧化层内部的深能级施主态反应.非理想样品积累区电容的下降可归因于绝缘层漏电导的急剧增大,其诱发机理可能是与氧化层内的缺陷态及界面质量有关的"charge-to-breakdown"过程.
- 闫大为李丽莎焦晋平黄红娟任舰顾晓峰
- 关键词：原子层沉积电容特性
- 0.18μm RF CMOS双向可控硅ESD防护器件的研究(英文)被引量：2
- 2013年
- 基于传统双向可控硅(DDSCR)提出了两种静电放电(ESD)保护器件,可应对正、负ESD应力从而在2个方向上对电路进行保护。传统的DDSCR通过N-well与P-well之间的雪崩击穿来触发,而提出的新器件则通过嵌入的NMOS/PMOS来改变触发机制、降低触发电压。两种改进结构均在0.18μmRFCMOS下进行流片,并使用传输线脉冲测试系统进行测试。实验数据表明,这两种新器件具有低触发电压、低漏电流(～nA),抗ESD能力均超过人体模型2kV,同时具有较高的维持电压(均超过3.3V),可保证其可靠地用于1.8V、3.3V I/O端口而避免出现闩锁问题。
- 柯逸辰梁海莲顾晓峰朱兆旻董树荣
- 关键词：静电放电双向可控硅
- 天线状ZnO纳米结构的光致发光特性及其生长机理
- 2014年
- 利用简单的碳热蒸发法在Si(100)衬底上成功制备了天线状的氧化锌纳米材料,并利用X光衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对样品进行了结构表征和光致发光特性研究。实验结果表明:制备的单晶氧化锌材料具有纤锌矿结构,并且沿着[0001]方向择优生长;每个纳米结构有4个针足,每个针足的顶部直径约为5-50nm;室温光致发光谱中包含1个386nm附近的较强的近紫外发光峰和1个523nm附近的较弱的绿色发光峰,分别由自由激子复合和深能级发射引起。同时讨论了天线状的氧化锌纳米材料在高温低氧条件下的生长机理。
- 蔡小龙王福学闫大为顾晓峰
- 关键词：氧化锌光致发光
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究被引量：2
- 2013年
- 本文首先制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构与特性等效的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管,采用步进应力测试比较了不同栅压下器件漏电流的变化情况,然后基于电流-电压和电容-电压测试验证了退化前后漏电流的传输机理,并使用失效分析技术光发射显微镜(EMMI)观测器件表面的光发射,研究了漏电流的时间依赖退化机理.实验结果表明:在栅压高于某临界值后,器件漏电流随时间开始增加,同时伴有较大的噪声.将极化电场引入电流与电场的依赖关系后,器件退化前后的log(IFP/E)与√E都遵循良好的线性关系,表明漏电流均由电子Frenkel-Poole(FP)发射主导.退化后log(IFP/E)与√E曲线斜率的减小,以及利用EMMI在栅边缘直接观察到了与缺陷存在对应关系的"热点",证明了漏电流退化的机理是:高电场在AlGaN层中诱发了新的缺陷,而缺陷密度的增加导致了FP发射电流IFP的增加.
- 任舰闫大为顾晓峰
- 关键词：ALGANGAN高电子迁移率晶体管漏电流
- 单电子晶体管电流解析模型及数值分析被引量：1
- 2013年
- 本文首先建立单电子晶体管的电流解析模型,然后将蒙特卡罗法与主方程法结合进行数值分析,研究了栅极偏压、漏极偏压、温度与隧道结电阻等参数对器件特性的影响.结果表明:对于对称结,库仑台阶随栅极偏压增大而漂移;漏极电压增大,库仑振荡振幅增强,库仑阻塞则衰减;温度升高将导致库仑台阶和库仑振荡现象消失.对于非对称结,源漏隧道结电阻比率增大,库仑阻塞现象越明显.
- 苏丽娜顾晓峰秦华闫大为
- 关键词：单电子晶体管解析模型蒙特卡罗法
- 氮化镓基高电子迁移率晶体管栅电流输运机制研究
- 2014年
- 制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构,测量了器件的变温电流-电压特性,研究其在正向与反向偏压条件下的载流子输运过程。结果表明:(1)正向低偏压线形区的电流主要为缺陷辅助隧穿电流,而体电阻效应显著的高偏压区,经典热发射机制占主导地位;(2)AlGaN势垒层中的极化电场对器件的反向漏电流起重要作用,载流子的主要输运过程为Frenkel-Poole发射机制。
- 焦晋平任舰闫大为顾晓峰
- 关键词：铝镓氮氮化镓肖特基二极管
- 四足棒球棒状ZnO纳/微米材料的制备及其生长机理的研究
- 2014年
- 采用简单的碳热蒸发法在硅衬底上制备了四足棒球棒状ZnO纳/微米材料,结合光致发光谱(PL)、阴极射线发光谱(CL)、XRD谱、SEM以及TEM等分析了该材料的结构和发光特性。结果表明,制备的单晶ZnO纳/微米材料具有纤锌矿结构,并且沿着c轴方向择优生长;每个纳/微米结构有四个足,每个足的直径约为0.2～1.5μm,长度约为3～10μm;室温光致发光谱中包含一个384 nm附近的较弱的近紫外发光峰和一个519 nm附近的较强的绿色发光峰;在单个四足状ZnO纳/微米结构不同位置获得的阴极射线发光谱也被用于对比分析。最后讨论了Ni缓冲层的作用及ZnO四足棒球棒状的生长机理。
- 王福学蔡小龙闫大为肖少庆顾晓峰
- 关键词：ZNO阴极射线发光光致发光
