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国家高技术研究发展计划(2008AA000506)

作品数:4 被引量:15H指数:2
相关作者:徐会武安振峰牛江丽闫立华任浩更多>>
相关机构:中国电子科技集团第十三研究所河北工业大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 1篇电镀
  • 1篇镀层
  • 1篇镀层厚度
  • 1篇镀液
  • 1篇应力
  • 1篇阵列
  • 1篇攀爬
  • 1篇热阻
  • 1篇准直
  • 1篇线阵
  • 1篇线阵列
  • 1篇焊料
  • 1篇厚度
  • 1篇封装
  • 1篇

机构

  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇河北工业大学

作者

  • 4篇徐会武
  • 2篇安振峰
  • 2篇闫立华
  • 2篇牛江丽
  • 1篇陈宏泰
  • 1篇任永学
  • 1篇位永平
  • 1篇李学颜
  • 1篇林琳
  • 1篇王伟
  • 1篇任浩
  • 1篇王晶
  • 1篇车相辉
  • 1篇张静
  • 1篇任永晓

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
976nm高效率半导体激光器被引量:5
2011年
976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用。通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压;通过采用微通道水冷系统,并进行优化降低了热阻,从而提高了室温下的电光转换效率。25℃室温连续测试条件下,1 cm的线阵列(巴条),2 mm腔长,50%填充因子,在110 A下,出光功率为114.2 W,电压为1.46 V,电光转换效率为71%。15条微通道封装成的垂直叠阵,进行光束整形后,获得了室温976 nm连续输出功率1 500 W,电光转换效率大于70%。
安振峰林琳徐会武陈宏泰车相辉王晶位永平
关键词:半导体激光器线阵列
808nm连续1500W阵列激光器封装被引量:6
2010年
针对高功率全固态激光器抽运源的需求,开展了808 nm连续1500 W阵列激光器封装技术研究。理论上从封装应力、封装热阻和光束整形等三方面分析了大功率激光器封装的要求。解释了封装应力来源、表现和缓解途径;模拟了微通道热沉结构的封装散热效果云图;指出了光束整形的必要性以及与封装残余应力的关系。技术上通过研制铟/金复合焊料体系,配合控制烧焊曲线和烧焊过程,得到了良好的烧焊效果;结合设计使用高精度光束整形装配夹具,实现阵列平均"smile"值2μm,发散角6 mrad的实验效果。
徐会武任永学安振峰牛江丽任浩闫立华
关键词:激光器封装应力热阻准直
In焊料电镀工艺研究被引量:2
2009年
研究了In焊料的电镀制备方法和制备过程,分析了In焊料电镀过程中出现的镀层覆盖不完全、焊料晶粒尺度大、焊料熔化后气孔较多、凝固后表面不均匀等问题的起因,并针对这些问题,作了相应的实验改进。通过调整镀液的pH值,优化电镀电流、添加光亮剂等方法,深入讨论并得到了直流、脉冲两种电镀方式下的电镀条件,实现了稳定可控的镀速和相对较小的焊料晶粒,在半导体激光器工业的焊料制备方面具有实践意义。
闫立华徐会武张静李学颜
关键词:电镀半导体激光器镀层厚度镀液
In-Au复合焊料研究被引量:2
2009年
大功率半导体激光器封装过程中,为降低封装引入的应力,踊般用In焊料进行焊接。In焊料具有易氧化、易"攀爬"的特性,因而导致封装成品率很低。提出了一种新型焊料——In-Au复合焊料,使用此焊料进行封装,很好地解决了上述问题。通过理论分析及实验摸索,确定了In-Au复合焊料蒸发条件,分别利用纯In焊料和In-Au复合焊料封装了一批激光器样品,通过对比这两组样品的焊料浸润性、电光参数、剪切强度等,发现利用In-Au复合焊料封装的样品优于纯In焊料封装的样品。
徐会武牛江丽任永晓王伟
关键词:半导体激光器攀爬成品率
共1页<1>
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