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国家自然科学基金(50502005)

作品数:10 被引量:56H指数:4
相关作者:常永勤龙毅倪赛力张寅虎多永正更多>>
相关机构:北京科技大学北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信理学化学工程更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 7篇一般工业技术
  • 4篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 7篇纳米
  • 5篇性能研究
  • 4篇氧化锌纳米
  • 4篇气相沉积
  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 4篇发光
  • 4篇场发射
  • 3篇形貌
  • 3篇稳定性
  • 3篇纳米线
  • 3篇掺杂
  • 2篇拉曼
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇ZNO
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇ZNO纳米线
  • 2篇MN掺杂
  • 1篇氧化锌

机构

  • 10篇北京科技大学
  • 4篇北京大学

作者

  • 9篇龙毅
  • 9篇常永勤
  • 5篇倪赛力
  • 4篇张寅虎
  • 4篇强文江
  • 4篇多永正
  • 4篇郭佳林
  • 3篇陆映东
  • 3篇王明文
  • 2篇叶荣昌
  • 2篇陈喜红
  • 1篇邵长景
  • 1篇王琳
  • 1篇张敬民
  • 1篇林杰
  • 1篇孔广志
  • 1篇王永威

传媒

  • 5篇功能材料
  • 2篇物理学报
  • 2篇Journa...
  • 1篇北京科技大学...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2009
  • 5篇2007
  • 1篇2006
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氧化锌纳米棒场发射性能研究被引量:19
2006年
采用简单物理气相沉积法制备出取向和非取向的氧化锌纳米棒,他们的场致电子发射性能测量结果表明,ZnO纳米棒具有较好的场发射性能,但是高度取向的ZnO纳米棒阵列并不利于获得高的场致电子发射电流密度.这可能是由于高密度ZnO纳米棒之间具有较高的屏蔽效应,降低了ZnO纳米棒阵列的场放大因子,从而影响了其场发射性能.相反,非取向ZnO纳米棒由于相互之间的屏蔽效应比较弱,而且表面存在容易成为发射中心的微小突起,表现出较好的场发射效果.这些结果不仅有助于加深我们对准一维纳米材料场致电子发射性能的理解,也为未来场发射电子器件的实际应用提供了可靠的依据.
倪赛力常永勤龙毅叶荣昌
关键词:氧化锌场发射
Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备及其光致发光性能研究被引量:1
2011年
采用化学气相沉积的方法,以Sn粉为催化剂制备出大长径比的Ga掺杂ZnO纳米线。采用扫描电子显微镜观察制备的产物,发现样品为直径约25~90nm的纳米线。通过比较不同Ga掺杂含量样品的室温光致发光谱,发现一定掺杂含量的Ga可以提高ZnO纳米线的紫外发光强度,同时,Ga的掺杂也会引起ZnO紫外发光峰的蓝移。随着Ga含量的增加,蓝移程度越来越小,甚至发生红移。Sn的引入只对Ga掺杂ZnO纳米线的蓝绿光有贡献。
陆映东常永勤张敬民王明文郭佳林王永威龙毅
关键词:光致发光化学气相沉积
Mn掺杂ZnO纳米线的拉曼散射和光致发光特性被引量:19
2007年
研究了不同Mn掺杂含量的ZnO纳米线在室温条件下的拉曼散射和光致发光性能,发现Mn掺杂入ZnO后引入了部分应力,在其拉曼光谱中表现出拉曼峰的位置发生偏移,Mn的掺杂含量越高,峰偏移得越明显。Mn的掺杂对ZnO纳米线的发光性能也有影响,尽管掺杂后仍保持有较为明显的紫外发光峰,但是,随着Mn含量的增加,紫外发光峰的强度降低,并且半峰宽逐渐增大。此外,Mn的掺杂明显地改变了ZnO紫外发光峰的位置。
倪赛力常永勤多永正张寅虎龙毅强文江叶荣昌
关键词:拉曼光致发光
Influence of Co Content on Raman and Photoluminescence Spectra of Co Doped ZnO Nanowires被引量:4
2012年
Co doped ZnO nanowires with different Co contents have been fabricated by a chemical vapor deposition method. X-ray diffraction results show that all the samples are of single phase and crystallize in wurtzite ZnO structure. The lattice parameter a increases with increasing Co content, while the parameter c has no obvious change with increasing Co. Raman spectra show that the nonpolar E2(High) mode becomes broad and weak with the doping of Co, which indicates that the incorporation of Co causes structural disorder in the crystalline columnar ZnO lattice. The photoluminescence spectra exhibit that the position of the ultraviolet emission shifts to short wavelength and the intensity decreases with increasing Co. The green emission is affected by two contrary factors. It is increased by the introduced defects, but suppressed by the interaction between Co doping and native defects and the later affects it more significantly.
Y.Q. ChangP.W. WangS.L. NiY. LongX.D. Li
关键词:CO含量荧光光谱拉曼光谱ZNO纤锌矿结构
Sn掺杂ZnO薄膜的室温气敏性能及其气敏机理被引量:3
2016年
采用化学气相沉积方法在预制好电极的玻璃基底上制备出Sn掺杂ZnO薄膜和纯ZnO薄膜.两种样品典型的形貌为四足状ZnO晶须,其直径约为150—400 nm,呈疏松状结构.气敏测试结果显示Sn掺杂ZnO薄膜具有优良的室温气敏性,并对乙醇具有良好的气敏选择性,而纯ZnO薄膜在室温条件下对乙醇和丙酮均没有气敏响应.X射线衍射结果表明两种样品均为六方纤锌矿结构.Sn掺杂ZnO样品中没有出现Sn及其氧化物的衍射峰,其衍射结果与纯ZnO样品对比,衍射峰向小角度偏移.光致发光结果表明,Sn掺杂ZnO薄膜与纯ZnO薄膜均出现紫外发光峰和缺陷发光峰,但是Sn的掺杂使得ZnO的缺陷发光峰明显增强.将Sn掺杂ZnO样品在空气中退火后,其室温气敏性消失,说明Sn掺杂ZnO样品的室温气敏性可能与其缺陷含量高有关.采用自由电子散射模型解释了Sn掺杂ZnO薄膜的室温气敏机理.
邢兰俊常永勤邵长景王琳龙毅
关键词:化学气相沉积
影响氧化锌纳米材料场发射性能的因素被引量:1
2007年
采用物理气相沉积的方法通过控制生长参数,在硅衬底上获得不同形貌的氧化锌纳米阵列.在金属场发射系统中测量了它们的场致电子发射性能,发现阴极发射电流不稳定主要是由于氧化锌纳米阵列的不均匀性造成的.采用高压励炼技术可以增强氧化锌场发射的稳定性,使电流波动明显降低.此外,形貌对氧化锌纳米阵列的场发射电流密度和阈值电压有明显影响,而且不同形貌的氧化锌纳米阵列的抗溅射能力也不相同.
倪赛力常永勤陈喜红张寅虎多永正强文江龙毅
关键词:场发射形貌稳定性
气相沉积法制备Co掺杂ZnO纳米线的磁学性能研究
研究了气相沉积方法制备的 Co 掺杂 ZnO 纳米线的结构及其磁学性能.结果表明,Co 离子代替 Zn 离子的位置进入 ZnO 晶格,样品的磁性能对实验条件的依赖性比较大,通入适量空气的条件下制备的样品具有室温铁磁性.
多永正常永勤郭佳林龙毅强文江
关键词:气相沉积室温铁磁性
文献传递
常压条件下制备SnO_2纳米线及其光学性能研究被引量:3
2009年
在常压条件下采用气相沉积方法制备出SnO2纳米线,X射线衍射和Raman光谱结果均表明制备出来的产物为金红石结构。在样品的光致发光谱中观察到缺陷发光峰。研究还发现蒸发源及其放置时间在SnO2纳米线的形成过程中起重要的作用。
陆映东常永勤孔广志王明文郭佳林龙毅张寅虎林杰
关键词:SNO2纳米线常压气相沉积光致发光
氧化锌纳米阵列场发射性能研究
采用物理气相沉积的方法通过控制生长参数, 在硅衬底上获得不同形貌的氧化锌纳米阵列.在金属场发射系统中测量了它们的场致电子发射性能,发现阴极发射电流不稳定主要是由于氧化锌纳米阵列的不均匀性造成的.采用高压励炼技术可以增强氧...
倪赛力常永勤陈喜红张寅虎多永正强文江龙毅
关键词:场发射形貌稳定性
文献传递
Sn掺杂ZnO纳米带的制备及其光致发光性能研究被引量:4
2009年
采用热蒸发法制备了单晶Sn掺杂ZnO纳米带,其中Sn的掺杂含量约为5%(原子分数)。X射线衍射(XRD)结果表明Sn掺杂ZnO纳米带为单相纤锌矿结构。X射线光电子能谱(XPS)表明样品中Sn的价态为4+。样品的室温光致发光谱(PL)在445.8nm处存在较强的蓝光发射峰,对其发光机制进行了分析。
郭佳林常永勤王明文陆映东龙毅
关键词:光致发光热蒸发
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