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浙江省科技厅基金(2008C31013)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：蔡南科蒋洪奎朱自强虞献文更多>>
相关机构：华东师范大学浙江师范大学更多>>
发文基金：浙江省科技厅基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子发射
  • 1篇多孔硅
  • 1篇性能研究
  • 1篇阳极氧化法
  • 1篇微结构
  • 1篇场电子发射
  • 1篇场发射

机构

  • 1篇华东师范大学
  • 1篇浙江师范大学

作者

  • 1篇虞献文
  • 1篇朱自强
  • 1篇蒋洪奎
  • 1篇蔡南科

传媒

  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
多孔硅微结构与场发射性能研究被引量：2
2010年
采用阳极氧化及阴极还原表面处理技术制备性能稳定的纳米多孔硅薄膜。用原子力显微镜(AFM)表征多孔硅的表面形貌,用扫描电子显微镜(SEM)表征多孔硅的横截面结构。采用场发射测试装置研究了阳极氧化腐蚀时间及等离子表面处理对多孔硅场发射性能影响。结果表明,阳极氧化腐蚀时间越长,所得多孔硅场发射性能越好,相对应的开启电压越低,电流密度越大;等离子处理可有效提高场发射性能,等离子处理后的多孔硅薄膜作为阴极发射材料具有极大的潜能。
蔡南科蒋洪奎朱自强虞献文
关键词：多孔硅阳极氧化法场电子发射
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