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江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ10380)

作品数:1 被引量:5H指数:1
相关作者:徐鹏赖珍荃范定环王震东更多>>
相关机构:南昌大学更多>>
发文基金:江西省自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电学性能
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇MO薄膜
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇南昌大学

作者

  • 1篇王震东
  • 1篇范定环
  • 1篇赖珍荃
  • 1篇徐鹏

传媒

  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2011
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
高择优取向Mo薄膜的直流磁控溅射制备及其电学性能被引量:5
2011年
使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积Mo薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜和四探针测试系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响.结果表明:当基片温度为150℃时,薄膜获得(211)晶面择优取向生长,而在低于250℃的其它温度条件下,样品则表现为(110)晶面择优取向生长.进一步的表面形貌分析显示:薄膜的粗糙度随基片温度变化不明显,其值大约为0.35nm,随溅射功率密度的增大而变大;电学性能方面:随着溅射功率密度的升高,薄膜导电性能迅速增强,电阻率呈现近似指数函数衰减;随着基底温度的升高,薄膜的电阻率先减小后增大,当基底温度为150℃时,薄膜电阻率降低至最小值2.02×10-5Ω.cm.
王震东赖珍荃范定环徐鹏
关键词:直流磁控溅射MO薄膜电学性能
共1页<1>
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