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国家自然科学基金(10964016)

作品数:12 被引量:15H指数:3
相关作者:杨宇王茺李亮杨杰靳映霞更多>>
相关机构:云南大学中国科学院昆明理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目云南省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 7篇会议论文

领域

  • 15篇理学
  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇溅射
  • 5篇离子束
  • 5篇离子束溅射
  • 5篇量子
  • 5篇量子点
  • 4篇离子注入
  • 4篇光谱
  • 4篇RAMAN光...
  • 4篇表面形貌
  • 3篇发光
  • 3篇GE/SI
  • 3篇SELF
  • 3篇PHOTOL...
  • 2篇退火
  • 2篇纳米
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇P-MOSF...
  • 2篇SILICO...
  • 2篇GE量子点

机构

  • 15篇云南大学
  • 5篇昆明理工大学
  • 4篇中国科学院
  • 1篇南京大学
  • 1篇中国移动通信...

作者

  • 12篇杨宇
  • 11篇王茺
  • 5篇李亮
  • 4篇杨杰
  • 4篇鲁植全
  • 4篇靳映霞
  • 3篇杨洲
  • 3篇胡伟达
  • 3篇张学贵
  • 2篇韦冬
  • 2篇王洪涛
  • 2篇潘红星
  • 1篇陶东平
  • 1篇周原
  • 1篇熊飞
  • 1篇于杰
  • 1篇杨瑞东
  • 1篇叶小松
  • 1篇关中杰

传媒

  • 4篇物理学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇Chines...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇材料导报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 5篇2011
  • 7篇2010
  • 1篇2009
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响被引量:1
2012年
利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。
叶小松王茺关中杰靳映霞李亮杨宇
关键词:磁控溅射表面形貌
硅离子注入SOI晶片中发光研究
2012年
本文报道了通过500 keV从1013cm-2到3×1014cm-2的不同剂量的28Si离子自注入技术,结合不同温区退火,在SOI晶片中引入一系列发光中心(X,W,R,D4,D3,D2和D1中心)研究。采用光致发光测量表征,分别研究了退火温度、注入剂量以及测试温度对样品光学性质的影响。研究发现,W线的最佳退火温度大约为275℃,注入剂量为1013cm-2量级;R线发光强度最大时需要的注入剂量为3×1013cm-2,退火温度为700℃;与体Si晶体不同,离子注入SOI晶片内仅在275℃的低温退火3 min,在1013cm-2小剂量样品的PL谱中也观察到D1和D2带。本研究结果为硅基红外光电器件的探索奠定了基础。
杨宇杨杰靳映霞王茺
关键词:光致发光离子注入退火
C+离子注入Si晶体中堆垛层错的研究
在室温下能量为60keV,剂量为3.0×1015cm-2对晶面指数为(400)的P型硅样品中进行了的C+离子注入,对样品进行了XRD和拉曼光谱测试,同时与计算注入后样品的平均晶粒尺寸进行了对比,发现样品出现明显的晶格损伤...
周原王茺韦冬杨宇
关键词:堆垛层错
文献传递
Red Light Emission from Silicon Created by Self-ion Implantation and Thermal Annealing
Silicon substrates were implanted with Si ions at an energy of 60 keV to a dose of 5×10 cm followed by a therm...
Sai LuChong WangWen-jie WangJie YuJie YangYu Yang
关键词:PHOTOLUMINESCENCEANNEALING
文献传递
Ge/Si量子点生长的研究进展被引量:1
2010年
回顾了近年来在Ge/Si量子点生长方面的研究进展。主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法,如图形衬底辅助生长、表面原子掺杂及利用超薄SiO2层辅助生长等,以及Ge量子点的演变及组分变化。
鲁植全王茺杨宇
关键词:图形衬底
Study on the defect-related emissions in the light self-ion-implanted Si films by a silicon-on-insulator structure被引量:3
2011年
This paper reports that the Si+ self-ion-implantation are conducted on the silicon-on-insulator wafers with the 2SSi+ doses of 7 ×1012, 1 × 1013, 4 × 1013, and 3× 1014 cm-2, respectively. After the suitable annealing, these samples are characterized by using the photoluminescence technique at different recorded temperatures. Plentiful emission peaks are observed in these implanted silicon-on-insulator samples, including the unwonted intense P~ band which exhibits a great potential in the optoelectronic application. These results indicate that severe transformation of the interstitial clusters can be manipulated by the implanting dose at suitable annealing temperatures. The high critical temperatures for the photoluminescence intensity growth of the two signatures are well discussed based on the thermal ionization model of free exciton.
王茺杨宇杨瑞东李亮熊飞
关键词:PHOTOLUMINESCENCESILICON-ON-INSULATOR
Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响被引量:2
2011年
利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系.通过改变Si1-xGex沟道的长度,并结合相关物理模型,在低电场情况下,沟道中的空穴迁移率与总电阻对沟道长度的微分成反比关系.
杨洲王茺王洪涛胡伟达杨宇
关键词:沟道P-MOSFET空穴迁移率栅电容
绝缘氧化层上自离子注入Si薄膜W线发光性能的调控
2011年
对SOI基片上的Si薄膜进行了一系列Si+自注入和热退火的改性实验,并利用低温光致发光(PL)光谱对这些Si薄膜样品的发光性能进行了测试.在这些SOI样品的PL光谱中观察到了丰富的光学结构,包括D1,D2,D3,X以及异常尖锐的W线.通过对比在同等光谱测试条件下的W线归一化强度,获得了针对SOI基片发射W线较为理想的自注入和热退火参数.同时,还对D系列发光峰以及W线的缺陷起源和光学性质进行了很好的讨论.
王茺杨宇杨瑞东李亮韦冬靳映霞Bao Ji-Ming
关键词:SOI结构
离子束溅射自组装生长Ge/Si量子点浸润层的研究
采用离子束溅射技术,通过控制沉积量、温度等参数,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,并研究浸润层随生长参数的变化情况。结果表明,在离子束溅射...
张学贵王茺杨杰鲁植全潘红星李亮杨宇
关键词:离子束溅射GE量子点表面形貌RAMAN光谱
文献传递
Coulomb effects in the Ge/Si Single Quantum Dot
Using scanning probe microscopy(SPM) technique,the electronic properties of Ge/Si quantum dots(QDs) have been ...
Lihong ZhangChong WangJie YangJintao YaoYu Yang
文献传递
共2页<12>
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