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中国科学院知识创新工程(2A2011YYYJ-1123)

作品数:2 被引量:0H指数:0
相关作者:白阳金智贾锐武德起刘新宇更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇太赫兹
  • 2篇磷化铟
  • 2篇赫兹
  • 1篇退火
  • 1篇腔体
  • 1篇金属
  • 1篇合金
  • 1篇反面
  • 1篇封装

机构

  • 2篇中国科学院微...

作者

  • 2篇刘新宇
  • 2篇武德起
  • 2篇贾锐
  • 2篇金智
  • 2篇白阳

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 2篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于耿氏效应的太赫兹器件的研究进展
2013年
介绍基于耿氏效应的器件在太赫兹领域的研究,详细地阐述耿氏二级管的原理、工艺流程、关键技术的解决和耿氏二极管频率和功率的提高等。重点介绍耿氏二极管的封装工艺和耿氏二极管腔体的具体结构。系统论述通过制备腔体需要的关键尺寸,如腔体内部尺寸、波导型号,从而提取基波与谐波,并提出其提高频率和功率的途径。
白阳贾锐金智刘新宇武德起
关键词:太赫兹磷化铟
耿氏管的合金金属及正面反面工艺的研究
2013年
介绍了一种实现低成本、高功率、高散热性能耿氏管的工艺制备流程,利用分子束外延生长技术(MBE)在高掺杂的InP衬底上生长n n+型的一致性掺杂外延结构,在外延结构正面利用电子束蒸发Ge/Au/Ni/Au作为器件阴极和电镀金制备作为散热层,背面通过化学湿法腐蚀形成台面(MESA)。在不同的温度下进行了退火对比实验,研究了阴极合金形成良好欧姆接触的温度条件。结果表明:退火温度为450℃时形成的金属电极的接触效果最好。关于耿氏管的正面反面制备工艺简便易行,利用Ge/Au/Ni/Au制备金属电极得到了良好的欧姆接触性能,用氯基溶液进行了湿法腐蚀实验得到了较好的垂直台面(MESA)。该制备方法有望实现优良性能的耿氏器件。
白阳贾锐刘新宇武德起金智
关键词:太赫兹磷化铟退火
共1页<1>
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