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CdS纳米带的合成及其自组装机理: 2013年; 一维CdS纳米材料具有独特的光电性质,在纳米器件中有广泛应用。首先在水相中合成了CdS纳米带,然后借助扫描电镜、透射电镜、傅里叶变换红外光谱、能量色散谱、Zeta电位和荧光光谱等技术手段对纳米带进行了表征,并探讨了CdS纳米带的自组装机理。研究表明,这种多晶CdS纳米带是由CdTe纳米粒子中的Te^(2-)缓慢氧化而得到的CdS纳米晶自组装形成的,强烈的偶极一偶极作用力是纳米粒子自组装的主要驱动力。纳米带的宽度为50～400 nm,厚度为10～20 nm,长度为几微米到几十微米。终产物中Cd、S元素的原子百分比接近1:1,而Te的含量几乎为0,说明Te^(2-)基本上被S^(2-)所取代。; 雷达沈永涛封伟; 关键词：自组装硫化镉纳米带

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国家教育部博士点基金(20110032120021)