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国家自然科学基金(10474059)

作品数:18 被引量:76H指数:6
相关作者:满宝元刘爱华刘玫周新玲陈传松更多>>
相关机构:山东师范大学济南大学德州学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域:理学机械工程电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 18篇中文期刊文章

领域

  • 11篇理学
  • 5篇机械工程
  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 7篇激光
  • 4篇脉冲激光
  • 3篇等离子体
  • 3篇发光
  • 3篇半导体
  • 3篇PLD
  • 2篇烧蚀
  • 2篇准分子
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇脉冲激光烧蚀
  • 2篇激光等离子体
  • 2篇激光烧蚀
  • 2篇光谱
  • 2篇二极管
  • 2篇发光二极管
  • 2篇分子
  • 2篇半导体材料
  • 2篇PLD法
  • 2篇TE

机构

  • 15篇山东师范大学
  • 2篇济南大学
  • 1篇德州学院
  • 1篇山东交通学院
  • 1篇中国科学院

作者

  • 12篇满宝元
  • 4篇刘爱华
  • 3篇陈传松
  • 3篇周新玲
  • 3篇郭娟
  • 3篇刘玫
  • 2篇王娟
  • 2篇张铭杨
  • 2篇戚树明
  • 2篇孙刚
  • 2篇张运海
  • 2篇魏显起
  • 1篇冯立兵
  • 1篇徐建波
  • 1篇王公堂
  • 1篇马玉英
  • 1篇张秋菊
  • 1篇王春兴
  • 1篇孙振翠
  • 1篇武慧春

传媒

  • 4篇山东师范大学...
  • 2篇光学学报
  • 2篇Chines...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇传感器技术
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇功能材料
  • 1篇激光杂志
  • 1篇徐州师范大学...
  • 1篇量子光学学报
  • 1篇济南大学学报...
  • 1篇Nuclea...
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 6篇2007
  • 4篇2006
  • 3篇2005
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
准分子激光辐照HgCdTe半导体材料的损伤机理研究被引量:6
2009年
利用光学显微镜和扫描电子显微镜对248 nm准分子脉冲强激光辐照的HgCdTe晶片表面进行了观察,观察到一些与红外波段内激光辐照HgCdTe晶片时大不相同的实验现象。研究表明,红外波段内1 064nm激光辐照HgCdTe半导体材料的损伤机制主要为光热作用,而紫外波段248 nm准分子激光对HgCdTe材料的损伤机制既包含光化学作用也包含光热作用。分析了准分子激光对晶体的机械破坏现象,同时对HgCdTe材料在激光辐照区的条纹产生机理进行了探讨,发现激光驱动声波理论模型比光学模型和热导波模型能更好地解释HgCdTe晶体表面的条纹现象。
戚树明陈传松周新玲郭娟王娟满宝元
关键词:HGCDTE
Investigation of pulsed laser ablation process of Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te被引量:1
2007年
The vaporization threshold was measured under the irradiation of 1.064-μm, 10-ns pulsed laser. Then we calculated the vaporization temperature based on the conservation law of energy and analyzed the vaporization time based on our established model. These results coincided well with the information from the micrograph of scanning electron microscope (SEM) and the spectra of the plasma. Besides, the laser ablation rate was also computed and discussed theoretically.
周新玲陈传松满宝元郭娟
关键词:VAPORIZATION
He-Ne放电等离子体电子温度轴向分布研究被引量:1
2005年
用OMA-Ⅲ测量了放电管长为100cm的He-Ne激光器的旁侧光谱.利用探极———光谱法,研究了放电等离子体电子温度的轴向分布特点及随放电电流的变化关系.
王公堂王春兴满宝元
关键词:等离子体电子温度
Influence of ambient pressure on properties and expansion of laser-induced plasma被引量:1
2006年
A Nd:YAG pulsed laser is used to ablate HgCdTe target at different ambient pressures, the emission spectrum is detected by a time- and space-resolved diagnostic technique. It is found that the characteristics of time-resolved emission spectra are influenced by the pressure of background gas. A theoretical model is developed to investigate expansion mechanism of plasma, the time evolution of the propagation distances and the velocities of plasma plume are calculated by the model at pressures of 1.01 × 10^5, 1000, and 5 Pa, respectively. The calculated results are well consistent with the experimental data.
张永强陈传松周新玲郭娟张庆刚满宝元
飞秒强激光脉冲在等离子体中的自压缩被引量:2
2007年
文章从激光等离子体相互作用的非线性薛定谔方程出发,理论研究了飞秒强激光脉冲在等离子体中的自压缩行为.结果表明在一定范围内随着激光脉冲宽度、激光强度的增大以及等离子体密度的减小,飞秒强激光脉冲在等离子体中传播的自压缩现象越明显.另外通过适当设定参量得到了近似稳定传播的基孤子.
孙刚张秋菊武慧春满宝元
关键词:激光等离子体相互作用非线性薛定谔方程
PLD法制备ZnO薄膜的退火特性和蓝光机制研究被引量:10
2009年
通过脉冲激光沉积(PLD)方法,在O2中和100~500℃衬底温度下,用粉末靶在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜,在300℃温度下生长的薄膜在400~800℃温度和N2氛围中进行了退火处理,用X射线衍射(XRD)谱、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱表征薄膜的结构和光学特性。XRD谱显示,在生长温度300℃时获得较好的复晶薄膜,在退火温度700℃时获得最好的六方结构的结晶薄膜;AFM显示,在此退火条件下,薄膜表面平整、晶粒均匀;PL谱结果显示,在700℃退火时有最好的光学特性。
魏显起张铭杨满宝元
关键词:ZNO薄膜表面形貌
氧压对用PLD法制备的ZnO薄膜的特性影响
2009年
通过脉冲激光沉积方法在不同的氧压中制备ZnO薄膜。用X射线衍射(XRD)谱、原子力显微镜(AFM)及光学透过率谱表征了薄膜的结构和光学特性。XRD谱和AFM显示在生长压力为2Pa时获得了较好的结晶薄膜,随着氧压的提升薄膜表面平整,晶粒均匀。光学透过率谱显示在生长压力为5Pa时有较好的光学特性。
魏显起张铭杨满宝元
关键词:PLDZNO薄膜晶体结构表面形貌光学特性
冲床自动保护装置的设计被引量:11
2005年
设计了一种用红外二极管控制的光电自动保护装置,操作者未进入危险区域时,保护装置没有反应;一旦人体进入危险区域,装置立即报警,并同时切断电动机电源。其特点是控制准确率高(1 m内,有效控制率为100%)、制作简单、成本低。适宜在涉及冲压作业的现场推广应用。
刘爱华
关键词:保护装置红外发光二极管多谐振荡器
ZnO多角晶须的制备及表征被引量:2
2010年
采用脉冲激光沉积技术先在Si(111)衬底上制备Zn薄膜,然后在石英炉中热蒸发金属锌粉的方法制备了ZnO晶须。分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光(PL)谱对样品的结构、成分、形貌和光学特性进行了表征。结果表明,采用此方法得到的ZnO多角晶须为六方纤锌矿结构,其根部直径大约在100~500nm之间,尖部直径大约为40nm左右,长约几个微米。Zn薄膜能够有效地促使晶核的形成与长大从而促进了ZnO晶须的形成。最后,简单讨论了ZnO纳米晶须的生长机制。
冯立兵刘爱华刘玫马玉英满宝元
关键词:ZNO晶须X射线衍射光致发光
溅射Ga_2O_3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法制备GaN薄膜被引量:1
2007年
用溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法分别在硅和蓝宝石衬底上制备CaN薄膜,用X射线衍射图谱(XRD)和原子力显微镜(AFM)对GaN薄膜的结构和形貌进行分析,结果表明,采用两种方法在两种衬底上均可制备出结晶较好的CaN薄膜,但硅衬底上制备的GaN薄膜的晶粒明显大于在蓝宝石衬底上制备的GaN薄膜的晶粒,进一步表明硅基溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜晶化程度较高.
伊长虹孙振翠刘玫张庆刚满宝元薛成山
共2页<12>
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