国家留学基金(200321G030)
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
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- 相关机构：兰州理工大学麻省理工学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 纳米制造中污染物的检测与清除被引量：1
- 2007年
- 研究纳米器件和超大规模集成电路制造中污染物的来源及其特点.列出简单方便、实用有效的清除污染物的方法和步骤,通过该方法,可以清除基底表面大于300 nm的有机和无机污染物.给出简单地检测和评估基底表面污染物含量和大小的方法,并设计一种实验室在线测量空气中悬浮粒子浓度的简单设备,提出制备超纯净水的工艺流程.
- 戴剑锋李维学王青ZHANG FengSMITH Henry I.
- 关键词：污染物
- 采用超临界CO_2流体清除硅芯片上的纳米粒子被引量：4
- 2009年
- 分析了Cu和Au纳米粒子在硅芯片表面的各种黏结机理,表明金属及其氧化物纳米粒子与硅芯片表面的主要黏结力为范德瓦耳斯力、静电双层吸引力和毛细吸附力.建立了高速流体清除纳米粒子的动力学模型,表明超临界CO2流体清除纳米粒子的机制是以滚动清除为主.与高压CO2气体相比,超临界CO2流体的密度高,有效增加了作用在纳米粒子上的拖拉力,同时消除了毛细吸附力,所以可以显著提高纳米粒子的清除效率.当超临界CO2流体的速度达到10.4m/s时,即可将直径为30nm的金属铜污染粒子清除掉;随着流体速度的增加,可清除更加微小的粒子.
- 戴剑锋孙毅彬张超李扬王青李维学
- 关键词：黏结超临界CO2流体
