国家高技术研究发展计划(2002AA312040)
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 相关作者：李献杰赵永林蔡道民江李曾庆明更多>>
- 相关机构：中国科学院河北半导体研究所中国电子科技集团公司更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
- 2005年
- 从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.
- 李献杰蔡道民赵永林王全树周州曾庆明
- 关键词：INP自对准工艺湿法腐蚀
- InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究被引量：1
- 2007年
- 介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;
- 蔡道民李献杰赵永林刘跳林涛江李马晓宇
- 关键词：INP自对准
- 基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC
- 2007年
- 采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9.
- 李献杰赵永林蔡道民曾庆明蒲运章郭亚娜王志功王蓉齐鸣陈晓杰徐安怀
- 关键词：INPINGAASHBTOEIC
- InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长被引量：1
- 2005年
- 为了生长制作器件所需的外延片 ,采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管 (HBT)结构、1 5 5 μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发射光电集成电路材料结构 .激光器结构的生长温度为 6 5 5℃ ,有源区为 5个周期的InGaAsP/InGaAsP多量子阱 (阱区λ =1 6 μm ,垒区λ =1 2 8μm) ;HBT结构则采用 5 5 0℃低温生长 ,其中基区采用Zn掺杂 ,掺杂浓度约为 2× 10 19cm-3 .对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射 ,光致发光谱和二次离子质谱仪的测试 ,结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求 .
- 江李林涛韦欣王国宏张广泽张洪波马骁宇李献杰
- 关键词：金属有机化学气相沉积光电集成电路异质结双极晶体管
- OEIC用HBT材料的MOCVD生长技术研究
- 在550℃的低温下,利用低压金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）方法在半绝缘InP衬底上生长出InP/InGaAs异质结双极晶体管（HBT）材料结构。通过低温生长提高了HBT基区p型掺杂浓度,达到2×1019cm-3...
- 江李林涛韦欣王国宏张广泽马骁宇李献杰
- 关键词：异质结双极晶体管铟镓砷磷化铟
- 文献传递
