国家高技术研究发展计划(2003AA1Z1400)
- 作品数：12 被引量：101H指数：4
- 相关作者：柯导明陈军宁孙伟锋孟坚时龙兴更多>>
- 相关机构：安徽大学东南大学香港理工大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金安徽省教育厅重点科研项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型
- 分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式。对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果...
- 孟坚高珊陈军宁柯导明孙伟锋时龙兴徐超
- 关键词：导通电阻解析模型
- 文献传递
- 参数共振微扰法在Boost变换器混沌控制中的实现及其优化被引量：66
- 2004年
- 参数共振微扰法是一种简单的非反馈混沌控制方法 ,它十分适合非自治系统的混沌控制 .研究了这种方法在电流模式控制Boost变换器混沌控制中的应用 ,并通过对扰动相位进行优化 ,达到最优的混沌控制结果 .同时对参数共振微扰法及其优化方法在Boost变换器混沌控制中的作用进行了理论分析 ,推导并计算了各种电路参数变化对有效的混沌控制所需的扰动的影响 .
- 周宇飞陈军宁谢智刚柯导明时龙兴孙伟锋
- 关键词：混沌控制微扰法非自治系统BOOST变换器电流模式控制电路参数
- SOI LDMOS晶体管耐压结构的研究被引量：4
- 2005年
- SOI 技术已经成功的应用到功率集成电路中,而击穿电压是功率器件一个重要的参数。本文对SOI LDMOS 的击穿电压进行了分析,介绍了目前国内外几种典型的提高击穿电压的结构,较为详细的分析了RESURF 原理的应用。
- 吴秀龙陈军宁孟坚高珊柯导明
- 关键词：击穿电压SOILDMOS功率器件
- 平板显示器驱动芯片中NLDMOS寄生电容被引量：3
- 2005年
- 功率器件寄生电容的大小直接关系到平板显示器驱动芯片的功耗及性能.本文利用器件的动态电流来分析NLDMOS寄生电容特性.在不影响NLDMOS直流特性的前提下,通过改变鸟嘴位置,得到具有低寄生电容的高性能器件.将该器件应用于平板显示器驱动芯片高低压转换电路,模拟结果证明该电路的自身功耗降低了34%,高压输出对低压控制信号的扰动减小了32%.
- 李海松孙伟锋易扬波俞军军陆生礼
- 关键词：低功耗寄生电容
- 四端硅压力传感器输出电压的解析模型被引量：1
- 2005年
- 本文用摄动法求解了横向压阻效应四端硅压力传感器输出电压的两维偏微分方程,导出了器件的输出电压与器件尺寸的关系;证明了随应力而变的输出电压最大值在器件横向L/2处,并给出了最大输出电压的解析表达式.这些解析公式得到的计算结果,都和数值解、实验数据相符合,说明了得到的公式具有高的精度.用所给的解析表达式可以很方便地进行器件设计和模拟.
- 陆生礼柯导明陈军宁孟坚朱德智
- 电流模式控制Boost变换器中的呼吸现象被引量：17
- 2005年
- 本文揭示了在电流模式控制Boost变换器中,由于存在内部或外部耦合电路引起的传导和辐射干扰,使得有可能产生呼吸现象,这是一种以较长的周期按顺序交替历经规则、分谐波和混沌状态的时间分叉现象,在功率变换电路中是一种非正常的工作状态.可以通过建立具有固定初相位的模拟干扰信号,并使其频率与变换器的开关频率相同,以便将呼吸现象(时间分叉)转换为参数分叉,并从分叉控制的角度来对这种呼吸现象进行合理解释和理论分析,从而给出变换器稳定设计的理论依据.理论分析结果与数值仿真是完全一致的,另外,在电路实验中也得到了印证.
- 周宇飞陈军宁柯导明
- 关键词：BOOST变换器电流模式控制功率变换电路辐射干扰耦合电路电路实验
- 硅高压VDMOS漂移区静态物理模型的一种改进被引量：1
- 2006年
- 在Yeong-seukKim等人模型[1]的基础之上,提出了一种改进的VDMOS静态物理模型。该模型特别考虑了VDMOS器件中漂移区载流子的密度分布,并且近似得到了漂移区中泊松方程的解析解。器件模拟软件MEDICI的模拟结果验证了改进静态物理模型的计算精度,与Yeong-seukKim等人的模型相比,改进模型的计算精度有较大的提高。
- 鲍嘉明孙伟锋赵野陆生礼
- 关键词：解析解
- 用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型
- 分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式。对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果...
- 孟坚高珊陈军宁柯导明孙伟锋时龙兴徐超
- 关键词：导通电阻解析模型
- 硅四端横向压阻式压力传感器的解析模型被引量：1
- 2005年
- 用摄动法求解了硅横向压阻效应四端器件的偏微分方程.用渐近解的分析方法对所求到的解进行简化,导出了硅横向压阻效应四端压力传感器的输出电压表达式.所得公式能够定量表达输出电压与输入参量和器件几何参数的关系,所得到结果与数值解和实验结果吻合.
- 周国祥柯导明陈军宁徐海卫
- 关键词：硅压阻效应解析模型压力传感器摄动法
- 四端硅压力传感器的解析模型被引量：3
- 2004年
- 利用正则摄动法,采用合理的边界条件,求解四端硅压力传感器二维电势的偏微分方程,得出了该传感器二维电势的解析表达式;并由此导出了随应力而变的最大输出电压的解析表达式,且给出了输出电压与器件尺寸的精确关系。该模型物理意义明确,参数提取方便,其计算结果与数值解、实验数据较好吻合,可以很方便地进行器件设计和模拟。
- 丁浩樊进尹燕洪琪柯导明陈军宁
- 关键词：解析模型输出电压
