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北京市自然科学基金(4123092)

作品数:15 被引量:39H指数:4
相关作者:侯立刚彭晓宏汪金辉吴武臣杨洪艳更多>>
相关机构:北京工业大学中国人民武装警察部队学院北京华大九天软件有限公司更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 15篇中文期刊文章

领域

  • 14篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 3篇温度系数
  • 3篇芯片
  • 3篇放大器
  • 2篇电压源设计
  • 2篇音频
  • 2篇无线
  • 2篇滤波器
  • 2篇基准电压
  • 2篇基准电压源
  • 2篇
  • 2篇CMOS
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇低电压
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电流
  • 1篇电流镜
  • 1篇电流模

机构

  • 14篇北京工业大学
  • 2篇中国人民武装...
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇中北大学
  • 1篇北京华大九天...

作者

  • 9篇侯立刚
  • 6篇彭晓宏
  • 6篇汪金辉
  • 3篇杨洪艳
  • 3篇万培元
  • 3篇吴武臣
  • 2篇牛伟
  • 2篇冯超
  • 2篇吕本强
  • 2篇胡勇
  • 2篇刘云康
  • 2篇朱治鼎
  • 1篇杨红艳
  • 1篇郝群
  • 1篇刘文斌
  • 1篇袁颖
  • 1篇朱志鼎
  • 1篇朱士群
  • 1篇苏丽梅
  • 1篇刁麓弘

传媒

  • 4篇微电子学
  • 4篇现代电子技术
  • 2篇电子设计工程
  • 1篇计算机辅助设...
  • 1篇软件
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇中北大学学报...
  • 1篇中国科技论文

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 6篇2014
  • 7篇2013
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于0.13μm CMOS技术的超宽带低噪放大器设计被引量:1
2013年
针对信号频段为3.1~10.6GHz的超宽带系统射频前端,提出一种基于0.13μm CMOS技术的低噪声放大器设计与实现.该放大器采用两级结构,通过第一级单端型电阻反馈和第二级单端转差分型电压缓冲器的级联设计,在获得足够的信号功率增益的同时,能够实现超宽带范围内的输入匹配.整体电路仿真结果表明:在3.1~10.6GHz的工作频段,电压增益为23.2dB,输入回波损耗小于-13dB.在6GHz时噪声系数最小值为2.4dB,最大值为2.7dB,输入三阶交调截取点(IIP3)为-11.9dBm.在1.2V电源电压下,该低噪声放大器功耗为12.2mW,芯片面积为0.32mm2.
苏丽梅郝群马建荣
关键词:CMOS低噪声放大器超宽带
大电流,微功耗,小体积单片LDO的设计与实现被引量:1
2013年
以设计输出电流为700 mA,静态电流为50μA,芯片面积为1.5 mm×2.0 mm的LDO线性稳压器为目标,提出的LDO电路利用基准电路的输出直接作为芯片的输出,用基准电路所固有的跨导放大器对输出进行检测并反馈至单级放大器,放大后输出至功率管的基极,控制功率管输出额定的电压和电流。无需冗余的误差放大器,使得环路补偿极为简单,不存在传统LDO的补偿难题。在电路上把传统LDO电路所需各个模块的功能糅合到了一个较为简单的电路中,大大减小了芯片面积,并且减小了静态电流。对电路进行了仿真分析并采用2μm 36 V Bipolar工艺生产实现,流片后的测试结果表明该芯片实现了大电流,微功耗,小体积的特性。
彭晓宏朱治鼎侯立刚汪金辉吴武臣
关键词:线性稳压器大电流跨导放大器BIPOLAR
一种具有温度补偿的时钟振荡器设计被引量:2
2014年
介绍了一种采用0.35μmCMOS工艺制作的具有温度补偿的时钟振荡器电路。从环形振荡器的基本原理出发,基于对CMOS工艺各种非理想性因素的分析,提出一种新型的工艺补偿电路,减小振荡器偏置电流随阈值电压的漂移;在延迟单元的设计中,引入NMOS交叉耦合对组成的交流负阻抗来进一步补偿PMOS迁移率随温度的变化,从而有效抑制输出频率随温度的变化。该振荡器电路用于MEMS加速度计读出电路芯片。样品电路测试结果表明,在一20~100℃温度范围内,时钟振荡器的频率仅变化38kHz。
武威万培元侯立刚林平分
关键词:环形振荡器温度补偿
应用于音频设备的14-bit Sigma-delta调制器的设计被引量:2
2016年
文中针对AUDIO CODEC IP核项目的实际需求,设计了一款应用于音频设备的14-bit Sigma-delta调制器。采用过采样率(OSR)为256倍的2阶1-bit CIFB结构,应用了包含电路级噪声和非理想因素影响的simulink模型进行行为级仿真。在华力HLMC 55 nm CMOS工艺下,Sigma-delta调制器采用开关电容积分电路来实现,各级积分器采用特殊的开关控制以减小电容大小,从而减小芯片面积,其测试结果可以达到SNDR=84.1d B(ENOB=13.67 bits)。
代田慧彭晓宏
关键词:音频设备SIGMA-DELTA调制器过采样开关电容
防串扰的3D芯片TSV自动布局被引量:4
2013年
为了防止3D芯片中的硅过孔(TSV)串扰,提出一种TSV自动排布算法.该算法结合TSV串扰的机理,利用Comsol证明了通过接地TSV解决屏蔽方法的有效性,完成了对接地TSV屏蔽效果的量化;提出电源?接地TSV和信号TSV自动排布算法,其中考虑了不同类型TSV比例和工艺最小间距对3D芯片性能的影响.最后利用IBM基准电路进行仿真,结果表明,文中算法可以防串扰的目的对电路中TSV进行自动布局.
侯立刚李春桥白澍汪金辉刁麓弘刘伟平
关键词:3D芯片串扰
采用增益提高技术的两级放大器的设计
2013年
基于chartered 0.35μm工艺,采用PMOS管作为输入管的折叠式共源共栅结构,设计了一种采用增益提高技术的两级运算放大器。利用Cadence公司的spectre对电路进行仿真,该电路在3.3 V电源电压下具有125.8 dB的直流开环增益,2.43 MHz的单位增益带宽,61.2°的相位裕度,96.3 dB的共模抑制比。
刘云康彭晓宏胡勇侯立刚朱志鼎吕本强
关键词:折叠式共源共栅运算放大器
基于硅带隙能量的1.2V基准电压源设计
2014年
基于0.35μm CSMC(central semiconductor manufacturing corporation)工艺设计,并流片了一款典型的带隙基准电压源芯片,可输出不随温度变化的高精度基准电压。电路包括核心电路、运算放大器和启动电路。芯片在3.3 V 供电电压,-40~80℃的温度范围内进行测试,结果显示输出电压波动范围为1.2128~1.2175 V,温度系数为3.22×10-5/℃。电路的版图面积为135μm×236μm,芯片大小为1 mm×1 mm。
冯超汪金辉万培元侯立刚
关键词:基准电压源温度系数基准电压
基于nRF905无线通信系统的设计被引量:9
2013年
设计了一个基于nRF905的工作频率为433 MHz的无线通信系统。该系统包含发射和接收两个模块。发射模块主要是由PIC16F877A单片机和nRF905芯片组成,PIC控制nRF905实现发射功能。接收模块主要是由MSP430单片机和nRF905芯片组成,MSP430控制nRF905接收有效信号。该系统可广泛应用于无线抄表等领域,对实际的生产生活有重要的意义,对该系统软硬件做了详细的设计。
朱士群牛伟耿淑琴侯立刚杨红艳李子腾吴武臣
关键词:无线通信无线控制NRF905无线抄表
1.2V基准电压源设计
2014年
基于0.35μm CSMC CMOS工艺设计并流片了一款典型的带隙基准电压源芯片,输出不随温度变化的高精度基准电压。电路包括核心电路、运放和启动电路三部分。芯片在3.3V供电电压,-40oC到80oC的温度范围内进行测试,结果显示输出电压波动范围为1.2128V~1.2175V,温度系数为32.2 ppm/oC。电路的版图面积为135μm×236μm,芯片大小为1 mm×1 mm。
冯超汪金辉万培元侯立刚
关键词:基准电压源温度系数基准电压
一种新型电流模式带隙基准源的设计被引量:7
2013年
提出了一种新型电流模式的带隙基准电压源结构,与传统带隙基准源不同,通过电流模式高阶曲率补偿技术,消除了高阶温度系数对基准电压的影响,得到一个与温度相关性较小的基准电压。电路采用Chartered 0.35μm工艺进行设计,仿真验证结果表明,在-40℃~125℃温度范围内,温度系数为7.25×10-6/℃,基准电压平均值为1.114V,电源抑制比为-89.28dB。
胡勇彭晓宏刘云康吕本强朱治鼎
关键词:带隙基准源曲率补偿温度系数电源抑制比
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