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中国博士后科学基金(0101181220)

作品数:2 被引量:4H指数:1
相关作者:刘陈朱光喜刘德明更多>>
相关机构:华中科技大学更多>>
发文基金:中国博士后科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇等离子体处理
  • 2篇氧等离子体处...
  • 2篇原子力显微镜
  • 2篇ITO
  • 1篇有机发光
  • 1篇有机发光二极...
  • 1篇润湿
  • 1篇润湿性
  • 1篇铟锡氧化物
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇ITO薄膜
  • 1篇表面形貌

机构

  • 2篇华中科技大学

作者

  • 2篇刘德明
  • 2篇朱光喜
  • 2篇刘陈

传媒

  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇液晶与显示

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
氧等离子体处理对ITO薄膜表面性能的影响被引量:3
2006年
利用原子力显微镜研究氧等离子体处理对ITO薄膜的微观表面形貌及表面润湿性能的影响。实验结果表明:经过氧等离子体处理,ITO薄膜的平均粗糙度和峰-谷粗糙度减小,薄膜的平整度提高;而且表面吸附力增大近一倍,表面能增大,接触角减小,使ITO薄膜表面的润湿性能和吸附性能得到改善。
刘陈朱光喜刘德明
关键词:ITO氧等离子体处理原子力显微镜表面形貌润湿性
氧等离子体表面处理对ITO薄膜的影响被引量:1
2007年
利用原子力显微镜检测ITO薄膜的微观表面形貌以及微观区域电性能,研究氧等离子体处理对ITO薄膜的表面形貌及导电性能的影响,从微观上探讨氧等离子体处理对ITO薄膜的影响.经过氧等离子体处理,ITO薄膜的平均粗糙度从4.6 nm减小到2.5 nm,薄膜的平整度得到提高;但氧等离子体处理之后,ITO薄膜的导电性能大大下降,原因在于ITO薄膜表面被进一步氧化使得ITO薄膜表面的氧空位减少.上述结果从微观上解释了氧等离子体处理能够改善有机发光二极管光电性能的原因.
刘陈朱光喜刘德明
关键词:氧等离子体处理原子力显微镜有机发光二极管
共1页<1>
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